公开(公告)号：CN102769038B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201210223901.8

申请日：2012-06-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  王昊 ,  叶楚楚 ,  钱钦松 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种抗闩锁N型绝缘体上硅横向双扩散场效应晶体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型外延层，在N型外延层的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有N型漏区，在P型体区中设有N型源区和P型体接触区，在N型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在N型源区和P型体接触区表面设有浅P型阱区，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅，在场氧化层、P型体接触区、N型源区、多晶硅栅和N型漏区的表面设有钝化层，其特征在于，在浅P型阱区正下方还设有与其共用一块光刻板但采用高能量离子注入形成的深P型阱区，该区域有效地减小了体区的导通电阻，提高器件的电流能力的同时，降低了工作过程中发生闩锁的风险。

公开(公告)号：CN102437192A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201110404027.3

申请日：2011-12-08

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  刘斯扬 ,  王昊 ,  叶楚楚 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种N型绝缘体上硅横向双扩散场效应晶体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型外延层，在N型外延层的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有N型阳区，在P型体区中设有N型阴区和P型体接触区，在N型外延层的表面一定范围内设有栅氧化层和场氧化层，栅氧化层的上表面设有多晶硅栅，器件表面一定范围内还设有钝化层和金属层。其特征在于N型外延层上还设有P型阱区，P型阱区和P型体区构成阶梯状P型掺杂，P型阱区的掺杂浓度低于P型体区，且P型阱区的一侧与场氧化层相切，另一侧与P型体区相抵，这种结构可以显著降低鸟嘴处的电场强度和碰撞电离率，从而有效地改善输出特性。

公开(公告)号：CN102437192B

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201110404027.3

申请日：2011-12-08

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  刘斯扬 ,  王昊 ,  叶楚楚 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种N型绝缘体上硅横向双扩散场效应晶体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型外延层，在N型外延层的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有N型阳区，在P型体区中设有N型阴区和P型体接触区，在N型外延层的表面一定范围内设有栅氧化层和场氧化层，栅氧化层的上表面设有多晶硅栅，器件表面一定范围内还设有钝化层和金属层。其特征在于N型外延层上还设有P型阱区，P型阱区和P型体区构成阶梯状P型掺杂，P型阱区的掺杂浓度低于P型体区，且P型阱区的一侧与场氧化层相切，另一侧与P型体区相抵，这种结构可以显著降低鸟嘴处的电场强度和碰撞电离率，从而有效地改善输出特性。

公开(公告)号：CN102769038A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201210223901.8

申请日：2012-06-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  王昊 ,  叶楚楚 ,  钱钦松 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种抗闩锁N型绝缘体上硅横向双扩散场效应晶体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型外延层，在N型外延层的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有N型漏区，在P型体区中设有N型源区和P型体接触区，在N型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在N型源区和P型体接触区表面设有浅P型阱区，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅，在场氧化层、P型体接触区、N型源区、多晶硅栅和N型漏区的表面设有钝化层，其特征在于，在浅P型阱区正下方还设有与其共用一块光刻板但采用高能量离子注入形成的深P型阱区，该区域有效地减小了体区的导通电阻，提高器件的电流能力的同时，降低了工作过程中发生闩锁的风险。

公开(公告)号：CN202394983U

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201120506297.0

申请日：2011-12-08

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  刘斯扬 ,  王昊 ,  叶楚楚 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种N型绝缘体上硅横向双扩散场效应晶体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型外延层，在N型外延层的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有N型阳区，在P型体区中设有N型阴区和P型体接触区，在N型外延层的表面一定范围内设有栅氧化层和场氧化层，栅氧化层的上表面设有多晶硅栅，器件表面一定范围内还设有钝化层和金属层。其特征在于N型外延层上还设有P型阱区，P型阱区和P型体区构成阶梯状P型掺杂，P型阱区的掺杂浓度低于P型体区，且P型阱区的一侧与场氧化层相切，另一侧与P型体区相抵，这种结构可以显著降低鸟嘴处的电场强度和碰撞电离率，从而有效地改善输出特性。