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公开(公告)号：CN102543483A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210014031.3
申请日：2012-01-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01G9/058
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明涉及一种超级电容器的石墨烯材料的制备方法。包括如下步骤：步骤1：膨化石墨烯的制备：将1到2质量份的氧化石墨置于加热容器中，将加热容器密封，快速升温加热30-120s，制备0.5到1质量份的膨化石墨烯；步骤2：活化石墨烯的制备。本发明的有益效果是：由于采用本发明的方法制备的石墨烯材料在不改变石墨烯成分的基础上，改善了石墨烯微孔结构，使其更有利于电荷存储，因此提高了石墨烯超级电容器的比容量，使其在有机电解液中电容器的比容量达到200F/g，能量密度可达到40Wh/kg。进一步的本发明的方法工艺过程简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN102148099A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201010596987.X
申请日：2010-12-20
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 该发明公开了一种石墨烯染料敏化太阳能电池及其生产方法。太阳能电池包括含透明上基底材料及石墨烯导电层、多孔纳米半导体薄膜及染料敏化剂的光阳极，氧化还原电解质溶液，含下基底及石墨烯导电层和复合催化层的对电极，薄膜壳体；其生产方法包括光阳极的制备，对电极的制备，封装处理及注入电解质溶液。该发明由于采用材料易得、成本低且具有良好导电性能和柔性度极高、延展性好的石墨烯作为导电层并可采用柔性透明材料作基底，同时采用吸附方式代替磁控溅射法在对电极的石墨烯导电层上嵌入一层铂金属颗粒构成复合催化层。因而，本发明具有原料及生产成本低，生产工艺简单、可靠，可生产柔软太阳能电池并应用于柔性领域，有效扩大了应用范围等特点。
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公开(公告)号：CN101894904A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010227212.5
申请日：2010-07-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明属于金属基薄膜热电偶及其生产方法。其热电偶包括待测金属基板及设于其顶面的NiCrAlY合金过渡层，过渡层以上依次为金属铝层、AlN层、AlN陶瓷绝缘层、热电偶薄膜电极组以及氧化铝保护层；其生产方法为待测金属基板的处理，制备带NiCrAlY合金过渡层的复合基板，金属铝的析出，铝的氮化处理，溅射沉积AlN绝缘层，设置薄膜热电偶组及覆盖氧化铝保护层。该发明由于采用高导热系数且绝缘性能优的AlN陶瓷材料作为绝缘层，从而大幅度降低了金属基板与绝缘层表面之间的温度差及绝缘层的厚度；因而具有可有效降低测量误差，提高热电偶所测温度与待测金属基板实际温度的一致性及可靠性，可为涡轮发动机的设计提供准确、可靠的依据等特点。
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公开(公告)号：CN100545938C
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200510021532.4
申请日：2005-08-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种新型巨磁阻三明治材料。这种材料在第一铁磁层和第二铁磁层之间由一个非磁性金属层隔离而成，其特点是第一铁磁层和第二铁磁层一个是纳米晶磁性薄膜，另一个为多晶态的磁性薄膜；应用于这种磁三明治材料的纳米晶磁性薄膜包括钴铌锆CoNbZr、钴铁硼CoFeB和钴锰硼CoMnB三种性能优越的纳米晶软磁薄膜，而多晶态薄膜主要是钴Co，钴铁CoFe和坡莫合金NiFe三种磁性薄膜；其中的非磁性隔离层是铜Cu等贵金属材料。该材料具有极薄的总体厚度(10nm左右)，较大的磁阻效应(10%以上)，稳定的单畴态，优越的翻转特性，翻转场均匀性偏差＜8%，是MRAM器件极有潜力的新型存储材料。
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公开(公告)号：CN1921003A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200510021532.4
申请日：2005-08-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米晶软磁薄膜的磁三明治材料及其制备方法，该材料是两个铁磁层由一个非磁性金属层隔离而成，其特点是两个铁磁层中一个是纳米晶磁性薄膜，另一个为多晶态的磁性薄膜，总体厚度在10nm以内。这种材料主要由直流磁控溅射方法制备，其制备采用四靶溅射仪，并在四靶溅射仪的基片架上对材料进行原位快速退火，制得的材料具有较小的层间耦合、优良的巨磁阻效应和优越的热稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119810524A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411864240.6
申请日：2024-12-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06V10/764 , G01J5/34 , G01J5/00 , G06V10/143 , G06V10/26 , G06V10/28 , G06V10/44 , G06V10/70 , G06V10/774 , G06V10/776 , G06N20/10 , G01J5/48
Abstract: 本发明涉及热释电红外检测的推扫成像领域，具体为一种针对热释电红外线列器件推扫成像的目标识别方法。本发明基于各像元在时间上的连续斜率变化判断有效信号，不仅解决输出信号幅度受环境温度影响的问题，还避免了统一阈值判断受限于线列器件各像元一致性差异的问题，同时防止了尖峰噪声对于目标探测的影响，扩展了应用范围；以运动方向边缘特征占据整体成像范围的比例作为关键特征，解决了随目标速度变化影响探测识别准确率的问题；同时计算所需特征值也从N×通道数减少至2×通道数，降低了特征规模，进而提升识别速度。最终本发明不仅提升了目标识别的准确率和速度，且解决了现有识别技术受限于目标速度的问题，提升了可应用性。
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公开(公告)号：CN118132982A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410192133.7
申请日：2024-02-21
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: G06F18/213 , G06F30/20 , G06F17/15
Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，尤其涉及一种基于多项式拟合的声表面波谐振器COM参数提取方法，包括采用实测拟合法提取多组COM参数，对每一组COM参数及其对应的谐振频率进行中心化和缩放，得到中心化缩放COM参数和中心化缩放谐振频率；定义9阶多项式模型组，并采用加权残差优化方法处理得到最优9阶多项式模型组；将目标谐振频率进行中心化和缩放后输入最优9阶多项式模型组，得到目标中心化缩放COM参数；将目标中心化缩放COM参数还原后代入COM模型得到目标谐振器的电声特性曲线；本发明能够实现声表面波谐振器的快速、精确模拟。
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公开(公告)号：CN118100851A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410286231.7
申请日：2024-03-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于射频微机电系统技术领域，具体涉及一种兰姆波谐振器。本发明首先在兰姆波谐振器底部设置布拉格反射层，用以反射谐振器底部泄露的能量，同时提高谐振器机械稳定性与功率容量；其次将电极与压电层分开悬空设置，悬空电极不与压电薄膜直接接触，仅起到为谐振器提供电学激励的作用，可以减小压电薄膜质量负载与机械损耗，同时增加谐振器的Q值；最后采用介电嵌入活塞结构通过在电极末端投影区域的压电薄膜上刻槽并填充介电材料，形成自由振动边界，从而抑制谐振器的横向杂散模态。最终本发明实现了高频下抑制杂散模态效果良好、能量泄露少并且谐振器品质因素Q值高的优点。
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公开(公告)号：CN117637604A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311573451.X
申请日：2023-11-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种集成多传感器的微系统芯片晶圆级封装方法，属于薄膜传感器与微系统封装技术领域，具体为：以SOI为封装基板，先批量制备一体化集成的传感器，制备隔离层，开金属化通孔引出接口；刻蚀埋置腔，安装功能芯片，制备隔离层，在传感器和功能芯片对应区域开金属化通孔引出接口；封装基板背面减薄；通过重布线传感器和功能芯片的接口引出至微系统I/O所在位置，制备隔离层，开金属化通孔并植焊球阵列，完成封装。本发明可极大缩短传感器引出的互连距离，提升传感器的测量精度和响应速度，简化传感器与功能芯片的集成工艺，实现微系统中功能芯片与传感器的高密度集成和一体化批量制备，降低集成多传感器的微系统芯片的单片成本。
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公开(公告)号：CN116734720A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310705088.6
申请日：2023-06-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于高温薄膜传感器技术领域，提供一种基于金属基的高温薄膜应变计及其制备方法，用以优化过渡绝缘层的制备工艺、降低制备温度。本发明中高温薄膜应变计包括从下往上依次设置的金属基底、复合氧化绝缘过渡层、Al2O3绝缘层、PdCr功能敏感层与Al2O3保护层，首先基于纯铝低温扩散原理在金属基底表面进行铝原子热扩散形成富铝层，再由富铝层进行热氧化形成α‑Al2O3过渡层，二者构成复合氧化绝缘过渡层；本发明降低了制备温度，防止合金基底在高温中受损，并增强金属基底与敏感功能层之间的绝缘性，进而扩大薄膜应变计的应用范围，也保证其在高温环境下运行的可靠性，延长使用寿命。
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