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公开(公告)号：CN103727286A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201410020849.5
申请日：2014-01-17
Applicant: 东南大学
IPC: F16K31/04
CPC classification number: F16K31/046 , F16K31/06 , F16K37/0083
Abstract: 一种带智能供电开关的矿用电磁阀门控制系统，包括电源转换模块和电磁阀门，电源转换模块采用开关电源，在电源转换模块与电磁阀门之间增设了由控制模块控制的供电开关，控制模块除了输出两路信号分别控制供电开关和电磁阀门，还接受来自电磁阀门反馈的位置采样信号，供电开关的关断和闭合由控制模块依据外部对电磁阀门的控制请求和电磁阀门实时反馈的位置信号决定是否将电源转换模块输出的电压施加在电磁阀门上。
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公开(公告)号：CN103427621A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310392070.1
申请日：2013-09-02
Applicant: 东南大学
CPC classification number: H02M1/4266 , Y02B70/123
Abstract: 一种矿用隔离式本安LED驱动电源，包括输入整流滤波电路、隔离变压器、输出滤波电路、反馈采样和开关管控制电路、开关管峰值电压抑制电路；输入整流滤波电路输出连接隔离变压器，隔离变压器输出分别连接输出滤波电路及反馈采样和开关管控制电路，反馈采样和开关管控制电路输出连接开关管峰值电压抑制电路，开关管峰值电压抑制电路输出连接到隔离变压器的输入，输出滤波电路输出连接LED负载；其特征在于：在输入整流滤波电路与隔离变压器之间增设无源PFC电路，在输出滤波电路与LED负载之间增设双重输出过压过流保护电路。
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公开(公告)号：CN103400860A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201310365077.4
申请日：2013-08-21
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种高击穿电压的N型纵向碳化硅金属氧化物半导体管，包括N型衬底，在N型衬底的两端分别设有漏极金属和N型漂移区，在N型漂移区上设有P型基区层，在P型基区层设有按照阵列分布的N型源区和P型体接触区，在相邻N型源区之间设有N型漂移区突起，N型漂移区突起的边界延伸进入相应的击穿电压提高区域，所述击穿电压提高区域是由相邻四个N型源区的内侧边界延长线构成的矩形区域，在N型漂移区突起上设有栅氧化层，并且栅氧化层的边界向外延伸并止于N型源区的边界，在栅氧化层上设有多晶硅栅，在多晶硅栅及N型源区上设有场氧化层，在N型源区及P型体接触区连接有源极金属，在多晶硅栅的表面连接有栅极金属。
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公开(公告)号：CN102403359B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201110311821.3
申请日：2011-10-15
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括一个或一个以上的管单元，管单元包括漏极金属，在漏极金属上设有作为漏区的重掺杂N型硅衬底，在硅衬底上设N型掺杂外延层，在外延层中设有P型掺杂柱状半导体区，在柱状半导体区上设有P型掺杂半导体体区，且体区位于N型掺杂外延层内，在体区中设有N型重掺杂半导体源区和P型重掺杂半导体接触区，在源区和接触区以外的N型掺杂外延层表面区域设有栅氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅，在多晶硅栅的上方及两侧设有氧化层，在源区和接触区上连接有源极金属，P型重掺杂半导体接触区左右两侧的突起部分将N型重掺杂半导体源区分割为三个不连通的块体，且N型重掺杂半导体源区呈现“品”字形状。
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公开(公告)号：CN102315274B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201110311815.8
申请日：2011-10-15
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种超结纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底，在N型重掺杂硅衬底的下表面设置有漏极金属，在N型重掺杂硅衬底的上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层上设有超结结构，所述的超结结构包括P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域，P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域交替排列，在所述的超结结构上设有二氧化硅层，其特征在于，在P型掺杂硅柱状区域顶部设有一排N型掺杂硅区域，在N型掺杂硅柱状区域顶部设有一排P型掺杂硅区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102890736A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210361841.6
申请日：2012-09-25
Applicant: 东南大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种集成电路用三端电阻阻值的测量方法，包括以下步骤：步骤10)建立集成电路用三端电阻的宏模型；步骤20）构建集成电路用三端电阻的测试结构；步骤30）建立二极管测试数据文件和三端电阻测试数据文件；步骤40）建立集成电路用三端电阻的交流特性的模型；步骤50）建立集成电路用三端电阻的直流特性的模型；步骤60）建立三端电阻模型文件；步骤70）测量集成电路中三端电阻的电阻特性。该测量方法简单有效，可以解决现有集成电路工程上基于三端电阻物理模型R3cmc的仿真方法过于复杂且对尺寸拟合度差的问题。
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公开(公告)号：CN101976682B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201010265783.8
申请日：2010-08-27
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/265
Abstract: 一种提高电流密度的N型绝缘体上硅横向器件，包括型半导体衬底，在半导体衬底上设有埋氧层，在埋氧层上设有P外延层，在P外延层上面设有N型漂移区与P阱区，在P阱区表面设有N型源区和P型接触区，在N型漂移区上设有N型缓冲区，P型漏区，在P外延的表面还设有栅氧化层，在P阱的表面有N型源区、P型接触区，N型漂移区表面的P型漏区以外的区域设有场氧化层，其特征在于所述N型绝缘体上硅横向器件的N型缓冲区为环状缓冲区且该环状缓冲区向内扩散形成N型缓冲扩散区。制作该器件具体步骤如下：在SOI上生长P型外延；制备N型漂移区与P阱；制备环形N型缓冲区；制备场氧和栅氧；制备多晶硅栅；制备源、漏区；通孔；制备金属层。
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公开(公告)号：CN101969072B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201010265890.0
申请日：2010-08-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种降压用耗尽型N型横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：P型半导体衬底，在P型半导体衬底上设置有N型埋层，P型阱区，N型阱区，N型漂移区，在P型阱区表面靠左侧上设置有P型接触区、N型源区和N型沟道注入区，P型阱区内设有P型注入区，且P型注入区的左端边界位于N型源区的下方，P型注入区的右端边界与漏端N型漂移区相邻。P型接触区和多晶硅电极通过互连金属连线相连接作为栅极。该结构大幅度的降低了N型耗尽型横向双扩散金属氧化物半导体管的阈值电压。在电路应用中漏极金属连线直接连接至高压电源，栅极金属连线接地，源极金属连线直接连接低压电路，为低压电路提供低压电源。
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公开(公告)号：CN101976681B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201010265754.1
申请日：2010-08-27
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/735 , H01L29/06 , H01L21/265 , H01L21/762 , H01L21/329
Abstract: 一种提高电流密度的P型绝缘体上硅横向器件，包括：N型半导体衬底，在半导体衬底上设有埋氧层，在埋氧层上设有N外延层，在N外延层上面设有N型漂移区与N阱区，在N阱区表面设有P型源区和N型接触区，在P型漂移区上设有P型缓冲区，N型漏区，在N外延的表面还设有栅氧化层，在N阱的表面有P型源区、N型接触区，P型漂移区表面的N型漏区以外的区域设有场氧化层，其特征在于所述P型绝缘体上硅横向器件的P型缓冲区为环状缓冲区且该环状缓冲区向内扩散形成P型缓冲扩散区。制作该器件具体步骤如下：在SOI上生长N型外延；制备N阱与P漂移区；制备环形P型缓冲区；制备场氧和栅氧；制备多晶栅；制备源、漏区；通孔；制备金属层。
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公开(公告)号：CN101976670B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201010266465.3
申请日：2010-08-27
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种提高电流密度的绝缘体上硅可集成大电流P型半导体组合器件，包括：N型衬底及其上设埋氧层，在埋氧层上设被分隔成区域Ⅰ和Ⅱ的N型外延层，Ⅰ区包括：P型漂移区、N型深阱、P型缓冲阱、N型漏区、P型源区和N型体接触区，在硅表面设有场氧化层和栅氧化层，在栅氧化层上设有多晶硅栅，Ⅱ区包括：P型三极管漂移区、N型深阱、P型三极管缓冲阱、N型发射区和P型基区、P型源区和N型体接触区，硅表面设有场氧化层和栅氧化层，在栅氧化层上设有多晶硅栅，其特征在于P型基区包在P型缓冲区内部，N型漏区上的漏极金属与P型基区上的基极金属通过金属层连通。本发明在不增加器件面积及降低器件其他性能的基础上显著提升器件的电流密度。
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