一种制备纳米片结构氧化钴电极的方法

    公开(公告)号:CN104445443B

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201410815723.7

    申请日:2014-12-24

    Abstract: 一种制备纳米片结构氧化钴电极的方法,本发明涉及制备电极的方法。本发明要解决现有氧化钴赝电容存在比电容较低的问题。本发明的方法:在Si基底上制备Co镀层,然后将其置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中,通入氩气,调节气体流量、压强,升温到一定温度后,再通入氧气,调节氩气及氧气气体流量,调节温度、射频功率、压强,进行沉积,沉积结束后,即得到纳米片结构氧化钴电极。本发明用于制备纳米片结构氧化钴电极。

    一种陶瓷基复合材料低温表面渗碳辅助钎焊方法

    公开(公告)号:CN104096939B

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201410353044.2

    申请日:2014-07-23

    Abstract: 一种陶瓷基复合材料低温表面渗碳辅助钎焊方法,本发明涉及材料焊接领域。本发明要解决现有陶瓷基复合材料表面钎料难润湿性而导致钎焊接头力学性能差的问题。方法:去除陶瓷基复合材料表面杂质,然后将陶瓷基复合材料置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中,通入氩气,调节温度及压强,再通入甲烷气体进行沉积,沉积结束后,得到表面形成渗碳层的陶瓷基复合材料,将钛基钎料置于表面形成渗碳层的陶瓷基复合材料和金属材料的待焊接面之间,并放置于真空钎焊炉中,抽真空并在高温下保温,冷却,即完成新型陶瓷基复合材料低温表面渗碳辅助钎焊过程。本发明用于一种新型陶瓷基复合材料低温表面渗碳辅助钎焊方法。

    一种絮状二氧化锰/石墨烯复合电极材料的制备方法

    公开(公告)号:CN105070524A

    公开(公告)日:2015-11-18

    申请号:CN201510566764.1

    申请日:2015-09-08

    Abstract: 一种絮状二氧化锰/石墨烯复合电极材料的制备方法,本发明涉及复合电极材料的制备方法。本发明要解决现有石墨烯材料作为超级电容器电极材料,其理论极限带来的比电容值的限制,从而限制超级电容器比电容值的大幅提高十分困难的问题。方法:一、制备沉积石墨烯的集电极材料;二、制备循环伏安后的集电极材料;三、清洗,即得到絮状二氧化锰/石墨烯复合电极材料。本发明用于絮状二氧化锰/石墨烯复合电极材料的制备方法。

    一种原位生长碳纳米管增强铝基钎料的制备方法

    公开(公告)号:CN103276322B

    公开(公告)日:2015-10-07

    申请号:CN201310239601.3

    申请日:2013-06-17

    Abstract: 一种原位生长碳纳米管增强铝基钎料的制备方法,本发明涉及钎料的制备方法。本发明要解决传统铝基钎料在钎焊连接铝基复合材料构件时存在的热应力大及接头力学性能差的问题。一种原位生长碳纳米管增强铝基钎料由六水硝酸镍和铝基复合粉末制备的;本发明方法:一、制备Ni(NO3)2/铝基复合粉末;二、原位沉积碳纳米管。本发明通过碳纳米管增强的铝基复合钎料,可以有效地改善其力学和热学性能。本发明用于制备原位生长碳纳米管增强铝基钎料。

    一种用于钎焊医用吻合器氧化锆陶瓷/不锈钢固定钳头的卡具及钎焊方法

    公开(公告)号:CN103551701B

    公开(公告)日:2015-05-27

    申请号:CN201310572399.6

    申请日:2013-11-15

    Abstract: 一种用于钎焊医用吻合器氧化锆陶瓷/不锈钢固定钳头的卡具及钎焊方法,本发明涉及一种用于连接医用颚型组织吻合器固定钳头的卡具及钎焊方法,它要解决医用吻合器固定钳头的绝缘片与金属片的钎焊界面易出现未焊合孔洞和钎焊生产周期长的问题。卡具由石墨底座、石墨压块和Nb压块组成,在石墨底座的底座体的外缘径向上开有多个凹槽,Nb压块嵌入凹槽中,石墨压块压盖在石墨底座的上方。钎焊方法:一、切割钎料;二、对氧化锆陶瓷、不锈钢片和AgCuTi钎料进行清洗;三、装配卡具;四、控制加热速率和钎焊温度进行钎焊连接。本发明实现氧化锆陶瓷与不锈钢片的冶金结合,没有出现未焊合的孔洞,同时钎焊生产周期短,利于实现批量生产。

    三维结构石墨烯复合中间层辅助钎焊的方法

    公开(公告)号:CN104625283A

    公开(公告)日:2015-05-20

    申请号:CN201410828186.X

    申请日:2014-12-26

    CPC classification number: B23K1/008 B23K1/20 C23C16/26

    Abstract: 三维结构石墨烯复合中间层辅助钎焊的方法,本发明涉及材料焊接领域。本发明要解决现有钎焊的过程中接头极易产生较大的残余应力而导致钎焊接头力学性能差的问题。方法:去除泡沫金属表面杂质,然后将泡沫金属置于化学气相沉积装置中,通入氩气,调节气体流量及压强,然后升温,再通入甲烷,调节气体流量及压强,进行沉积,沉积结束后,得到三维结构石墨烯金属复合中间层,然后将三维结构石墨烯金属复合中间层置于两个待焊接材料之间,然后将钎料置于待焊接面之间,并放置于真空钎焊炉中,抽真空并在高温下保温,冷却,即完成三维结构石墨烯复合中间层辅助钎焊过程。本发明用于三维结构石墨烯复合中间层辅助钎焊的方法。

    一种原位生长碳纳米管增强银基电接触材料的制备方法

    公开(公告)号:CN103789744A

    公开(公告)日:2014-05-14

    申请号:CN201410074549.5

    申请日:2014-03-03

    Abstract: 一种原位生长碳纳米管增强银基电接触材料的制备方法,本发明涉及电接触材料的制备方法。本发明要解决常用的CNTs/Ag复合材料制备方法存在着碳纳米管分散不均匀、结构缺陷多的技术问题。方法:一、制备Ni(NO3)2/Ag复合粉末;二、采用离子体方法制备电接触材料。本发明采用等离子体增强化学气相沉积方法低温原位生长碳纳米管,保证了银粉末中碳纳米管的结构完美和均匀分散性,避免了CNTs/Ag基电接触复合粉末中碳纳米管的团聚,真正意义上实现了碳纳米管对CNTs/Ag基电接触复合粉末性能的改善。本发明用于制备原位生长碳纳米管增强银基电接触材料。

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