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公开(公告)号：CN114121681B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202111337239.4
申请日：2021-11-11
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明公开一种基于热收缩的纳米金属过孔互连方法，包括以下步骤：(1)采用张紧装置，使得基板处于拉应力的状态；(2)将纳米金属颗粒填充到基板的通孔中，直到纳米金属颗粒充满整个通孔；(3)在可控气体下，对基板进行升温烧结；在烧结的过程中，通过张紧装置使得拉应力逐渐减小，基板逐渐收缩，对通孔中的纳米金属颗粒进行挤压；(4)对填充完成的基板表面进行打磨或者抛光处理。该方法该热收缩的条件下，对纳米金属进行挤压，使得填充的纳米金属颗粒具有较高的致密性，减少了填孔中加工缺陷，使得纳米金属结构稳定，提高了纳米金属的导电与导热性能；且该方法操作简单、效率更高，还能减少环境污染。
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公开(公告)号：CN113314475A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110584785.1
申请日：2021-05-27
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L23/15 , H01L23/31 , H01L25/065
Abstract: 本发明公开了一种使用玻璃基板的系统级扇出型封装结构及其加工方法，属于芯片封装技术领域。包括玻璃基板、再布线层、芯片和导电金属和若干环氧塑封层，玻璃基板置于底层，再布线层置于玻璃基板与环氧塑封层之间以及各层环氧塑封层之间，芯片焊接于再布线层上，若干导电金属堆叠置于再布线层上，环氧塑封层内芯片和导电金属之间填充有环氧塑封料。本发明能够解决引脚数目制约芯片封装的问题，导电金属封装的设计，使线路板制作效率大大提升，并且可以实现多层不同尺寸不同高度及不同性能芯片集成封装，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN113314475B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110584785.1
申请日：2021-05-27
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L23/15 , H01L23/31 , H01L25/065
Abstract: 本发明公开了一种使用玻璃基板的系统级扇出型封装结构及其加工方法，属于芯片封装技术领域。包括玻璃基板、再布线层、芯片和导电金属和若干环氧塑封层，玻璃基板置于底层，再布线层置于玻璃基板与环氧塑封层之间以及各层环氧塑封层之间，芯片焊接于再布线层上，若干导电金属堆叠置于再布线层上，环氧塑封层内芯片和导电金属之间填充有环氧塑封料。本发明能够解决引脚数目制约芯片封装的问题，导电金属封装的设计，使线路板制作效率大大提升，并且可以实现多层不同尺寸不同高度及不同性能芯片集成封装，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN114121681A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111337239.4
申请日：2021-11-11
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明公开一种基于热收缩的纳米金属过孔互连方法，包括以下步骤：(1)采用张紧装置，使得基板处于拉应力的状态；(2)将纳米金属颗粒填充到基板的通孔中，直到纳米金属颗粒充满整个通孔；(3)在可控气体下，对基板进行升温烧结；在烧结的过程中，通过张紧装置使得拉应力逐渐减小，基板逐渐收缩，对通孔中的纳米金属颗粒进行挤压；(4)对填充完成的基板表面进行打磨或者抛光处理。该方法该热收缩的条件下，对纳米金属进行挤压，使得填充的纳米金属颗粒具有较高的致密性，减少了填孔中加工缺陷，使得纳米金属结构稳定，提高了纳米金属的导电与导热性能；且该方法操作简单、效率更高，还能减少环境污染。
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公开(公告)号：CN113543522A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110782314.1
申请日：2021-07-09
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明公开一种基于金属压印的载板填孔工艺，包括以下步骤：(1)对待填孔的载板表面进行预处理，使载板表面与金属不具有结合力；(2)将填充基材覆盖在载板表面；(3)对填充基材施加垂直于载板表面的下压力，使得填充基材发生形变并压入载板上的通孔或盲孔中；(4)对载板和覆盖在载板表面的填充基材进行分离处理，去除载板表面的填充基材，并让载板上通孔或盲孔中的金属仍然保留在内部，完成载板的填孔加工。本发明实现载板的快速填孔，以便实现通孔、盲孔的互连结构，并且填充效果好，有利于提高通孔、盲孔的导电、导热性能。
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