公开(公告)号：CN114864666A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210810588.1

申请日：2022-07-11

Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网上海市电力公司 ,  国家电网有限公司

Inventor： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  吴波 ,  刘芳 ,  邓永锋 ,  王凯 ,  余山 ,  付振 ,  郁文 ,  刘倩倩 ,  王帅鹏 ,  彭鹏 ,  邵宇鹰

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种NLDMOS器件、NLDMOS器件的制备方法及芯片。所述NLDMOS器件包括：衬底；设于所述衬底上的P型体区与N型漂移区；设于所述N型漂移区上的场氧化层与N型掺杂区；以及设于所述场氧化层与所述N型掺杂区上的栅极，其中，所述N型掺杂区包括所述场氧化层、所述栅极与所述N型漂移区的交界区。本发明中的N型掺杂区可在保证一定的关断状态下的击穿电压（BVoff）下减小NLDMOS器件的导通电阻，同时有效地将电力线密度重新分布以降低交界区的电场峰值，在器件大注入时为漂移区提供额外的净电荷，从而能够使Kirk效应得到有效的抑制，进而提高导通状态下的击穿电压（BVon），即，提高NLDMOS器件的安全工作区和可靠性。

公开(公告)号：CN114823482A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210698562.2

申请日：2022-06-20

Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

Inventor： 赵东艳 ,  王于波 ,  吴波 ,  陈燕宁 ,  刘芳 ,  邓永锋 ,  王凯 ,  余山 ,  付振 ,  郁文 ,  刘倩倩 ,  王帅鹏

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种横向扩散金属氧化物半导体的制备方法和器件，该方法包括：提供一衬底，在衬底上形成第一衬垫层和第二衬垫层；以图形化的光罩的正光刻胶作为掩膜，刻蚀第一衬垫层和第二衬垫层以形成场氧的开口；对衬底进行热氧化处理，以在开口内形成场氧；去除第二衬垫层；使用相同图形化的光罩的负光刻胶作为掩膜，刻蚀去除第一衬垫层；对衬底再次进行热氧化处理，形成牺牲氧化层；使用相同图形化的光罩的负光刻胶作为掩膜，刻蚀去除牺牲氧化层。本公开解决了现有LDMOS制造工艺中，在相关步骤会消耗场氧而造成场氧上表面的厚度减少进而导致击穿电压降低的技术问题，提高了LDMOS器件的击穿电压。

公开(公告)号：CN114744027A

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202210652972.3

申请日：2022-06-10

Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

Inventor： 余山 ,  赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  王凯 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  刘倩倩 ,  郁文

IPC: H01L29/16 ,  H01L29/40 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明涉及半导体领域，提供一种碳化硅LDMOSFET器件制造方法及碳化硅LDMOSFET器件。所述方法包括：在P型碳化硅衬底上形成碳化硅外延层，在碳化硅外延层上粘接P型硅层；对P型硅层进行刻蚀处理，形成两个延伸至碳化硅外延层的沟槽；分别沿两个沟槽的底部对碳化硅外延层进行离子掺杂形成沟道区；离子掺杂形成N型漂移区，填充沟槽形成P型体区；对填充沟槽进行刻蚀，形成场板隔离介质层；在刻蚀后的填充沟槽内填充多晶硅形成多晶硅栅极；在P型体区和N型漂移区形成源漏区。本发明采用碳化硅衬底，利用碳化硅的高击穿特性，提高器件的击穿电压；通过沟道区将两个多晶硅栅极串联形成组合栅结构，降低器件的导通电阻。

公开(公告)号：CN114512407B

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN202210414986.1

申请日：2022-04-20

Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

Inventor： 余山 ,  赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  王凯 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  刘倩倩 ,  郁文

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及MOSFET制作技术领域，具体地涉及一种LDMOSFET的制作方法及结构。其中LDMOSFET的制作方法包括：包括在衬底上形成第一阱区和与所述第一阱区导电类型不同的第二阱区，还包括：在所述第一阱区上形成体区和与所述体区相邻的漂移区，在所述漂移区中形成硅局部氧化隔离区；将所述硅局部氧化隔离区氧化后形成空腔，在所述空腔下方的漂移区内形成与所述空腔不连通的离子注入区；在所述体区与所述漂移区的相邻界面的上方形成栅极，所述栅极在所述漂移区一侧延伸至被填充的空腔上方，在所述第一阱区形成源极和漏极。本实施方式具有简便实用，工艺兼容性好的优点。

公开(公告)号：CN114722882A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202210561341.0

申请日：2022-05-23

Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司

Inventor： 赵东艳 ,  王于波 ,  梁英宗 ,  陈燕宁 ,  张海峰 ,  成睿琦 ,  付振 ,  赵扬 ,  刘芳

IPC: G06K9/00 ,  G01R29/12 ,  G01R23/16

Abstract: 本发明涉及电磁技术领域，公开了一种脉冲电场数据的处理方法与系统。所述处理方法包括：获取脉冲电场波形中的多个极大值点；对所述多个极大值点进行拟合，以获取所述脉冲电场波形的包络线；以及根据所述脉冲电场波形的包络线，获取所述脉冲电场波形的特征参数值。本发明可简单且有效地对开关设备等操作所产生的脉冲电场数据进行处理，以准确地获取相应的特征参数值，从而可及时监测二次设备周围的电磁环境的突变情况。

公开(公告)号：CN114464674B

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202210375521.X

申请日：2022-04-11

Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

Inventor： 余山 ,  赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  王凯 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  刘倩倩 ,  郁文

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种LDMOSFET器件、制作方法及芯片，属于芯片技术领域。所述LDMOSFET器件包括：半导体衬底、栅极、源极区、漏极区、体区以及漂移区；体区以及漂移区形成在半导体衬底内，栅极形成在半导体衬底的上方且一端与体区相连，另一端位于漂移区上方；栅极与半导体衬底上方覆盖有介质层，介质层开设有接触孔，源极区形成在体区上方的接触孔内与体区相接，且位于栅极的一侧；漏极区形成在漂移区上方的接触孔内与漂移区相接，且位于栅极的另一侧。该LDMOSFET器件将漏极区设置在半导体衬底的上方，不占漂移区的部分区域，不影响漂移区击穿电压的提升效果，不增加导通电阻。

公开(公告)号：CN114335153B

公开(公告)日：2022-05-20

申请号：CN202210218730.3

申请日：2022-03-08

Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

Inventor： 余山 ,  赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  王凯 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  刘倩倩 ,  郁文

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供一种LDMOSFET器件、制备方法以及芯片，属于芯片技术领域。该LDMOSFET器件，包括：栅极，形成在半导体衬底上方；源极区，形成在栅极的一侧处；漏极区，形成在栅极的另一侧处；以及隔离区，形成在栅极之下，位于源极区与漏极区之间，栅极包括多段相连的栅极结构，隔离区包括多段微隔离区；微隔离区与栅极结构一一对应；两段微隔离区之间形成有第一导电类型的间隔区。通过改进栅极和隔离区的结构，并在两段微隔离区之间形成第一导电类型的间隔区，微隔离区与改进后的栅极能够承受更大的电压，能降低导通电阻；第一导电类型的间隔区与漂移区之间形成PN结，能够提高击穿电压，同时降低了导通电阻。

公开(公告)号：CN114512407A

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202210414986.1

申请日：2022-04-20

Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

Inventor： 余山 ,  赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  王凯 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  刘倩倩 ,  郁文

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及MOSFET制作技术领域，具体地涉及一种LDMOSFET的制作方法及结构。其中LDMOSFET的制作方法包括：包括在衬底上形成第一阱区和与所述第一阱区导电类型不同的第二阱区，还包括：在所述第一阱区上形成体区和与所述体区相邻的漂移区，在所述漂移区中形成硅局部氧化隔离区；将所述硅局部氧化隔离区氧化后形成空腔，在所述空腔下方的漂移区内形成与所述空腔不连通的离子注入区；在所述体区与所述漂移区的相邻界面的上方形成栅极，所述栅极在所述漂移区一侧延伸至被填充的空腔上方，在所述第一阱区形成源极和漏极。本实施方式具有简便实用，工艺兼容性好的优点。

公开(公告)号：CN114171585B

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202210124399.9

申请日：2022-02-10

Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

Inventor： 余山 ,  赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  付振 ,  刘芳 ,  王凯 ,  吴波 ,  邓永峰 ,  刘倩倩 ,  郁文

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明实施例提供一种LDMOSFET、制备方法及芯片和电路，为了实现上述目的，本发明实施例提供一种LDMOSFET，包括：衬底，所述衬底上设有埋层；所述埋层上方设有外延层；所述外延层上方设有高压P型阱和高压N型阱；所述高压N型阱上方依次设有第一N型漂移区、P型体区和第二N型漂移区，其中，所述第一N型漂移区、P型体区和第二N型漂移区中的至少一者的上表面有凸起。该LDMOSFET不仅有效的缩小了器件的尺寸，还大大提升了器件的性能。

公开(公告)号：CN114499467A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111592037.4

申请日：2021-12-23

Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司 ,  芯创智(北京)微电子有限公司

Inventor： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  付振 ,  庞振江 ,  邵亚利 ,  刘芳 ,  华克路 ,  李晗玲 ,  徐鹏 ,  黄子恒

IPC: H03K3/03 ,  H03K3/014

Abstract: 本发明实施例提供一种振荡电路和振荡器，属于集成电路技术领域。所述振荡电路包括：环形振荡单元、稳定频率单元、加速启动单元、输出信号端，所述环形振荡单元，用于产生振荡信号，所述稳定频率单元，用于通过负反馈稳定所述环形振荡器的振荡频率，所述加速启动单元，用于提升所述环形振荡器的起振速度，所述输出信号端，用于输出所述振荡信号。利用高速的加速启动单元提升起振速度，同时利用负反馈技术，得到稳定高精度的振荡频率，解决了传统的电流匮乏模式的三级环形振荡器，起振速度慢和振荡频率不稳定等问题。