公开(公告)号：CN101976681A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN201010265754.1

申请日：2010-08-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  钱钦松 ,  孙俊 ,  苏展 ,  时龙兴

IPC: H01L29/735 ,  H01L29/06 ,  H01L21/265 ,  H01L21/762 ,  H01L21/329

Abstract: 一种提高电流密度的P型绝缘体上硅横向器件，包括：N型半导体衬底，在半导体衬底上设有埋氧层，在埋氧层上设有N外延层，在N外延层上面设有N型漂移区与N阱区，在N阱区表面设有P型源区和N型接触区，在P型漂移区上设有P型缓冲区，N型漏区，在N外延的表面还设有栅氧化层，在N阱的表面有P型源区、N型接触区，P型漂移区表面的N型漏区以外的区域设有场氧化层，其特征在于所述P型绝缘体上硅横向器件的P型缓冲区为环状缓冲区且该环状缓冲区向内扩散形成P型缓冲扩散区。制作该器件具体步骤如下：在SOI上生长N型外延；制备N阱与P漂移区；制备环形P型缓冲区；制备场氧和栅氧；制备多晶栅；制备源、漏区；通孔；制备金属层。

公开(公告)号：CN101969064A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN201010267153.4

申请日：2010-08-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  孙虎 ,  孙伟锋 ,  苏展 ,  时龙兴

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/102 ,  H01L27/105

Abstract: 一种提高电流密度的绝缘体上硅P型半导体组合器件，包括：N型衬底，在N型衬底上设埋氧层，在埋氧层上设N型外延层且N型外延层被分割成区域I和II，其中I区为绝缘栅双极型器件区，包括：P型漂移区、N型深阱、P型缓冲阱、N型漏区、P型源区和N型体接触区，在硅表面相应设有场氧化层和栅氧化层，在栅氧化层上设有多晶硅栅；其中II区为高压三极管区，包括：P型三极管漂移区、P型三极管缓冲阱、N型发射区和P型基区，其特征在于II区中的P型基区包在P型缓冲区内部，且I区中N型漏区上的第一漏极金属与II区中P型基区上的第一基极金属通过第二金属连通。本发明在不增加器件面积基础上显著提升器件的电流密度且器件其他性能参数并不改变。

公开(公告)号：CN101969064B

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN201010267153.4

申请日：2010-08-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  孙虎 ,  孙伟锋 ,  苏展 ,  时龙兴

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/102 ,  H01L27/105

Abstract: 一种提高电流密度的绝缘体上硅P型半导体组合器件，包括：N型衬底，在N型衬底上设埋氧层，在埋氧层上设N型外延层且N型外延层被分割成区域I和II，其中I区为绝缘栅双极型器件区，包括：P型漂移区、N型深阱、P型缓冲阱、N型漏区、P型源区和N型体接触区，在硅表面相应设有场氧化层和栅氧化层，在栅氧化层上设有多晶硅栅；其中II区为高压三极管区，包括：P型三极管漂移区、P型三极管缓冲阱、N型发射区和P型基区，其特征在于II区中的P型基区包在P型缓冲区内部，且I区中N型漏区上的第一漏极金属与II区中P型基区上的第一基极金属通过第二金属连通。本发明在不增加器件面积基础上显著提升器件的电流密度且器件其他性能参数并不改变。

公开(公告)号：CN101976681B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201010265754.1

申请日：2010-08-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  钱钦松 ,  孙俊 ,  苏展 ,  时龙兴

IPC: H01L29/735 ,  H01L29/06 ,  H01L21/265 ,  H01L21/762 ,  H01L21/329

Abstract: 一种提高电流密度的P型绝缘体上硅横向器件，包括：N型半导体衬底，在半导体衬底上设有埋氧层，在埋氧层上设有N外延层，在N外延层上面设有N型漂移区与N阱区，在N阱区表面设有P型源区和N型接触区，在P型漂移区上设有P型缓冲区，N型漏区，在N外延的表面还设有栅氧化层，在N阱的表面有P型源区、N型接触区，P型漂移区表面的N型漏区以外的区域设有场氧化层，其特征在于所述P型绝缘体上硅横向器件的P型缓冲区为环状缓冲区且该环状缓冲区向内扩散形成P型缓冲扩散区。制作该器件具体步骤如下：在SOI上生长N型外延；制备N阱与P漂移区；制备环形P型缓冲区；制备场氧和栅氧；制备多晶栅；制备源、漏区；通孔；制备金属层。

公开(公告)号：CN201845778U

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN201020508089.X

申请日：2010-08-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 钱钦松 ,  孙虎 ,  孙伟锋 ,  苏展 ,  时龙兴

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/06 ,  H01L21/76

Abstract: 一种提高电流密度的绝缘体上硅P型半导体组合器件，包括：N型衬底，在N型衬底上设埋氧层，在埋氧层上设N型外延层且N型外延层被分割成区域I和II，其中I区为绝缘栅双极型器件区，包括：P型漂移区、N型深阱、P型缓冲阱、N型漏区、P型源区和N型体接触区，在硅表面相应设有场氧化层和栅氧化层，在栅氧化层上设有多晶硅栅；其中II区为高压三极管区，包括：P型三极管漂移区、P型三极管缓冲阱、N型发射区和P型基区，其特征在于II区中的P型基区包在P型缓冲区内部，且I区中N型漏区上的第一漏极金属与II区中P型基区上的第一基极金属通过第二金属连通。本实用新型在不增加器件面积基础上显著提升器件的电流密度且器件其他性能参数并不改变。

公开(公告)号：CN201918390U

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201020508069.2

申请日：2010-08-27

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  钱钦松 ,  孙俊 ,  苏展 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L21/265

Abstract: 一种提高电流密度的P型绝缘体上硅横向器件，包括：N型半导体衬底，在半导体衬底上设有埋氧层，在埋氧层上设有N外延层，在N外延层上面设有N型漂移区与N阱区，在N阱区表面设有P型源区和N型接触区，在P型漂移区上设有P型缓冲区，N型漏区，在N外延的表面还设有栅氧化层，在N阱的表面有P型源区、N型接触区，P型漂移区表面的N型漏区以外的区域设有场氧化层，其特征在于所述P型绝缘体上硅横向器件的P型缓冲区为环状缓冲区且该环状缓冲区向内扩散形成P型缓冲扩散区。制作该器件具体步骤如下：在SOI上生长N型外延；制备N阱与P漂移区；制备环形P型缓冲区；制备场氧和栅氧；制备多晶栅；制备源、漏区；通孔；制备金属层。