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公开(公告)号：CN111952188B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202010850667.6
申请日：2020-08-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种具有隔离层的场效应晶体管及其制备方法，包括依次堆叠的底衬底、绝缘层及顶半导体层的半导体基底，顶半导体层中包覆具有间距的隔离层；栅极结构在垂向上的投影覆盖间距并与隔离层形成交叠区域，源极区及漏极区在垂向上的投影完全位于隔离层内。通过隔离层可将源、漏电极与位于隔离层下方的顶半导体层的载流子传输通道隔离，将源、漏电极的漏电路径完全隔断，解决顶半导体层底部漏电问题，提升器件的抗总剂量辐照能力，且通过隔离层的间距保证了沟道处的散热速率，进一步的还可解决沟道侧边的漏电问题，制备工艺与现有CMOS工艺完全兼容，适用范围较广，可用于制备高可靠性的集成电路及分立器件。
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公开(公告)号：CN118198068A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410207652.6
申请日：2024-02-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明涉及一种互补型场效应晶体管(CFET)器件及其制备方法，其特点在于在同一器件沟道阵列中同时制备全包围栅结构n、p型晶体管，并通过对不同沟道区域设置不同材料、厚度的功函数层，分别调控CFET器件n、p型晶体管的阈值电压，且其制备工艺实现较为简单，可兼容常规CMOS工艺节点，具有良好的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN118198067A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410207242.1
申请日：2024-02-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明涉及一种多阈值纳米片全包围栅场效应晶体管(GAAFET)器件阵列及其制备方法，其特点在于设置沟道区，跨设于所述空腔之上，包括第一沟道和第二沟道，所述第一沟道和第二沟道的厚度不同，得到不同厚度的纳米片。此外，对第一沟道和第二沟道设置不同厚度的功函数层，进一步控制不同沟道区域器件的阈值电压。本发明通过调控纳米片的不同厚度与沟道间距以及金属栅电极厚度以精确控制并实现GAAFET的多阈值，且其制备工艺实现较为简单，可兼容常规CMOS工艺节点，具有良好的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN117276310A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202310450638.4
申请日：2023-04-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/267 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种大面积二维材料及其制备方法，制备方法包括：提供一单晶基底；于单晶基底上形成单晶热导层，单晶热导层的热导率至少大于蓝宝石基底的热导率；于单晶热导层上形成二维材料层。本发明以高热导率的AlN等材料作为二维材料晶体管衬底材料，可以将二维材料晶体管工作产生的焦耳热高效的传导出去，减弱器件工作时的升温，有利于维持二维材料沟道的高迁移率，获得较高的开态电流，降低门延迟，提升二维集成电路的工作速度。
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公开(公告)号：CN117081537A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311115602.7
申请日：2023-08-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种体声波谐振器及其制备方法，制备方法包括：于临时衬底设置单晶氮化铝或掺杂氮化铝为压电薄膜；依次设置第一电极层、布拉格反射结构、键合层，键合至键合衬底上；去除临时衬底，设置第二电极层和电引出结构。本发明通过单晶氮化铝的压电薄膜材料选择，提高器件性能；同时设置布拉格反射结构在键合层上，使键合层对谐振器性能影响小，可选用多种键合材料和键合工艺，提高制备过程的可实现性；另外对压电薄膜的减薄，去除质量较差的压电薄膜提高器件性能；最后配合布拉格反射结构和键合工艺制造固态装配型的体声波谐振器，可提高谐振器机械强度，改善衬底的导热性能，减小体声波谐振器因温度造成的谐振频率漂移，实现更高功率密度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117081534A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311115606.5
申请日：2023-08-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种体声波滤波器封装结构及其制备方法，体声波滤波器封装结构中依次设置第一衬底、第一介质层、滤波器、键合层、射频电路层、第二衬底，键合层设置有贯通槽被滤波器、键合层、射频电路层包围形成一空腔；互连结构贯穿键合层连接滤波器和射频电路层，第二介质层包裹射频电路层，导线引出结构贯穿第二衬底将射频电路层电连接引出至第二衬底表面。本发明通过滤波器与射频电路层分别模块化制备后进行键合的垂直堆叠的集成方法，减小了结构封装面积同时降低了制造成本、提高了制备效率。
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公开(公告)号：CN116801701A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310768937.2
申请日：2023-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种磁性存储器件的制造方法，通过在第一绝缘层上表面形成第二绝缘层，在第二绝缘层远离第一绝缘层的表面开设第一开孔，在第一开孔内自下而上形成自由层、氧化层及固定层，形成的自由层、氧化层及固定层均为单层膜结构，且自由层的材料同时具有Rashba效应和铁磁性。自由层的材料通过使用同时具有Rashba效应和铁磁性的材料，可以在制备的磁性存储器件只形成自由层、氧化层及固定层三层结构的条件下，依然具有较高的磁矩翻转效率，打破了传统自由层厚度与磁矩翻转效率成负相关的限制，使得自由层不再受限于为了更易翻转而制备成的超薄厚度，降低了磁性存储器件的能耗；同时简化了磁性存储器件的制造工艺。
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公开(公告)号：CN116454018A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310432678.6
申请日：2023-04-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种SOI衬底、SOI衬底的制备方法及SOI器件，该SOI衬底包括：支撑衬底、中间埋氧层、中间导电层、顶层功能介质层及顶层半导体层，其中，中间埋氧层位于支撑衬底上方且包括至少一个自中间埋氧层顶面的开口的凹槽；中间导电层填充凹槽；顶层功能介质层位于中间导电层及中间埋氧层的上方；顶层半导体层覆盖顶层功能介质层上表面。本发明通过设置中间导电层以及隔离所述中间导电层以及顶层半导体层的顶层功能介质层，利用SOI衬底形成SOI器件时，中间导电层可作为器件的背栅，减小器件的寄生电容及漏电流，增强器件热量通过中间导电层向支持衬底扩散的能力。
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公开(公告)号：CN116435307A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310428553.6
申请日：2023-04-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明提供一种互补型场效应晶体管的制备方法，利用具有内嵌空腔的绝缘体上半导体衬底，所述空腔介于第一绝缘层与顶半导体层之间且设置于第二绝缘层中，通过形成假栅结构，以假栅结构作为掩膜进行源区及漏区的自对准注入，可有效提高工艺稳定性以及注入精度，降低了制备环栅晶体管的工艺复杂度，并且可有效降低器件的制造成本。本发明制备出三维堆叠的互补型场效应晶体管，有利于器件集成度的提高，不仅可运用于先进工艺节点器件，也可用于对成熟工艺节点进行性能升级，与常规CMOS工艺的良好兼容，进一步释放了互补型场效应晶体管的应用潜力。
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公开(公告)号：CN115094516B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202210731188.1
申请日：2022-06-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种低应力氮化铝压电薄膜的生长方法，所述生长方法至少包括：1)提供硅衬底，图形化刻蚀所述硅衬底；2)进行第一次热处理，所述刻蚀形成的刻蚀孔的上表面逐渐闭合，在所述硅衬底中形成分立的空腔结构；3)进行第二次热处理，分立的所述空腔结构逐渐合并；4)在所述硅衬底表面外延生长第一氮化铝薄膜；5)在所述第一氮化铝薄膜表面外延生长第二氮化铝薄膜。本发明利用表面图形化刻蚀和两次热处理工艺在硅衬底中形成大尺寸空腔结构，空腔结构对氮化铝或者铝钪氮薄膜外延过程中因为晶格失配或者热失配产生的应力进行有效释放，形成高晶体质量、低应力的氮化铝或者铝钪氮薄膜。
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