-
公开(公告)号：CN103175614B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201310089181.5
申请日：2013-03-20
Applicant: 东南大学
IPC: G01J5/02
Abstract: 一种顺序积分型双色红外焦平面读出电路，包括红外探测器、像素单元电路、中、短波列读出级电路和中、短波输出缓冲器，像素单元电路包含中、短波两路积分电路及积分电容可选电路的M*N双色像素单元阵列，双色像素单元阵列的输入端设有积分信号产生电路，积分信号产生电路的输入信号为积分控制信号INT和复位信号RST，输出信号为中波积分控制信号INT1和短波积分控制信号INT2均输入至双色像素单元阵列，双色像素单元阵列的输出分别连接到中、短波列读出级电路，中、短波列读出级电路的输出信号分别连接中、短波输出缓冲器的输入端，中、短波输出缓冲器分别输出系统串行输出中、短波信号Vout1、Vout2作为系统的中、短波探测信息显示。
-
公开(公告)号：CN104062017B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410313283.5
申请日：2014-07-02
Applicant: 东南大学
IPC: G01J5/10
Abstract: 一种高集成度多功能像素单元及其偏置电路，像素单元包括红外探测器、注入管M1、多功能管M2、复位管M3、行选管M4和积分电容C1，注入管M1的栅极由偏置电路产生的积分控制信号INT控制，多功能管M2的栅极由偏置电路产生的控制信号VCON控制，通过对多功能管M2及其偏置电压的优化设计，实现了在不同的偏置条件下，通过对M2的复用能够分别实现测试电流的注入功能和抗饱和的功能，从而降低了像素单元的面积和整个芯片的面积和成本，在像素单元有限面积内，能够保证注入管M1以及探测器工作在较为理想的状态。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103175614A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310089181.5
申请日：2013-03-20
Applicant: 东南大学
IPC: G01J5/02
Abstract: 一种顺序积分型双色红外焦平面读出电路，包括红外探测器、像素单元电路、中、短波列读出级电路和中、短波输出缓冲器，像素单元电路包含中、短波两路积分电路及积分电容可选电路的M*N双色像素单元阵列，双色像素单元阵列的输入端设有积分信号产生电路，积分信号产生电路的输入信号为积分控制信号INT和复位信号RST，输出信号为中波积分控制信号INT1和短波积分控制信号INT2均输入至双色像素单元阵列，双色像素单元阵列的输出分别连接到中、短波列读出级电路，中、短波列读出级电路的输出信号分别连接中、短波输出缓冲器的输入端，中、短波输出缓冲器分别输出系统串行输出中、短波信号Vout1、Vout2作为系统的中、短波探测信息显示。
-
公开(公告)号：CN103050940B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201210545358.3
申请日：2012-12-14
Applicant: 东南大学
IPC: H02H5/04
Abstract: 一种基于亚阈值MOS管的过温保护电路，设有温度检测电路、电压比较器及输出整形电路，温度检测电路输出连接到电压比较器，电压比较器输出连接到输出整形电路，输出整形电路反馈输出连接到温度检测电路，输出整形电路产生控制后续电路的输出电压。温度检测电路由亚阈值区的MOS镜像电流源和电阻网络组成，电压比较器采用推挽式两级电压比较器。电路中不使用三极管，提高了温度保护电路的精度，并且适用于普通CMOS工艺。
-
公开(公告)号：CN104065890A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410274502.3
申请日：2014-06-18
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种高速BDI型像素单元电路，包括依次连接的输入放大器、探测器偏压复位电路、注入管、积分/复位控制电路、采样保持电路和传输电路，输入放大器采用以电流镜为负载的差分放大器，探测器偏压复位电路在复位状态下使探测器偏压很快速的复位到稳定状态，注入管构成负反馈形式，积分/复位控制电路在积分状态下，对红外探测器的输出信号进行积分，复位状态下，复位积分电容。采样保持电路用于采集积分电压并保持，传输电路用于接收采样保持电路的输出。
-
公开(公告)号：CN104062017A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410313283.5
申请日：2014-07-02
Applicant: 东南大学
IPC: G01J5/10
Abstract: 一种高集成度多功能像素单元及其偏置电路，像素单元包括红外探测器、注入管M1、多功能管M2、复位管M3、行选管M4和积分电容C1，注入管M1的栅极由偏置电路产生的积分控制信号INT控制，多功能管M2的栅极由偏置电路产生的控制信号VCON控制，通过对多功能管M2及其偏置电压的优化设计，实现了在不同的偏置条件下，通过对M2的复用能够分别实现测试电流的注入功能和抗饱和的功能，从而降低了像素单元的面积和整个芯片的面积和成本，在像素单元有限面积内，能够保证注入管M1以及探测器工作在较为理想的状态。
-
公开(公告)号：CN103050940A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210545358.3
申请日：2012-12-14
Applicant: 东南大学
IPC: H02H5/04
Abstract: 一种基于亚阈值MOS管的过温保护电路，设有温度检测电路、电压比较器及输出整形电路，温度检测电路输出连接到电压比较器，电压比较器输出连接到输出整形电路，输出整形电路反馈输出连接到温度检测电路，输出整形电路产生控制后续电路的输出电压。温度检测电路由亚阈值区的MOS镜像电流源和电阻网络组成，电压比较器采用推挽式两级电压比较器。电路中不使用三极管，提高了温度保护电路的精度，并且适用于普通CMOS工艺。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.015 seconds)
