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公开(公告)号：CN204529301U
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201520177296.4
申请日：2015-03-26
Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 , 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本实用新型提供一种光学微纳谐振腔结构，所述光学微纳谐振腔结构包括两个对工作电磁波具有全反射功能的单排粒子链，所述单排粒子链由多个间隔排列的粒子组成，所述两个单排粒子链之间的间隔距离使得所述光学微纳谐振腔结构的共振波长为工作电磁波的波长。本实用新型利用了单排粒子链对于特定偏振光的全反射特性，通过优化单排粒子链的结构以及两个单排粒子链之间的距离，获得了一种新型的高品质因子光学微纳谐振腔。本实用新型利用两个单排粒子链的全反射所设计的谐振腔，具有低损耗、高品质因子和小尺寸的特点，在集成光学领域具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN204302527U
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201420838949.4
申请日：2014-12-25
Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 , 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本实用新型提供一种基于BCB键合工艺的耦合器结构，该结构包括：硅衬底及形成于其上的埋氧层；形成于所述埋氧层上的硅波导及与所述硅波导一端连接的第一锥形耦合结构；形成于所述埋氧层表面并覆盖所述硅波导及所述第一锥形耦合结构的BCB覆层；及形成于所述BCB覆层表面的III-V族光增益结构及与所述III-V族光增益结构一端连接的第二锥形耦合结构；所述第一、第二锥形耦合结构反向设置，且在水平面上的投影部分重合。本实用新型实现了III-V族光增益结构和硅波导的混合集成，第一锥形耦合结构及第二锥形耦合结构反向设置形成模式转换区，极大缩短了耦合结构的长度，且耦合效率高；BCB覆层厚度改变时，变化幅度小，耦合效率更加稳定。
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公开(公告)号：CN204188832U
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201420683913.3
申请日：2014-11-14
Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 , 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本实用新型提供一种偏振分束器，所述偏振分束器至少包括：形成在SOI材料的顶层硅上的波导，所述波导至少包括第一级Y分支波导、第二级Y分支波导、第三级Y分支波导，以及模式转化器；所述第二级Y分支波导包括第三分支波导和第四分支波导；其中，所述模式转化器连接第一级Y分支波导的根波导和第二级Y分支波导的根波导；所述第四分支波导连接所述第三级Y分支波导的根波导；所述第一级Y分支波导的根波导的宽度S1的取值范围为S1>1μm。本实用新型提供的偏振分束器具有几百纳米的工作带宽和较为简单的加工工艺。
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公开(公告)号：CN203545671U
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201320724746.8
申请日：2013-11-15
Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 , 中科院南通光电工程中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81B3/00
Abstract: 本实用新型提供一种液压微位移驱动器及微位移装置，至少包括：设有内腔（18）的缸筒（13）；密封所述缸筒（13）两端的上端盖（12）以及下端盖（15）；位于所述上端盖上表面的球形凸台（11）；所述球形凸台的中心线与所述缸筒的中心线重合；设置于所述下端盖（15）内与所述内腔连通的进油通道（14）以及与所述进油通道（14）导通的进油嘴（17）。本实用新型提出的液压微位移驱动器采用向密封的缸筒内充进一定压力的液体使得圆柱形管状缸筒产生相应的轴向伸长来实现微位移驱动，具有驱动行程较大、驱动平稳、抗干扰能力强以及皮实耐用等特点，克服了压电晶体驱动行程小、稳定性较差缺陷。
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公开(公告)号：CN215266304U
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202120710744.8
申请日：2021-04-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/144 , H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本实用新型提供一种基于偏振分束器与光电探测器的8通道结构，本实用新型将光电探测器与偏振分束器进行有效的结合形成8通道结构，降低了系统的偏振灵敏度，同时保持较低的损耗。8通道的设计，有效地提高了系统的带宽，满足大量数据传输的需求。本实用新型还对光电探测器的结构做出改进，将光电探测器的光敏层设计为圆台形，圆台形的光敏层均衡了电流传输与电流扩展这两方面的影响因素，保证光生载流子在极短的时间内扩散以使电路迅速导通。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN213303070U
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202022658963.4
申请日：2020-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本实用新型涉及一种基于非厄米耦合原理的光电子条码系统，所述条码识别装置包括衬底，所述衬底上固设有一层绝缘层，所述绝缘层上设置有若干根相互平行且形状尺寸相同的硅导线，且相邻的硅导线之间距离相等，每根硅导线两端均引出导线与电位测量计相连，所述电位测量计与处理器相连；所述衬底中部设置有用于供激光器发出激光通过的通孔；所述激光器发出的激光照射在条码上后反射到硅导线上时，硅导线与衬底之间发生近场耦效应，并使得硅导线与衬底形成的谐振器产生振幅完全抑制，所述处理器根据硅导线中电位值为最小值的两根硅导线的位置信息计算出激光反射点的所在的位置。本实用新型能够为微纳米器件提供条码标识。
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公开(公告)号：CN213301121U
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202022658935.2
申请日：2020-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01B11/24
Abstract: 本实用新型涉及一种微小空间三维形貌测量装置，包括光源组件和至少两组探测组件，所述探测组件包括衬底，所述衬底上固设有一层绝缘层，所述绝缘层上设置有若干根相互平行且形状尺寸相同的硅导线，且相邻的硅导线之间距离相等，每根硅导线两端均引出导线与电位测量计相连，所述电位测量计与处理器相连；所述光源组件通过激光对被测样品表面进行逐行扫描，被测样品反射的激光照射到所述探测组件上时，硅导线与衬底之间发生近场耦效应，并使得硅导线与衬底形成的谐振器产生振幅完全抑制，所述处理器根据与硅导线相连的电位测量计输出的连续信号计算出被测样品表面反光点的位置信息。本实用新型具有体积小、精度高、非接触等优点。
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公开(公告)号：CN213301112U
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202022656108.X
申请日：2020-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本实用新型涉及一种带有非厄米耦合角度检测纠正装置的微位移机构，其中刚性底板的上表面固定有衬底，所述衬底上固设有一层绝缘层，所述绝缘层上设置有两组完全相同的硅导线组，所述硅导线组包括若干根相互平行且形状尺寸相同的硅导线，且相邻的硅导线之间距离相等；所述硅导线垂直于所述刚性底板的前后面；所述刚性上板的下表面设置有散射光源；所述散射光源发出的激光照射硅导线组上时，所述硅导线与衬底之间发生近场耦效应，并使得硅导线组中的一根硅导线完全抑制。本实用新型能够同步检测与纠正平行四边形柔性铰链构机构刚性上板在F力作用下沿x轴方向产生的位移误差以及刚性上板绕y轴的寄生转角误差。
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公开(公告)号：CN209434220U
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201920243715.8
申请日：2019-02-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本实用新型提供一种单光子源器件及量子存储器，单光子源器件包括：量子点发光层，量子点发光层包括阻挡层及位于阻挡层中的量子点层；压电陶瓷基底，通过压电陶瓷基底以调节量子点发光层的发光光谱中心波长；键合层，键合层位于量子点发光层与压电陶瓷基底之间，通过键合层连接量子点发光层及压电陶瓷基底。本实用新型通过压电陶瓷基底，使得单光子源器件具有较大的波长调节范围、波长可进行双向调节、可满足紧凑型的片上集成化趋势及测试装置简单的优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206849844U
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201720132169.1
申请日：2017-02-14
Applicant: 上海新微科技服务有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中科院南通光电工程中心
IPC: H01L27/146 , H01L31/18
Abstract: 本实用新型提供一种硅基Ge光探测器阵列及其制作方法，所述制作方法包括：1）于硅衬底中形成N++型掺杂层；2）于N++型掺杂层表面形成本征Ge层；3）于本征Ge层表面形成P+型掺杂区阵列；4）于各P+型掺杂区之间形成N+型掺杂区；5）于各P+型掺杂区及各N+型掺杂区表面形成上金属电极；6）于各P+型掺杂区之间刻蚀出深槽，形成隔离结构。实用新型通过在相邻硅基Ge光探测器之间形成深槽，切断相邻所述硅基Ge光探测器之间光电流的串扰路径，从而减小或消除相邻所述硅基Ge光探测器之间光电流的串扰，使得位于所述硅基Ge光探测器阵列结构边缘的硅基Ge光探测器的光电流可以和位于硅基光Ge探测器阵列结构中心的硅基Ge光探测器的光电流相接近。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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