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公开(公告)号：CN101303366A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200710040541.7
申请日：2007-05-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/135
Abstract: 本发明涉及硅基带锁止功能的阈值可调加速度开关传感器及制作方法，其特征在于所述的加速度开关传感器是由绝缘衬底上的锚区和硅框架、单端固支在锚区的低阻硅悬臂梁、绝缘衬底上的金属静电驱动导电定极板、悬臂梁下表面上的绝缘介质层、介质层上金属接触电极、固定金属接触电极以及信号驱动/检测回路组成。提供的传感器驱动电压与阀值加速度间存在一定关系且具有锁止功能。同时利用金属桥路通断检测传感器工作状态的信号输出方式，使利用MEMS制作的加速度开关传感器具有结构简单、体积小、功耗低、导通电阻小、接口电路方便、输入、输出隔离性好等特点。
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公开(公告)号：CN100405543C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200610029276.8
申请日：2006-07-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/822 , H01L21/00
Abstract: 本发明涉及一种与CMOS工艺兼容的嵌入悬浮螺管结构电感或互感的制作方法，其特征在于首先在硅片的表面电镀出电感或互感的上导线，再利用各向异性腐蚀形成“V”字形或倒梯形的沟槽，在沟槽里面制作电感或互感的下导线，并使下导线与上导线在硅片表面处交叠，形成良好的电连接，最后采用XeF2气体各向同性干法腐蚀释放出整个线圈结构。电感或互感的线圈由两边的二氧化硅层支撑。本发明采用常温工艺在普通硅片上实现一种高Q值(品质因数)的螺管形电感或高增益的互感，工艺步骤简明、成品率高，整个器件工艺与CMOS工艺相兼容。且器件悬浮的嵌入于硅片内部，有利于封装和后序工艺加工。
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公开(公告)号：CN100397041C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200410068145.1
申请日：2004-11-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微梁直拉直压结构的压阻微机械陀螺及制作方法，其特征在于将加速度计作为陀螺的科里奥利加速度检测部分，把两个加速度计放在扭转驱动结构两侧，形成类似音叉原理的微机械陀螺；使用压阻四端器件，检测、控制陀螺的驱动幅度，实现陀螺灵敏度的温度自我补偿。其制备工艺是将体硅工艺和表面硅工艺相结合，用深反应离子刻蚀工艺完成主梁、微梁、扭转梁和质量块制作，最后将陀螺和盖板对准粘在一起完成制作。本发明提供的陀螺利用扩散在扭转梁上的四端器件实现压阻系数温度自我补偿，扦测时微梁没有弯曲，只有Z方向直拉直压。
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公开(公告)号：CN100382991C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200410035193.0
申请日：2004-04-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用一只加速度传感器实现车辆加速或减速/刹车方法及装置。特征在于在车辆上只放置一只加速度传感器，利用传感器对车辆行驶中速度改变的敏感特性，将车辆向前的加速度或刹车/减速信号经简便电路处理后，分别对车辆向前加速度显示及对刹车/减速时产生向后加速度的程度产生分级显示，与车辆原刹车信号间形成逻辑“或”的关系。装置中包括安装一只2g量程加速度传感器及信号处理电路，分别驱动放在车内前部的向前加速度显示器和方在车后部的分级刹车/减速显示器。可就本车减速程度对后面车辆进行分级警示，提醒后车驾驶员根据前车告示的减速程度对己车采取合适程度的刹车，避免追尾等事故发生。
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公开(公告)号：CN101154505A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710045457.4
申请日：2007-08-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种旋转式悬浮微机械可变电容及制作方法，其特征在于旋转式可变电容结构能够抵抗环境冲击或加速度的影响，可变电容的驱动电极沿着中心轴旋转方向运动，旋转角度为0－10度，可变电容的可动电极通过周围的连接梁支撑，在器件的周围和中心处有连接支撑梁的固定端，下图中实心为固定电极，空心为可动电极，驱动部分和敏感电容部分均采用梳齿或夹板结构，本发明给出的旋转式结构适合于各种CMOS(互补金属氧化物半导体)、微机械类型加工。且制作的微机械可变电容抗环境振动和环境加速度的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101059380A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710037606.2
申请日：2007-02-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种柔性电容式触觉传感器的制作方法，其特征在于所述柔性电容式触觉传感器的制作包括PDMS的中间层准备，柔性PI衬底的制备，金属敏感电极及其电连接的图形化，第一高弹性介电层PDMS和第二柔性介电层PI的形成，金属驱动电极及其电连接的图形化，最上层柔性绝缘保护层PI的图形化和柔性电容式触觉传感器的分离。本发明通过工艺的优化整合，实现了有机柔性材料PDMS及PI与传统MEMS工艺之间的兼容性。所制作的电容式触觉传感器结构轻薄，机械强度高，可挠性好，可贴附在任意曲率表面同时感受法向力和切向力的大小，同样适合由众多这种柔性电容式触觉传感器单元组成阵列的制造。
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公开(公告)号：CN1279362C
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN02151296.5
申请日：2002-12-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/12
Abstract: 本发明涉及一种硅微加速度传感器及制作方法，更确切地说涉及一种单片集成直拉直压微梁结构压阻加速度传感器及制作方法。其特征在于：二个直拉直压微梁对称地位于弯曲主悬臂梁的两边，使得微梁只有X方向的直拉直压变形，微梁的自由端与质量块相连；硼扩散的微梁本身作为压阻敏感电阻；硅框架、悬臂梁、可动质量块、微梁以及过保护机构构成的传感器为单片硅形成的整体式结构；悬臂梁、微梁和过载保护结构的制作是同时完成；其中直拉微梁在SOI材料的上层硅上制作，弯曲悬臂梁的质量块等在下层硅衬底上制作，并有中间的氧化层形成电阻与结构间的电绝缘。本发明适合各种量程(1～1.6×105g)，具有高灵度、高带宽的特点。
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公开(公告)号：CN1821787A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200510111362.9
申请日：2005-12-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种三维集成的高量程加速度传感器。其特征在于所述的三维加速度传感器是由三个相互独立的加速度传感元件集成一体构成的；X、Y轴方向的加速度传感元件的结构相同，其敏感方向在硅平面方向，两个相同结构的传感元件相互垂直排布；Z轴方向的加速度传感元件为另一种结构，其敏感方向为硅片的垂直方向，平行排布于X、Y轴方向的加速度传感元件的一侧；是采用MEMS常规工艺制作，且考虑了两种不同传感元件的工艺兼容问题，使制作的传感器三个方向的敏感元件没有窜扰现象，且可依要求设计出1－10万g的不同量程的三维高冲击加速度传感器。
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公开(公告)号：CN1792765A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510112436.0
申请日：2005-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在SOI硅片上纳米宽度谐振结构及制作方法，其特征在于巧妙利用了(110)晶向硅片的各向异性湿法腐蚀特性，通过精确控制光刻掩模图形与(112)晶向间夹角，利用各向异性湿法腐蚀会自动校准晶向、同时结合腐蚀液对(111)晶面的低速腐蚀减小宽度，在(110)绝缘体上硅的硅片上制作出宽度小于光刻最小线宽、侧壁为(111)晶面的纳米梁结构，通过浓硼自终止技术很好地控制锚点和驱动电极的形貌。利用本发明可以制成宽度小于100纳米的纳米梁，在纳米梁两侧制作驱动/敏感电极，从而实现纳米谐振结构。由于各向异性湿法腐蚀对硅(111)晶面的腐蚀速率慢，可以通过控制腐蚀时间实现对纳米梁宽度的较精确控制。
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公开(公告)号：CN1610087A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN200410067931.X
申请日：2004-11-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微机械芯片测试探卡及制造方法，它是采用微机械的方法在硅片上实现探卡的制造，所述的探卡是由按照芯片管脚分布而排布的悬臂梁阵列实现的，针尖在悬臂梁的末端，并且保证每个针尖的位置与相应的芯片管脚的位置一致。悬臂梁一端是探针，另一端键合在玻璃上。玻璃同时用作背面引线，引线将探针上的信号传输到测试电路。在一片硅片上通过改变探针的分布可以实现适用于不同芯片的探卡，从而降低了探卡的成本。释放梁结构与针尖的形成同时完成，梁的台阶结构在蒸金属时起了自动隔断作用。
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