-
公开(公告)号：CN113510364B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202110856145.1
申请日：2021-07-28
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于激光辅助溶解的三维空腔结构的成型方法，包括以下步骤：A、使用高能激光束在待加工工件的表面加工出一条或者多条辅助成型通道，所述辅助成型通道贯穿于所述待加工工件的表面；B、将所述待加工工件置于腐蚀流体中，所述腐蚀流体为光敏腐蚀溶液或者腐蚀性气体；C、使所述腐蚀流体在所述辅助成型通道中流动。所述基于激光辅助溶解的三维空腔结构的成型方法，能够从工件的内部逐渐向工件的外部延伸加工成型形成三维空腔，实现了对待加工工件的局部高效加工，形成三维空腔的加工效率高，解决了现有三维空腔成型方法效率低下的问题。
-
公开(公告)号：CN113270354B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110426987.3
申请日：2021-04-20
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , H01L33/48
Abstract: 本发明涉及半导体加工的技术领域，更具体地，涉及一种静电场控制的芯片阵列扩张和巨量转移方法及其系统，包括以下步骤：S10.将芯片转移到垂直阵列排布的线束末端的抓头上；S20.控制线束与电场发生器的相对电压调整线束散开的弧度；S30.检测线束末端芯片是否处于同一水平面，修正局部芯片高度至芯片高度位于同一水平面；S40.检测芯片间距，当芯片间距处于合适间距时，将线束末端的芯片对准承载基板的目标焊盘；S50.使芯片脱离转移至承载基板的目标焊盘上；S60.依次完成多种类型的芯片向同一承载基板上的巨量转移。本发明通过调控静电场以调控线束的弯曲扩散，从而对芯片间距进行高精度的阵列扩张和转移，简化了芯片巨量转移的工艺流程，提高了芯片转移效率。
-
公开(公告)号：CN114789248A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202210435491.7
申请日：2022-04-24
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于多络合剂的多金属核壳结构纳米材料及其制备方法，涉及纳米材料技术领域。本发明利用纳米铜颗粒与所要包覆的壳层金属离子(即银离子、钯离子和铂离子)间的高低势差进行置换反应，通过多种络合剂的配合，制得结构稳定性好、颗粒尺寸均一且形貌好的基于多络合剂的多金属核壳结构纳米材料，同时，多金属核壳结构纳米材料具有独特的表面增强拉曼散射效应和优异的催化性能，可以广泛应用于催化领域，解决了现有多金属核壳结构纳米材料结构稳定性弱、颗粒尺寸不均一和形貌较差的问题。
-
公开(公告)号：CN113314475B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110584785.1
申请日：2021-05-27
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L23/15 , H01L23/31 , H01L25/065
Abstract: 本发明公开了一种使用玻璃基板的系统级扇出型封装结构及其加工方法，属于芯片封装技术领域。包括玻璃基板、再布线层、芯片和导电金属和若干环氧塑封层，玻璃基板置于底层，再布线层置于玻璃基板与环氧塑封层之间以及各层环氧塑封层之间，芯片焊接于再布线层上，若干导电金属堆叠置于再布线层上，环氧塑封层内芯片和导电金属之间填充有环氧塑封料。本发明能够解决引脚数目制约芯片封装的问题，导电金属封装的设计，使线路板制作效率大大提升，并且可以实现多层不同尺寸不同高度及不同性能芯片集成封装，具有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN112820693B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202011638463.2
申请日：2020-12-31
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/768 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种基于纳米金属的嵌入式三维互连结构制备方法，采用多片带孔洞或空腔的玻璃片粘合，形成具有三维空腔的基板结构；再通过点胶装置将纳米金属膏对三维空腔进行填充；填充完毕后，使用激光对三维空腔内的纳米金属进行定向烧结成型；最后对基板结构进行湿法清洗，去除残留纳米金属颗粒。本发明形成三维空腔的基板结构并采用纳米金属填充，然后烧结形成嵌入式三维互连的导体结构，无需采用电镀铜的方式，避免造成对环境的污染。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114121681A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111337239.4
申请日：2021-11-11
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明公开一种基于热收缩的纳米金属过孔互连方法，包括以下步骤：(1)采用张紧装置，使得基板处于拉应力的状态；(2)将纳米金属颗粒填充到基板的通孔中，直到纳米金属颗粒充满整个通孔；(3)在可控气体下，对基板进行升温烧结；在烧结的过程中，通过张紧装置使得拉应力逐渐减小，基板逐渐收缩，对通孔中的纳米金属颗粒进行挤压；(4)对填充完成的基板表面进行打磨或者抛光处理。该方法该热收缩的条件下，对纳米金属进行挤压，使得填充的纳米金属颗粒具有较高的致密性，减少了填孔中加工缺陷，使得纳米金属结构稳定，提高了纳米金属的导电与导热性能；且该方法操作简单、效率更高，还能减少环境污染。
-
公开(公告)号：CN114054766A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111364775.3
申请日：2021-11-17
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明涉及纳米金属颗粒生产技术领域，尤其涉及一种多尺寸纳米金属颗粒及其制备系统、制备方法和应用。一种多尺寸纳米金属颗粒的制备系统，包括气流控制装置、纳米材料制备装置和收集装置；所述纳米材料制备装置包括烧蚀反应容器、电源和两个电极，所述烧蚀反应容器的内壁相对地设置有两个所述电极，两个所述电极分别与所述电源的两极电连接；所述气流控制装置包括惰性气源、进气管路、进气阀门、回收管路、回收阀门和出气管路。所述多尺寸纳米金属颗粒的制备系统，能够批量制备不同尺寸的纳米金属颗粒，有效降低了生产成本，提高生产效率，解决了目前需要单独制备不同尺寸的纳米金属颗粒再将其混合，导致出现生产成本高、生产效率低下的问题。
-
公开(公告)号：CN113488399B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110661954.7
申请日：2021-06-15
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明涉及半导体生产制造领域，特别是一种超细节距半导体互连结构及其成型方法。所述成型方法通过气相沉积法制备出纳米铜颗粒，调节气相沉积装置中的耦合参数控制生成纳米铜颗粒的大小，将制备的纳米铜颗粒沉积在基板上，并把带有I/O输出端口的芯片倒装在基板上，通过热压烧结实现芯片与基板的键合。所述成型方法中通过气相沉积装置制备出的纳米铜颗粒具有粒径可控，纯度高等特点，避免了化学法制备所带来的多种问题；所述成型方法可应用于包括半导体在内任何导电材料，灵活多高，可避免纳米铜颗粒存贮氧化等问题；能有效解决超细节距芯片与基板焊盘间定位差等问题，可满足高密度封装互连的需要。
-
公开(公告)号：CN113517224A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110782364.X
申请日：2021-07-09
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开一种通孔、盲孔互连结构成型工艺，包括以下步骤：(1)将预填充块压入具有孔洞的模具中；预填充块脱模，形成填充基材，其表面获得多个填充棒；(2)将载板材料并覆盖在填充基材的表面，使得填充基材表面上的填充棒插入至载板材料中；(3)通过控制温度，使得载板材料固化形成载板基材；利用载板材料与填充基材的热收缩差异，实现载板材料与填充基材界面分离，填充棒根部断裂，使得填充棒保留在载板基材中；(4)对步骤(3)中形成的载板基材进行线路层的加工，最终获得具有通孔或盲孔互连结构的载板基材。本发明具有高效、精准的优点，使得填充基材与通孔、盲孔的配合度高，有利于提升互连结构的导热和导电性能。
-
公开(公告)号：CN113510363A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110855659.5
申请日：2021-07-28
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明公开了一种微型元件基板的加工方法及使用其的加工设备，其加工方法包括：利用AOI模块定位微型元件基板的需要加工的部位；在微型元件基板覆盖加工材料；通过激光耦合超声波对微型元件基板的需要加工的部位进行烧结。其加工设备包括AOI模块和机械模块；AOI模块的检测端对准微型元件基板，AOI模块用于定位微型元件基板的需要加工的部位；机械模块用于利用超声波耦合激光对微型元件基板的需要加工的部位进行烧结。所述微型元件基板的加工方法及使用其的加工设备，利用超声波辅助和AOI模块定位，解决了微型元件基板增材和/或减材的质量低和精准度低的问题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
210
records
(took 0.027 seconds)
