-
公开(公告)号：CN102956636B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201210343012.5
申请日：2012-09-14
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/06 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7394 , H01L27/0623 , H01L27/1203 , H01L29/0638 , H01L29/404
Abstract: 一种大电流N型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧层，在埋氧层上设有N型外延层，在N型外延层内部设有N型缓冲阱区、P型体区和N型中心缓冲阱区，在N型缓冲阱区内设有P型漏区，在P型体区中设有N型源区和P型体接触区，在N型中心缓冲阱区内设有N型基区和P型发射区，在N型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅，晶体管表面一定范围内还设有钝化层和金属层，其特征在于，晶体管为对称型结构，P型漏区上的漏极金属分别与对应的N型基区上的基极金属通过金属层连通，并从P型发射区输出，这种结构可以在不增加晶体管面积的基础上有效提高电流密度。
-
公开(公告)号：CN102760756B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201210227688.8
申请日：2012-06-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种带浮空场板的超结金属氧化物场效应管终端结构，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底、过渡区I及终端区II，在N型重掺杂硅衬底的上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层内设有过渡区I及终端区II，在过渡区I及终端区II内超结结构，在过渡区I内设有P型掺杂半导体区，在P型掺杂半导体区的上方设有过渡区多晶硅层，过渡区多晶硅层电连接有第一金属场板，在终端区II的各个N型掺杂硅柱状区域的上方分别设有终端区多晶硅层，各个终端区多晶硅层分别向过渡区I延伸并分别止于相邻的P型掺杂柱状半导体区的上方，在各个终端区多晶硅层上电连接有第二金属场板，第二金属场板向终端区II的外边界延伸并止于下一块终端区多晶硅层的上方。
-
公开(公告)号：CN102832232B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201210289462.0
申请日：2012-08-14
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种高维持电压的可控硅横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型外延层，在N型外延层的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有P型阳区和N型体接触区，在P型体区中设有N型阴区和P型体接触区，在N型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在N型阴区和P型体接触区表面设有浅P型阱区，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅，其特征在于，在P型阳区和N型体接触区正下方设有深N型阱区，在浅P型阱区正下方设有深P型阱区，这两个区域均能有效地抑制载流子双注入效应，使得在漂移区中自由载流子中和的数目减少，从而提高了器件维持电压，降低了泄放静电过程中闩锁发生的风险。
-
公开(公告)号：CN102769453B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201210224751.2
申请日：2012-06-30
Applicant: 东南大学
IPC: H03K19/003
Abstract: 本发明提供了一种可抗噪声干扰的高压侧栅驱动电路，包括高压电平移位电路、差模噪声消除电路、RS触发器、输出驱动级电路，高压电平移位电路将低侧的脉冲信号转换为高压脉冲信号输出，在高压电平移位电路的输出与差模噪声消除电路的输入之间连接有共模噪声消除电路，共模噪声消除电路用来消除应用中产生的共模噪声信号，差模噪声消除电路消除由于工艺偏差引入的差模噪声，输出正常的脉冲信号，经过RS触发器还原为正常的方波信号后进入输出驱动级电路后输出方波信号，驱动外部高侧功率管。
-
公开(公告)号：CN102769038B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201210223901.8
申请日：2012-06-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种抗闩锁N型绝缘体上硅横向双扩散场效应晶体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型外延层，在N型外延层的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有N型漏区，在P型体区中设有N型源区和P型体接触区，在N型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在N型源区和P型体接触区表面设有浅P型阱区，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅，在场氧化层、P型体接触区、N型源区、多晶硅栅和N型漏区的表面设有钝化层，其特征在于，在浅P型阱区正下方还设有与其共用一块光刻板但采用高能量离子注入形成的深P型阱区，该区域有效地减小了体区的导通电阻，提高器件的电流能力的同时，降低了工作过程中发生闩锁的风险。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102608511B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201210059502.2
申请日：2012-03-08
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种金属氧化物半导体管的结温和热阻测量方法，将放置有待测器件的绝缘基板放置在温度控制箱内，并将温度控制箱调至25℃，给待测器件漏源两端施加直流电压，在栅极上施加栅极直流工作电压，测量栅极上的电压为直流工作电压时待测器件漏源两端的电流，撤去栅极上的直流工作电压，再在栅极上施加方波脉冲电压，逐渐增加温度控制箱内部的温度，最高温度不超过测试器件结温，不断地测量待测器件漏源两端的漏电流，当测得的待测器件漏源两端的漏电流与待测器件漏源两端的电流相等时，以此时的温度控制箱内部温度作为等效结温，计算待测器件的热阻值。
-
公开(公告)号：CN104065890A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410274502.3
申请日：2014-06-18
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种高速BDI型像素单元电路，包括依次连接的输入放大器、探测器偏压复位电路、注入管、积分/复位控制电路、采样保持电路和传输电路，输入放大器采用以电流镜为负载的差分放大器，探测器偏压复位电路在复位状态下使探测器偏压很快速的复位到稳定状态，注入管构成负反馈形式，积分/复位控制电路在积分状态下，对红外探测器的输出信号进行积分，复位状态下，复位积分电容。采样保持电路用于采集积分电压并保持，传输电路用于接收采样保持电路的输出。
-
公开(公告)号：CN104062017A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410313283.5
申请日：2014-07-02
Applicant: 东南大学
IPC: G01J5/10
Abstract: 一种高集成度多功能像素单元及其偏置电路，像素单元包括红外探测器、注入管M1、多功能管M2、复位管M3、行选管M4和积分电容C1，注入管M1的栅极由偏置电路产生的积分控制信号INT控制，多功能管M2的栅极由偏置电路产生的控制信号VCON控制，通过对多功能管M2及其偏置电压的优化设计，实现了在不同的偏置条件下，通过对M2的复用能够分别实现测试电流的注入功能和抗饱和的功能，从而降低了像素单元的面积和整个芯片的面积和成本，在像素单元有限面积内，能够保证注入管M1以及探测器工作在较为理想的状态。
-
公开(公告)号：CN104022646A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410274367.2
申请日：2014-06-18
Applicant: 东南大学
IPC: H02M3/156
Abstract: 一种Cuk型开关电源的控制系统，在单周期控制电路的基础上，增设III补偿网络和反馈电路。反馈电路对输出电压Vo进行分压，产生反馈信号VFB。III补偿网络包括误差放大器EA、电阻R1、R2、R3和电容C11、C22、C33，误差放大器EA的同相端连接反馈信号VFB，误差放大器EA的反相端通过电阻R1连接基准电压VREF，电阻R3与电容C33串联后跨接在电阻R1的两端，电阻R2与电容C22串联后与电容C11并联，并联后的两端跨接在误差放大器EAd的输出端和反相端之间。将误差放大器EA的输出与单周期控制电路中积分电路的输出进行比较，比较结果产生的占空比控制Cuk型开关电源中功率管的通断。
-
公开(公告)号：CN104022111A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410269632.8
申请日：2014-06-17
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种具有双向防护能力的静电放电保护结构，包括P型衬底，N型阱区、第一P型重掺杂区、第二P型重掺杂区，第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区、第三N型重掺杂区和第四N型重掺杂区，第一场氧化层、第二场氧化层、第三场氧化层、第四场氧化层和栅氧化层，栅多晶硅层，第一金属层，第二金属层，第三金属层，第四金属层，第五金属层，金属层二。本发明结构在正负方向上都具有耐压能力，保证了该结构不会影响内部电路的正常工作，且遇到静电放电脉冲时能够提供正负两个方向的静电放电电流泄放路径，达到静电放电保护的目的，可以用于需要双向静电放电保护的集成电路。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
832
records
(took 0.051 seconds)
