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公开(公告)号：CN1176486C
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN03121583.1
申请日：2003-04-02
Applicant: 南开大学
IPC: H01L21/304 , B24B1/00 , B24B7/22
Abstract: 本发明涉及一种晶体材料抛光技术，尤其是平行度小于1秒的晶体几何中心偏离机器转轴中心的抛光方法，属于晶体材料加工技术领域。在晶体研磨、抛光过程中，如果同时对平行度、平面度和光洁度都有比较高的要求，加工时就很困难。本发明的技术方案：先将晶体的两个对面磨平，进行抛光，将晶体抛光成高光圈，用激光干涉仪检查，利用晶体两对面干涉条纹的圆心与晶体几何中心的偏离，测量出厚度差修正它，采用降光圈条件，降圈抛光，使晶体四周无厚度差。再将晶体调到与夹具同心的位置，继续降圈抛光，等厚干涉条纹将逐渐扩大，圈数减少，最后消失，此时晶体平行度极好。本发明的有益效果：比用测角仪方便，精度高。比用干涉仪观察省时、省力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1277271A
公开(公告)日：2000-12-20
申请号：CN00121092.0
申请日：2000-07-20
Applicant: 南开大学
CPC classification number: G11B7/243 , C01G33/00 , C01G49/009 , C01P2002/52 , C01P2006/80 , G11B7/0065 , G11B7/26 , G11C13/041
Abstract: 本发明属光折变晶体材料领域。它的组成是：Li1－xNb1+yO3∶Fem,Mn,其中M是镁、铟或锌中的一种,用q来表示M离子的价态(M为镁、锌时q=2,M为铟时q=3),则x,y,m,n的取值范围分别是:0.05≤x≤0.13,0.00≤y≤0.01,5.0×10－5≤m≤7.5×10－4,0.02≤qn≤0.13。本发明大幅提高了铌酸锂晶体的光折变特性,使其具有高衍射效率(68%以上)、快光折变响应比掺铁铌酸锂晶体缩短了一个数量级和强抗光散射能力,光折变扇形光散射光强阈值比掺铁铌酸锂晶体提高近两个数量级。本发明是优良的三维全息光盘材料,具有巨大的市场前景。
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公开(公告)号：CN1201915C
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN03121582.3
申请日：2003-04-02
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及晶体加工技术，尤其是能准确定向切割晶体的方法，属于晶体材料切割加工技术领域。常用的方法只能凭据x射线衍射定向仪和万能角度尺，边测量角度边研磨修正，花费时间又浪费晶体，尤其是一些贵重的晶体，很可惜的。一些体积比较小的晶体，由于基准面小测量误差比较大，加工精度无法保证。本发明将激光器的光束调至与内圆切割机的刀片相垂直，在激光束的正上方做一直线N，N上任意点的垂线M通过激光束，晶体的参考面使激光反射点返回原点，利用公式：tg2θ＝Y/L，调整θ1、θ2角，即可准确地确定切割晶体的方向，能一次切割成所需要的任意晶向的晶体，质量、效率高，不浪费晶体，能耗低和节省工序。
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公开(公告)号：CN1440054A
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN03121583.1
申请日：2003-04-02
Applicant: 南开大学
IPC: H01L21/304 , B24B1/00 , B24B7/22
Abstract: 本发明涉及一种晶体材料抛光技术，尤其是平行度优于1秒的晶体材料偏心抛光方法，属于晶体材料加工技术领域。在晶体研磨、抛光过程中，如果同时对平行度、平面度和光洁度都有比较高的要求，加工时就很困难。常规方法不行。本发明的技术方案：先将晶体的两个对面磨平，进行抛光，将晶体抛光成高光圈，用激光干涉仪检查，利用晶体两对面干涉条纹的圆心与晶体几何中心的偏离，测量出厚度差修正它，采用降光圈条件，降圈抛光，使晶体四周无厚度差。再将晶体调到与夹具同心的位置，继续降圈抛光，等厚干涉条纹将逐渐扩大，圈数减少，最后消失，此时晶体平行度极好。本发明的有益效果：比用测角仪方便，精度高。比用干涉仪观察直条纹的方法省时、省力。
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公开(公告)号：CN1439495A
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN03121582.3
申请日：2003-04-02
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及晶体加工技术，尤其是能准确定向切割晶体的方法，属于晶体材料切割加工技术领域。常用的方法只能凭据x射线衍射定向仪和万能角度尺，边测量角度边研磨修正，花费时间又浪费晶体，尤其是一些贵重的晶体，很可惜的。一些体积比较小的晶体，由于基准面小测量误差比较大，加工精度无法保证。本发明将激光器的光束调至与内圆切割机的刀片相垂直，在激光束的正上方做一直线N，N上任意点的垂线M通过激光束，晶体的参考面使激光反射点返回原点，利用公式：tg2θ＝Y/L，调整θ1、θ2角，即可准确地确定切割晶体的方向，能一次切割成所需要的任意晶向的晶体，质量、效率高，不浪费晶体，能耗低和节省工序。
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公开(公告)号：CN1091176C
公开(公告)日：2002-09-18
申请号：CN00121092.0
申请日：2000-07-20
Applicant: 南开大学
CPC classification number: G11B7/243 , C01G33/00 , C01G49/009 , C01P2002/52 , C01P2006/80 , G11B7/0065 , G11B7/26 , G11C13/041
Abstract: 本发明属光折变晶体材料领域。它的组成是：Li1-xNb1+yO3：Fem，Mn，其中M是镁、铟或锌中的一种，用q来表示M离子的价态(M为镁、锌时q＝2，M为铟时q＝3)，则x，y，m，n的取值范围分别是：0.05≤x ≤ 0.13，0.00≤y≤0.01，5.0×10-5≤m≤7.5×10-4，0.02≤qn≤0.13。本发明大幅提高了铌酸锂晶体的光折变特性，使其具有高衍射效率(68%以上)、快光折变响应比掺铁铌酸锂晶体缩短了一个数量级和强抗光散射能力，光折变扇形光散射光强阈值比掺铁铌酸锂晶体提高近两个数量级。本发明是优良的三维全息光盘材料，具有巨大的市场前景。
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