公开(公告)号：CN102608511A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201210059502.2

申请日：2012-03-08

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  刘斯扬 ,  张頔 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: G01R31/26 ,  G01N25/18

Abstract: 一种金属氧化物半导体管的结温和热阻测量方法，将放置有待测器件的绝缘基板放置在温度控制箱内，并将温度控制箱调至25℃，给待测器件漏源两端施加直流电压，在栅极上施加栅极直流工作电压，测量栅极上的电压为直流工作电压时待测器件漏源两端的电流，撤去栅极上的直流工作电压，再在栅极上施加方波脉冲电压，逐渐增加温度控制箱内部的温度，最高温度不超过测试器件结温，不断地测量待测器件漏源两端的漏电流，当测得的待测器件漏源两端的漏电流与待测器件漏源两端的电流相等时，以此时的温度控制箱内部温度作为等效结温，计算待测器件的热阻值。

公开(公告)号：CN102608511B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201210059502.2

申请日：2012-03-08

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  刘斯扬 ,  张頔 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: G01R31/26 ,  G01N25/20

Abstract: 一种金属氧化物半导体管的结温和热阻测量方法，将放置有待测器件的绝缘基板放置在温度控制箱内，并将温度控制箱调至25℃，给待测器件漏源两端施加直流电压，在栅极上施加栅极直流工作电压，测量栅极上的电压为直流工作电压时待测器件漏源两端的电流，撤去栅极上的直流工作电压，再在栅极上施加方波脉冲电压，逐渐增加温度控制箱内部的温度，最高温度不超过测试器件结温，不断地测量待测器件漏源两端的漏电流，当测得的待测器件漏源两端的漏电流与待测器件漏源两端的电流相等时，以此时的温度控制箱内部温度作为等效结温，计算待测器件的热阻值。