公开(公告)号：CN102737963B

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201210254017.0

申请日：2012-07-20

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张苗 ,  母志强 ,  薛忠营 ,  陈达 ,  狄增峰 ,  王曦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明提供一种利用离子注入及定点吸附工艺制备半导体材料的方法，先在Si衬底上外延至少一个周期的SixGe1-x/Si（0≤x

公开(公告)号：CN104200836A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201410417988.1

申请日：2014-08-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈静 ,  何伟伟 ,  罗杰馨 ,  王曦

IPC: G11C11/413 ,  G11C29/08

Abstract: 本发明提供一种表征随机存储器单元抗电流噪声容限的方法及测试结构，所述存储器单元的表征抗电流噪声容限的方法步骤为：扫描单元第一存储节点的电压，得到该扫描电压与供电电流关系曲线；反扫描第二存储节点的电压，得到该扫描电压与供电电流关系曲线；将两条曲线叠加得一相交于三点的曲线；计算两侧点分别与中间点的电流差值，取两者较小值，其值即为单元的最大抗电流噪声容限值；本发明还提供本表征单元抗电流噪声容限的测试结构。本发明的表征静态随机存储器单元抗电流噪声容限的方法及测试结构具有直观、测量精确，适用性强等优点。

公开(公告)号：CN102800589B

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201210304134.3

申请日：2012-08-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 柴展 ,  陈静 ,  罗杰馨 ,  伍青青 ,  王曦

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/266 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L29/7378 ,  H01L29/66242

Abstract: 本发明提供一种基于SOI的SiGe-HBT晶体管的制备方法，该方法通过在所述外基区注入杂质由硼改为氟化硼，并将注入能量和剂量限定在特定范围内，有效解决了薄膜SOI上（小于等于150nm）的SiGe-HBT器件的集电极电阻大幅增加和最高截止频率Ft参数明显降低的问题。同时，相对于增大集电区注入剂量和掺杂浓度的其它方法，该方法避免了集电区掺杂浓度增加导致的器件耐压降低。此外，该制备工艺简单，易于实现。

公开(公告)号：CN103985788A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201410217764.6

申请日：2014-05-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  母志强 ,  郭庆磊 ,  叶林 ,  陈达 ,  张苗 ,  王曦

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/08 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0216

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1808 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/1085

Abstract: 本发明提供一种张应变锗光电探测器及其制作方法，该方法至少包括以下步骤：S1：提供一衬底并在其上依次形成牺牲层及锗层；S2：在所述锗层上形成一金属层，所述金属层对所述锗层提供应力；S3：将所述金属层图形化，形成一对金属主基座及一对金属次基座；S4：将所述锗层图形化以在所述金属主基座及金属次基座下分别形成锗主基座及锗次基座，并在每一对锗次基座之间形成至少一条锗桥线；S5：腐蚀掉所述锗桥线下方及所述锗次基座下方的牺牲层，以使所述锗桥线及所述锗次基座悬空，该悬空的锗次基座在所述金属层的应力作用下卷曲使所述锗桥线拉伸，得到张应变锗MSM光电探测器。本发明可提高MSM光电探测器的光电探测性能。

公开(公告)号：CN102820252B

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201110151804.8

申请日：2011-06-08

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 张苗 ,  张波 ,  薛忠营 ,  王曦

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明公开了一种基于键合工艺的高迁移率双沟道材料的制备方法，利用体硅衬底外延压应变的SiGe层，采用键合工艺将SiGe层转移至热氧化的硅片上，该SiGe层，用作PMOSFET的沟道材料；在SiGe材料上继续外延Si，采用离子注入、退火等手段，使部分应变的SiGe弛豫，同时将应变传递到上方Si层中，从而形成应变Si材料，用作NMOSFET的沟道材料。本方法其工艺步骤简单，易于实现，能够同时为NMOSFET及PMOSFET提供高迁移率的沟道材料，满足了同时提高NMOSFET和PMOSFET器件性能的要求，为下一代的CMOS工艺提供潜在的沟道材料。

公开(公告)号：CN103560157A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201310583275.8

申请日：2013-11-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  母志强 ,  郭庆磊 ,  叶林 ,  陈达 ,  张苗 ,  王曦

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  B81B3/0072 ,  B81C1/00666

Abstract: 本发明提供一种应变结构及其制作方法，该方法至少包括以下步骤：S1：提供一衬底，在所述衬底表面自下而上依次形成一牺牲层及一第一应力层；S2：将所述第一应力层图形化，形成桥状结构；所述桥状结构包括形成于所述牺牲层表面的一对基座及连接该一对基座的至少一根桥梁；S3：在一对所述基座表面形成第二应力层；S4：采用湿法腐蚀去除所述桥梁下方及所述基座相向两端下方的牺牲层，以使所述桥梁及一对所述基座相向两端悬空，该悬空的两端卷曲使所述桥梁拉伸，得到应变结构。本发明可以给一定范围内的任意材料施加高张应力，方法简单有效、与半导体工艺兼容，具有成本低，且制作速度快的优点。

公开(公告)号：CN102427052B

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201110343183.3

申请日：2011-11-03

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王学良 ,  张峰 ,  叶斐 ,  赵常盛 ,  王曦

IPC: H01L21/762 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供具有高效复合中心的SOI材料衬底及其制备方法，属于半导体材料的制备领域。一种SOI材料衬底，包括一硅衬底，一埋氧层和一具有第一掺杂类型的顶层硅层，所述顶层硅层中还掺有重金属元素；一种制备上述衬底的方法，包括以下步骤：在SOI材料衬底的顶层硅层中掺入重金属元素；在SOI材料衬底的顶层硅层中掺入第一掺杂类型的杂质。本发明解决了现有技术中在体硅材料中掺杂重金属元素时候的较高工艺成本的问题；同时改变掺杂的顺序，提高了衬底的质量。

公开(公告)号：CN102789024B

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201110129324.1

申请日：2011-05-18

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王曦 ,  杨志峰 ,  武爱民 ,  甘甫烷 ,  林旭林 ,  李浩

IPC: G02B6/125

Abstract: 一种T型分支波导，利用SOI基二维平板柱状光子晶体的自准直效应实现输入光信号的180°分束传播，属于半导体光学技术领域，包括SOI衬底、在SOI衬底顶层硅刻蚀形成的硅柱区域以及将硅柱区域与外部光纤或其他器件连接的SOI条形波导。其中：硅柱区域中，刻蚀形成的硅柱呈长方晶格排列在SOI顶层硅上，硅柱的深度为SOI顶层硅的厚度，SOI条形波导为T型分支波导的输入波导，且距离硅柱区域与所述SOI条形波导平行的两边界均有一距离。该T型分支波导对于入射光束角度极不敏感，分束区的长度可以控制在10μm以内，极大缩短总体器件长度，结构更为紧凑；同时，其具有较大的制备容差和更灵活的设计。

公开(公告)号：CN103094178A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201310015290.2

申请日：2013-01-16

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 罗杰馨 ,  陈静 ,  伍青青 ,  柴展 ,  余涛 ,  吕凯 ,  王曦

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供一种提高部分耗尽型SOI器件射频性能的制备方法。根据本发明的方法，先在绝缘体上材料结构上形成至少一个器件的源区、栅区、及漏区；随后，对所述源区再进行掺杂使所述源区的部分区域为N型、部分区域为P型；最后再在进行了再掺杂的绝缘体上材料结构上再制备电极层以形成SOI器件。由于所制作的结构在源区存在重掺杂的P+区，源区N+区与P+区形成二级管结构，有效释放器件体区的空穴，使得体区电势与源区相等，因此器件的阈值电压不再漂移，从而提高器件的射频性能；此外，相对于业界普遍采用的TB结构，本发明的器件也不需要额外增加器件面积。

公开(公告)号：CN102590936B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201110004002.4

申请日：2011-01-10

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海新傲科技股份有限公司

Inventor： 武爱民 ,  魏星 ,  薛忠营 ,  杨志峰 ,  甘甫烷 ,  张苗 ,  王曦

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/13 ,  G02B6/136

Abstract: 本发明提供一种锗悬浮膜式二维光子晶体微腔，包括：具有埋氧层、且表层为锗悬浮膜层的半导体基底，其中，所述锗悬浮膜层包含光子晶体微腔，所述光子晶体微腔由周期性排列的孔体构成、但部分区域缺失孔体。此外，本发明还提供了该锗悬浮膜式二维光子晶体微腔的制备方法，即先在半导体基底的锗薄膜层中掺杂以形成n型重掺杂层，随后，对重掺杂层进行微机械加工以便在部分区域形成光子晶体微腔，最后，对整片器件进行湿法腐蚀，其中，可通过控制腐蚀时间以控制侧向腐蚀的程度，从而去除光子晶体微腔下的埋氧层实现悬浮膜。本发明的优点在于：能够通过调节悬浮的锗薄膜的应变从而实现锗向直接带隙的转变，并通过光子晶体微腔的增强作用实现发光效率的提高。