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公开(公告)号：CN104955977A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201380071351.5
申请日：2013-12-26
Applicant: 株式会社V技术
Inventor： 水村通伸
IPC: C23C14/04 , B23K26/362 , B23K26/402 , B23K26/064 , B23K26/08 , C23C16/04 , H01L51/50 , H05B33/10
CPC classification number: B05D3/06 , B05D1/02 , B23K26/066 , B23K26/08 , B23K26/382 , B23K26/40 , B23K37/0235 , B23K37/0408 , B23K2101/40 , C23C14/04
Abstract: 本发明涉及成膜掩模的制造方法以及激光加工装置，该成膜掩模的制造方法包括：形成使设置有贯通孔的磁性金属部件与薄膜的一面紧密接触的构造的掩模用部件的第1阶段；向多个贯通孔内的预先决定的标准位置照射激光来贯通加工薄膜，从而形成多个预备开口图案的第2阶段；以及在多个预备开口图案上激光加工开口图案的第3阶段。
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公开(公告)号：CN104904198A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201380069761.6
申请日：2013-12-10
Applicant: 株式会社V技术
IPC: H04N9/07 , H01L27/146 , H01L31/10 , H04N5/33 , H04N5/369
CPC classification number: H01L27/14607 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14649 , H01L27/14698
Abstract: 本发明提供一种摄像装置，其在以一个摄像传感器取得可见光图像及近红外以上的长波长域图像时，得到鲜明的近红外以上的长波长域图像。本发明的摄像装置的摄像传感器(1)在一个半导体基板(10)上形成有多个光电转换部(2(2A、2B))。多个光电转换部(2(2A、2B))中的一组光电转换部(2A)中的每一个显示在近红外以上的长波长域具有峰值的分光灵敏度特性。多个光电转换部(2(2A、2B))中具备显示在可见光区域具有峰值的分光灵敏度特性的光电转换部(2B)。
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公开(公告)号：CN104755648A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201380057122.8
申请日：2013-07-18
Applicant: 株式会社V技术
Inventor： 水村通伸
IPC: C23C14/04
CPC classification number: B05B12/20 , B05C21/005 , B05D1/32 , C23C14/042 , C23C16/042 , H01L21/0332 , H01L51/001
Abstract: 本发明提供一种成膜掩膜，用于使蒸镀材料覆盖于基板上而形成薄膜图案，在该成膜掩膜中，具备：薄板状的磁性金属部件(1)，其在与上述薄膜图案相对应的位置设置有形状尺寸比该薄膜图案大的贯通孔(4)；和树脂制的薄膜(2)，其与上述磁性金属部件(1)的一个面紧贴而设置，且在上述贯通孔(4)内在与上述薄膜图案相对应的位置形成有形状尺寸与该薄膜图案相同的开口图案(5)，且可见光可透过薄膜(2)，上述开口图案(5)设置于开口图案形成区域(7)内，该开口图案形成区域(7)在上述贯通孔(4)内由上述磁性金属部件(1)的厚度与上述蒸镀材料相对于上述薄膜面的最大入射角度所决定的蒸镀的阴影的区域(6)所包围。
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公开(公告)号：CN103189798B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201180052569.7
申请日：2011-09-12
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70258 , G03F7/70275
Abstract: 微透镜阵列(2)是4块单位微透镜阵列(2-1、2-2、2-3、2-4)的层叠体，可以使一部分的单位微透镜阵列的光轴从其他单位微透镜阵列的光轴偏移。在扫描曝光装置中，线阵CCD照相机检测基板上的图像，将基板上的第1层图案作为基准图案，在掩模的曝光图案与该基准图案不一致的情况下，使微透镜(2a)的光轴偏移，调整利用微透镜阵列导致的投影图案的倍率。由此，能够调整利用微透镜阵列导致的曝光位置，即使产生曝光图案与基准图案的偏离，也能在曝光中检测该偏离，并防止曝光图案的位置偏离，能够提高重叠曝光的曝光图案的精度。
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公开(公告)号：CN102668025B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201080058060.9
申请日：2010-12-09
Applicant: 株式会社V技术
Inventor： 水村通伸
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/704
Abstract: 本发明的曝光装置，具备：光束点生成单元(9)，其接受光源光(L1)并以规定间隔相互错开地至少排列成2列而生成多个光束点；光扫描单元(10)，其使上述多个光束点沿它们的排列方向在各组的规定范围内进行往返扫描；图案产生器(11)，其被配置成使上述多个光束点的往返扫描的中心各自与中心轴一致，且通过对在与上述中心轴平行的对置面设置了一对电极的方柱状的由电光晶体材料构成的多个开关元件进行接通/断开驱动，从而对上述光源光(L1)进行光调制来生成规定的明暗图案；和投影透镜(12)，其将上述明暗图案投影在滤色器基板(5)上，使上述各开关元件在上述光束点的扫描方向的宽度比上述光束点在相同方向的宽度大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102246100B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN200980150397.X
申请日：2009-11-05
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G03F7/20 , G02F1/1335 , G02F1/1339 , G03F1/68
CPC classification number: G02F1/133516 , G02F1/13394 , G02F2001/13396 , G03F7/203 , G03F7/70283
Abstract: 本发明是对涂敷了正性的感光材料的基板进行曝光的光掩模(3)，至少以规定的排列间距在透明基板上形成了如下掩模图案群：第1掩模图案群(16)，其以与基板上的高度不同的两种凸起状图案形成部对应的间隔具有与凸起状图案的横截面积大致相等的面积的第1遮光图案(20)；和第2掩模图案群(17)，其具有与两种凸起状图案形成部中高度较高的凸起状图案形成部对应的规定面积的第2遮光图案(22)、和与高度较低的凸起状图案形成部对应的开口图案(23)。由此，能够将高度不同的多种凸起状图案的顶部形成为大致半球面状。
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公开(公告)号：CN103636083A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201280030065.X
申请日：2012-07-09
Applicant: 株式会社V技术
IPC: H01S3/107
CPC classification number: H01S3/11 , H01S3/005 , H01S3/08054 , H01S3/092 , H01S3/10038 , H01S3/107 , H01S3/115 , H01S3/1611 , H01S3/1643 , H01S3/2308
Abstract: 本发明公开了一种脉冲激光振荡器，其具备：根据所施加的电压而使光产生偏振的第一电光元件、和向所述第一电光元件施加电压并对电压进行控制的电压控制装置，该脉冲激光振荡器通过所述电压控制装置使施加到所述第一电光元件的电压值时效地变化，从而控制激光的脉冲宽度。
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公开(公告)号：CN103210344A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201180044697.7
申请日：2011-08-16
Applicant: 株式会社V技术
Inventor： 水村通伸
IPC: G02F1/1337 , G02F1/13
CPC classification number: B29C67/00 , G02B27/22 , G02F1/1303 , G02F1/1337 , G02F1/133723 , G02F1/133788 , G02F2001/133757 , G03F7/708
Abstract: 曝光装置(1)通过将液晶显示装置的各像元或者像素在宽度方向分割为2个部分并从不同的方向曝光，使取向材料膜进行光取向。曝光装置使从2个光源(第1光源(11)和第2光源(12))射出的2个曝光光(11a、12a)，透射掩模(13)的预定的图案的分别不同的光透射区域，照射到与在曝光对象部件(2)上形成的取向材料膜的各像元或者像素的各分割区域对应的区域。曝光装置使2个曝光光在第1和第2光源与取向材料膜之间的光路上互相交叉。由此，在取向分割方式的曝光装置中，即使在需要减小曝光光相对于曝光对象面倾斜的角度的情况下，也能以预定的图案将取向材料膜正常曝光，能够使曝光装置小型化。
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公开(公告)号：CN103189798A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201180052569.7
申请日：2011-09-12
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70258 , G03F7/70275
Abstract: 微透镜阵列(2)是4块单位微透镜阵列(2-1、2-2、2-3、2-4)的层叠体，可以使一部分的单位微透镜阵列的光轴从其他单位微透镜阵列的光轴偏移。在扫描曝光装置中，线阵CCD照相机检测基板上的图像，将基板上的第1层图案作为基准图案，在掩模的曝光图案与该基准图案不一致的情况下，使微透镜(2a)的光轴偏移，调整利用微透镜阵列导致的投影图案的倍率。由此，能够调整利用微透镜阵列导致的曝光位置，即使产生曝光图案与基准图案的偏离，也能在曝光中检测该偏离，并防止曝光图案的位置偏离，能够提高重叠曝光的曝光图案的精度。
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公开(公告)号：CN103140804A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201180048221.0
申请日：2011-09-12
Applicant: 株式会社V技术
IPC: G03F7/20 , G02B3/00 , H01L21/027
CPC classification number: G02B3/0037 , G02B3/0062 , G02B26/0875 , G03F7/70258 , G03F7/70275
Abstract: 扫描曝光装置通过多个微透镜阵列（2），将掩模（3）的曝光图案投影于衬底（1）上。此时，通过线性CCD相机检测衬底上的图像，将衬底上的第一层图案作为基准图案，检测掩模的曝光图案是否与该基准图案一致。不一致时，使微透镜阵列从平行于衬底的方向倾斜，调整由微透镜阵列形成的衬底上的曝光区域，使掩模的曝光图案与基准图案一致。由此，即使产生曝光图案与基准图案的偏移，也能在曝光中检测该偏移，防止曝光图案的错位，能够提高重叠曝光中的曝光图案的精度。
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