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公开(公告)号：CN1201915C
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN03121582.3
申请日：2003-04-02
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及晶体加工技术，尤其是能准确定向切割晶体的方法，属于晶体材料切割加工技术领域。常用的方法只能凭据x射线衍射定向仪和万能角度尺，边测量角度边研磨修正，花费时间又浪费晶体，尤其是一些贵重的晶体，很可惜的。一些体积比较小的晶体，由于基准面小测量误差比较大，加工精度无法保证。本发明将激光器的光束调至与内圆切割机的刀片相垂直，在激光束的正上方做一直线N，N上任意点的垂线M通过激光束，晶体的参考面使激光反射点返回原点，利用公式：tg2θ＝Y/L，调整θ1、θ2角，即可准确地确定切割晶体的方向，能一次切割成所需要的任意晶向的晶体，质量、效率高，不浪费晶体，能耗低和节省工序。
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公开(公告)号：CN1584131A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN200410019454.X
申请日：2004-05-31
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种近化学比铌酸锂晶体的生长，特别是用熔体注入法生长的系统及其工艺。由于铌酸锂晶体不是同成分共熔，结晶出来的固体成分与熔体成分不一致，难以得到成分均匀的晶体。本发明提供一种采用熔体注入法，系统包括晶体生长炉、供料炉、回路调节器、中频电源、工控计算机和配套软件等7大部分：在晶体生长中，判断晶体生长量和供料炉注入熔融原料量之间的平衡，使注入生长坩埚的熔融原料量与晶体的生长量保持平衡，从而使晶体生长坩埚中原料的成分保持恒定；本发明的有益效果：具有加料连续性好、晶体成分波动小，光学均匀性好以及自动化程度高等优点，设备比较简单，有利于产业化生产，也可以用来进行其它类似非同成分共熔晶体的生长。
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公开(公告)号：CN1440054A
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN03121583.1
申请日：2003-04-02
Applicant: 南开大学
IPC: H01L21/304 , B24B1/00 , B24B7/22
Abstract: 本发明涉及一种晶体材料抛光技术，尤其是平行度优于1秒的晶体材料偏心抛光方法，属于晶体材料加工技术领域。在晶体研磨、抛光过程中，如果同时对平行度、平面度和光洁度都有比较高的要求，加工时就很困难。常规方法不行。本发明的技术方案：先将晶体的两个对面磨平，进行抛光，将晶体抛光成高光圈，用激光干涉仪检查，利用晶体两对面干涉条纹的圆心与晶体几何中心的偏离，测量出厚度差修正它，采用降光圈条件，降圈抛光，使晶体四周无厚度差。再将晶体调到与夹具同心的位置，继续降圈抛光，等厚干涉条纹将逐渐扩大，圈数减少，最后消失，此时晶体平行度极好。本发明的有益效果：比用测角仪方便，精度高。比用干涉仪观察直条纹的方法省时、省力。
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公开(公告)号：CN1439495A
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN03121582.3
申请日：2003-04-02
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及晶体加工技术，尤其是能准确定向切割晶体的方法，属于晶体材料切割加工技术领域。常用的方法只能凭据x射线衍射定向仪和万能角度尺，边测量角度边研磨修正，花费时间又浪费晶体，尤其是一些贵重的晶体，很可惜的。一些体积比较小的晶体，由于基准面小测量误差比较大，加工精度无法保证。本发明将激光器的光束调至与内圆切割机的刀片相垂直，在激光束的正上方做一直线N，N上任意点的垂线M通过激光束，晶体的参考面使激光反射点返回原点，利用公式：tg2θ＝Y/L，调整θ1、θ2角，即可准确地确定切割晶体的方向，能一次切割成所需要的任意晶向的晶体，质量、效率高，不浪费晶体，能耗低和节省工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1379127A
公开(公告)日：2002-11-13
申请号：CN02100623.7
申请日：2002-01-25
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明是一种制备掺镁化学比铌酸锂周期极化微结构晶体的工艺,属于非线性光学晶体材料技术领域。由于通常条件下生长出来的同成分本征铌酸锂晶体存在耐光损伤性能低、晶体组分波动大、均匀性和一致性差等缺点,不符合集成光学的要求,特别是制备周期极化全光微结构晶体时需要外加极高的电场,这带来许多困难,限制了晶体的使用。为此,本发明提供了一种解决这些技术问题的制备掺镁化学比铌酸锂周期极化微结构晶体的工艺,其技术方案是利用掺镁铌酸锂粉料,采用Czochralski晶体生长法制备铌酸锂晶体,再用汽相平衡扩散输运技术提高晶体组分的均匀性,在室温下低压极化,使晶体具有周期性的结构,该晶体可以广泛应用于倍频、差频、和频和光参量振荡等变频技术中。
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公开(公告)号：CN1091176C
公开(公告)日：2002-09-18
申请号：CN00121092.0
申请日：2000-07-20
Applicant: 南开大学
CPC classification number: G11B7/243 , C01G33/00 , C01G49/009 , C01P2002/52 , C01P2006/80 , G11B7/0065 , G11B7/26 , G11C13/041
Abstract: 本发明属光折变晶体材料领域。它的组成是：Li1-xNb1+yO3：Fem，Mn，其中M是镁、铟或锌中的一种，用q来表示M离子的价态(M为镁、锌时q＝2，M为铟时q＝3)，则x，y，m，n的取值范围分别是：0.05≤x ≤ 0.13，0.00≤y≤0.01，5.0×10-5≤m≤7.5×10-4，0.02≤qn≤0.13。本发明大幅提高了铌酸锂晶体的光折变特性，使其具有高衍射效率(68%以上)、快光折变响应比掺铁铌酸锂晶体缩短了一个数量级和强抗光散射能力，光折变扇形光散射光强阈值比掺铁铌酸锂晶体提高近两个数量级。本发明是优良的三维全息光盘材料，具有巨大的市场前景。
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公开(公告)号：CN1362545A
公开(公告)日：2002-08-07
申请号：CN01144331.6
申请日：2001-12-17
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明属光电材料领域。它提供了一种生长近化学计量比铌酸锂晶体的方法:采用填加K2O助溶剂的方法,降低铌酸锂的熔点,提高晶体的锂铌比,在熔融状态下,利用提拉法生长近化学计量比铌酸锂晶体(包括名义纯和各种掺杂)。该技术生长的晶体中Li2O的含量在49mol%以上,且光学质量好,适用于产业化。在表面波滤波器、电光调制、电光开关、光波导其激光器、倍频、参量振荡、高密度信息存储、光电器件集成等方面有着非常广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN1274915A
公开(公告)日：2000-11-29
申请号：CN00121095.5
申请日：2000-07-20
Applicant: 南开大学
CPC classification number: G11B7/0065 , G03H1/265 , G03H2260/54 , G11B7/127 , G11B7/128 , G11B7/135 , G11B7/1362 , G11B7/2433
Abstract: 本发明属信息存储。它包括计算机、精密转台、写入光源、读出光源、透镜、空间滤波器、空间光调制器、反射镜、相位失配调整器、光折变晶体(如双掺铌酸锂等)与CCD构成;利用绿光(532nm)作为写入光,红光(670nm)作为读出光,使得图像的信噪比大大提高,并解决了光固定的难题。采用透射式配置,并利用双凸非规则透镜作为相位失配调整器,大面积无畸变的复现存储图像,并利用动态差分编码解码技术,实现了海量高速数字存储的目的,并有效的降低了误码率(小于10－6)。
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公开(公告)号：CN115933062B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202211665094.5
申请日：2022-12-23
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种全偏振光隔离器，基于将各向异性增益损耗与法拉第效应结合设计的非厄密系统去实现可全偏振阻挡的效果。能够通过单层具备偏振性能的薄膜结合多层具有增益的介质材料、磁光材料、金属结构进行实现。该方法能够获得一种新型的基于非厄米系统的全偏振光隔离器，具备需要的光学元件少，能量损耗低，甚至实现负损耗(增益)，隔离效果好等优点。
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