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公开(公告)号：CN210837756U
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201921122297.3
申请日：2019-07-17
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/762 , H01L21/84
Abstract: 本实用新型提供一种单晶硅局域SOI衬底及光电器件，单晶硅局域SOI衬底包括：硅衬底，所述硅衬底上具有局域SOI区域槽；介质层，填充于所述局域SOI区域槽中；以及单晶硅层，覆盖于所述硅衬底及所述介质层表面。本实用新型可以在体硅衬底上形成局域SOI，从而实现光芯片与电芯片的单片集成。
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公开(公告)号：CN214845911U
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202120650362.0
申请日：2021-03-30
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种用于激光器与单模硅波导间的耦合结构，耦合结构包括：直波导；锥形波导，锥形波导的输入端连接于直波导；单模硅波导，连接于锥形波导的输出端；直波导与锥形波导包括交替层叠的二氧化硅层及氮化硅层，交替层叠的次数为2次以上，单模硅波导包括插入至锥形波导中的第一硅波导段以及凸出于锥形波导的第二硅波导段，第一硅波导段被锥形波导最下层的二氧化硅层包裹。本实用新型可以用于实现大尺寸差下激光器/波导与波导间的光耦合，具有耦合效率高，传输损耗小，结构简单，便于加工等优点，在硅光集成领域存在诸多潜在的应用。
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公开(公告)号：CN212083723U
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202020792537.7
申请日：2020-05-14
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司 , 上海功成半导体科技有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种基于硅光转接板技术的硅基光电子器件及制备方法，器件包括：硅光器件，包括有源器件结构及无源器件结构，有源器件结构具有引出电极，并覆盖有介质层；转接孔及硅穿孔，贯穿至硅衬底，其内壁形成有绝缘层及导电层；接触孔，贯穿至引出电极；正面重新布线层，正面重新布线层以实现有源器件结构的引出电极与导电层的电性连接；第一凸点层，形成于正面重新布线层上；反面重新布线层，与导电层电性连接；第二凸点层，形成于反面重新布线层上。本实用新型硅光转接板的制备与硅光器件具有较高的兼容性，可以大幅降低光电混合集成的成本。本实用新型为硅光芯片及其控制芯片提供超短距离电气互连，能够有效提高器件的集成密度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210626706U
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201921956524.2
申请日：2019-11-13
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本申请提供一种波导结构，所述波导结构包括：环形波导，其数量为两个以上；第一直线型波导，呈直线形状，所述第一直线型波导的两端分别为入射端和第一连接端；第二直线型波导，呈直线形状，所述第二直线型波导的两端分别为出射端和第二连接端；以及U型波导，其连接所述第一连接端和第二连接端，其中，相邻的环形波导的中心连线与所述第一直线型波导和所述第二直线型波导平行。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210006746U
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201921180948.4
申请日：2019-07-25
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/0232 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本实用新型提供一种硅波导分布式布拉格反射镜集成的波导型锗基光电探测器，波导型锗基光电探测器包括：锗基光电探测器；硅波导结构，连接于所述锗基光电探测器的第一端；硅波导分布式布拉格反射镜，连接于所述锗基光电探测器的第二端。与传统波导型探测器相比，本实用新型通过在锗光电探测器后端引入硅波导分布式布拉格反射镜结构，使光线经反射再次进入锗光电探测器，可实现更高效的光吸收效率，从而可以有效减小探测器的长度，实现低暗电流、低电容和高响应度光电探测器制备。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN210375638U
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201921455306.0
申请日：2019-09-03
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G01M11/02
Abstract: 本申请提供一种片上波导损耗测量装置。该片上波导损耗测量装置具有至少一个片上波导损耗测量单元，其中，各所述片上波导损耗测量单元包括：形成于绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中的光耦合器；位于所述光耦合器的光出射端一侧的分束器，所述分束器接收所述光耦合器的光出射端射出的光；形成于所述顶层硅中的波导组，所述波导组具有两个以上的波导，各所述波导分别接收所述分束器射出的光，并且，各波导的长度均不相等；以及形成于所述顶层硅上的两个以上的光电探测器，各所述波导的光输出端所输出的光被一个所述光电探测器探测，所述光电探测器生成与探测到的光对应的电流。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210375633U
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201921373455.2
申请日：2019-08-22
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G01M11/02
Abstract: 本申请提供一种硅基片上波导损耗测量装置。该片上波导损耗测量装置，包括：形成于绝缘体上的硅(SOI)衬底的顶层硅中的光耦合器；形成于所述顶层硅中的法布里-珀罗谐振腔，所述法布里-珀罗谐振腔的光入射端与所述光耦合器的光出射端在横向上对置；光电探测器，其形成于所述顶层硅上；以及加热器，其形成于所述法布里-珀罗谐振腔的预定距离处。使用本申请的片上波导损耗测量装置，可以有效降低光纤与芯片对准精度要求，减小波导损耗测量结构面积，实现高效快速的波导损耗测量。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210182395U
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201921034835.3
申请日：2019-07-04
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/0312 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本实用新型提供一种基于晶圆键合技术的集成锗光电探测器，包括：硅波导层，所述硅波导层中形成有锗光电探测器的下接触层；介质层，位于所述硅波导层上，所述硅波导层中具有锗光电探测器集成窗口，该集成窗口显露所述下接触层；单晶材料层，填充于所述集成窗口中，所述单晶材料层为单晶硅层或单晶锗材料层；锗吸收区，键合于所述单晶材料层；上接触层，形成于所述锗吸收区上部；下电极，形成于所述下接触层上；上电极，形成所述上接触层上。本实用新型通过将具有单晶结构的锗材料衬底与硅直接键合方式集成，可以获得质量更高的锗材料以及锗/硅异质结构，有利于锗光电探测器暗电流等特性的优化。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210040212U
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201921254955.4
申请日：2019-08-05
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/0232 , H01L31/09 , H01L31/18 , G02B6/122 , G02B6/13
Abstract: 本实用新型提供一种基于光子晶体的波导型锗光电探测器，所述锗光电探测器包括：硅波导结构；锗光电探测器，连接于所述硅波导结构，所述锗光电探测器的锗吸收区及所述锗吸收区外围的周边硅材料区中具有周期性排列的介质材料，以形成具有慢光效应的光子晶体结构。本实用新型与传统波导型锗光电探测器相比，可以实现更高效的光吸收效率，通过减小器件尺寸，实现低暗电流、低电容和高响应度光电探测器制备。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN215180992U
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202121158130.X
申请日：2021-05-27
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G02B6/12
Abstract: 本申请提供一种光混频器，光混频器包括：基底层；输入波导，其为条状，输入波导的输入端接收输入光；多模干涉波导，其为矩形，多模干涉波导的输入端与输入波导的输出端耦接，接收从输入波导传输的光，多模干涉波导对接收的光进行混频处理；输出波导，其为条状，设置于基底层，输出波导的输入端与多模干涉波导的输出端耦接，接收从多模干涉波导的输出端输出的混频光，输出波导对接收的混频光进行传输，并从输出波导的输出端输出；以及覆盖层，其覆盖输入波导、多模干涉波导以及输出波导各自的上表面和侧面，输入波导、多模干涉波导以及输出波导的材料均为氮化硅，该输入波导的数量为3个，该输出波导的数量为3个。
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