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公开(公告)号：CN101357825B
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200810222443.X
申请日：2008-09-17
Applicant: 北京大学
IPC: C03C15/00
Abstract: 本发明涉及一种高深宽比玻璃刻蚀工艺，其采用电感耦合等离子刻蚀系统，且反应气体包括C4F8、H2及He，并采用以下工艺参数：离子源功率为1000-1400W；承片台功率为300-400W；反应室压力为2-4mT；C4F8流量为10-20sccm；H2流量为4-8sccm；He流量为150-200sccm。本发明高深宽比玻璃刻蚀工艺的技术方案，通过对包括刻蚀掩膜、离子源功率、承片台功率、反应室压力等一系列重要刻蚀工艺参数的调整，可以改善玻璃刻蚀的侧壁角度和玻璃对掩膜的刻蚀选择比，在增加玻璃刻蚀速率和深宽比的同时，可明显改善玻璃材料刻蚀的均匀性。
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公开(公告)号：CN101357825A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810222443.X
申请日：2008-09-17
Applicant: 北京大学
IPC: C03C15/00
Abstract: 本发明涉及一种高深宽比玻璃刻蚀工艺，其采用电感耦合等离子刻蚀系统，且反应气体包括C4F8、H2及He，并采用以下工艺参数：离子源功率为1000－1400W；承片台功率为300－400W；反应室压力为2－4mT；C4F8流量为10－20sccm/min；H2流量为4－8sccm/min；He流量为150－200sccm/min。本发明高深宽比玻璃刻蚀工艺的技术方案，通过对包括刻蚀掩膜、离子源功率、承片台功率、反应室压力等一系列重要刻蚀工艺参数的调整，可以改善玻璃刻蚀的侧壁角度和玻璃对掩膜的刻蚀选择比，在增加玻璃刻蚀速率和深宽比的同时，可明显改善玻璃材料刻蚀的均匀性。
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公开(公告)号：CN1648634A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200410039025.9
申请日：2004-01-21
Applicant: 北京大学
IPC: G01N13/10
Abstract: 本发明涉及一种微结构键合工艺结果的检测方法及用于该方法的检测结构。先设计包含微结构的硅结构版图；采用键合工艺方法制备微结构，硅结构和硅衬底或玻璃衬底通过键合面连接，硅结构至少有一端与键合面保有距离，并记录键合面积；用探针在没有键合的一端侧面推动硅结构，使之绕键合面发生形变直至单晶硅结构从键合面处断裂，并记录探针推点和键合面的距离和形变直至断裂过程的参数；根据所记录的上述数据，实现键合强度的检测。将复杂的MEMS器件检测技术，用简单的方法完成，解决了目前MEMS技术中微结构键合强度检测的难题，能满足多种MEMS器件加工时键合强度检测的需求。可应用于MEMS加工工艺技术领域。
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公开(公告)号：CN1549302A
公开(公告)日：2004-11-24
申请号：CN03130642.X
申请日：2003-05-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了半导体微器件的一种键合方法及其键合强度的检测方法。键合方法包括以下步骤：1)设计并制备需要键合的硅结构片的键合面膜层结构；2)必要的界面处理；3)进行键合面间的键合对准；4)实施键合。本发明还提供了两种键合强度的检测方法，分别为压臂法和张开型测试法。本发明的方法具有工艺简便、可操作性强、精度高、键合温度低以及成本低等优势，可广泛应用于半导体微器件中的键合或封装中，具有很高的实用价值。
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公开(公告)号：CN120012605A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510195184.X
申请日：2025-02-21
Applicant: 北京大学
IPC: G06F30/27 , G06F30/23 , G06F17/18 , G06N3/0985
Abstract: 本发明提供了一种向量拟合结合神经网络传递函数的MEMS建模方法，涉及微机电系统技术领域。本发明实施例基于向量拟合结合人工神经网络传递函数算法，可以预测出具有不同几何尺寸、材料特性的MEMS器件的性能曲线对应的拟合参数，进而得到具有不同几何尺寸、材料特性的MEMS器件的性能曲线，对MEMS器件的建模过程进行快速、准确的模拟和分析，并且可以指导MEMS设计师进行器件优化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120012521A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510195181.6
申请日：2025-02-21
Applicant: 北京大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/27 , G06F18/24 , G06F18/2135 , G06F111/08
Abstract: 本发明提供了一种利用机器学习的MEMS器件建模及良率预测方法，涉及微机电系统技术领域。本发明中，可以采用预设采样方法，基于目标偏差确定多个待预测样本，再基于机器学习算法和待预测样本，预测得到对应的性能参数，从而可以预测出具有不同几何尺寸、材料特性的器件的性能，进一步对性能参数进行分析，确定对应的器件良率预测结果，最终得到不同偏差分布的器件参数对应的器件良率结果。从而可以对MEMS器件的制造过程进行快速、准确的模拟和分析，并识别和优化可能导致低良率的因素，实现关键工艺窗口的量化分析，降低规模生产中的良率迭代次数；并且可以帮助设计师预测MEMS器件的制造缺陷和失效模式，并在设计阶段进行相应的改进。
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公开(公告)号：CN116037230B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202211633878.X
申请日：2022-12-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及人工电磁材料技术领域，尤其涉及一种基于微流控的可重构超表面及其控制方法。该基于微流控的可重构超表面沿预设方向依次设置有驱动层、构型层、弹性薄膜层及容纳薄膜形变层；驱动层内设置有驱动通道和填充通道；构型层内设置有谐振腔，谐振腔与驱动通道和填充通道均连通；容纳薄膜形变层内设置有形变腔，形变腔用于收容形变的所述弹性薄膜层。本发明中当驱动通道内的驱动液进入到谐振腔内，导致导电液在谐振腔中的比例降低，造成超表面单元结构的改变。同时，还因为弹性薄膜层可以产生形变，才能使超表面单元结构发生改变。本发明可以使微流控技术构建较为复杂的超表面构型。
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公开(公告)号：CN119542915A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411493258.X
申请日：2024-10-24
Applicant: 北京大学
IPC: H01S5/0687 , H01S5/00
Abstract: 本发明公开了一种基于微腔稳频的微型窄线宽原子选频法拉第激光器，其特征在于，包括法拉第激光器、电光调制器、回音壁微腔模块、光电探测器、信号发生器和伺服环路反馈系统；所述法拉第激光器输出的激光经分束器分为两束，一束经电光调制器调制后输入到回音壁微腔模块，另一束作为稳频后的激光输出；所述电光调制器用于接收信号发生器的射频驱动信号对输入的激光进行调制；所述回音壁微腔模块将输入的激光频率稳定到回音壁微腔上；所述光电探测器用于将回音壁微腔模块输出的光信号转换为电信号输入到伺服环路反馈系统；所述伺服环路反馈系统根据输入信号对法拉第激光器进行控制。本发明提供了窄线宽、高稳定度、低成本、小型化的激光光源。
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公开(公告)号：CN119028907A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411100922.X
申请日：2024-08-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 本申请提供一种纳米级硅通孔三维集成结构及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，提供衬底，在衬底的一侧形成第一键合层，并在其背离衬底的一侧形成第一硅基晶圆，对第一硅基晶圆进行刻蚀处理，形成多个贯穿第一硅基晶圆的第一硅通孔，并填充第一金属；在第一硅基晶圆背离衬底的一侧形成第二键合层，并在其背离第一硅基晶圆的一侧形成第二硅基晶圆，并对其进行刻蚀处理，形成多个贯通第二硅基晶圆的第二硅通孔，并填充第二金属得到纳米级硅通孔三维集成结构。通过上述方法可以实现纳米级硅通孔三维集成结构的制备，还为实现高密度、小型化、多功能集成提供了可能，满足了现代电子产品不断增长的需求。
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公开(公告)号：CN116116221B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202310082612.9
申请日：2023-01-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明实施例提供了一种多层通孔阵列滤膜、制备方法及应用，涉及先进制造与生物医学工程领域。所述多层微孔滤膜包含一体制备的具有不同孔径的多层聚合物膜，自上而下孔径递减的多层通孔阵列贯穿连通，流体自大孔层流入，小孔层流出。多层通孔阵列滤膜具有三维特点，可以首先利用小孔层实现样本中目标细胞和背景细胞的高效率富集与去除，再利用大孔实现对目标单细胞固定和限位，为后续开展单细胞操控和分析奠定基础。
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