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公开(公告)号：CN103546119B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201310503465.4
申请日：2013-10-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/04
Abstract: 本发明提供一种高Q值超宽带可调谐有源电感，涉及射频集成电路技术领域，以解决现有有源电感的电感值、Q值均不高，实部损耗比较大的问题。该发明包括电源、输入端与CMOS源随结构，其中，还包括传输线结构、有源反馈偏置、负阻补偿网络，所述传输线结构并联于所述CMOS源随结构的栅极和漏极之间，所述有源反馈偏置中的第二晶体管M2的源级与所述CMOS源随结构中的第一晶体管M1的栅级连接，第三晶体管M3的漏极与所述第一晶体管M1的源级连接，所述负阻补偿网络与所述有源反馈偏置中的第三晶体管M3的漏极连接，并且与所述CMOS源随结构的第一晶体管M1的漏极连接。本发明具有较大的电感值和品质因子Q，并使实部损耗减小。
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公开(公告)号：CN103441141B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310322896.0
申请日：2013-07-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/737 , H01L21/331 , H01L29/40
Abstract: 本发明公开了一种异质结双极晶体管，尤其是超宽温区高热稳定性微波功率SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管采用基区Ge组分由发射结侧向集电结侧逐渐递增的阶梯形分布结构，使器件电流增益随温度变化趋势变缓，可在宽温区内防止器件静态工作点的漂移。同时，所述晶体管还可同时提高器件的特征频率及其随温度变化的敏感性。此外，所述晶体管还采用各个发射极指的指间距由器件两侧向中心处指数增大的非均等指间距对称结构，可有效阻止外侧发射极指热量向中心处的流入，达到削减各发射极指间的热耦合效应、改善器件有源区温度分布的均匀性，进而提高功率晶体管热稳定性的目的。
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公开(公告)号：CN103545398B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201310485411.X
申请日：2013-10-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/0352 , H01L31/0304
Abstract: 基区渐变的单向载流子传输的双异质结光敏晶体管探测器属于半导体光电子技术领域，是一种可同时实现高响应度、高截止频率的光敏晶体管(UTC-DHPT)探测器。本发明包括：一InP衬底，利用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法在InP衬底上依次制备出InP缓冲层、InGaAsP次集电区、InGaAsP集电区、两层不同材料带隙波长的InGaAsP过渡层、材料带隙波长渐变的InGaAsP基区、InP发射区、InP盖层、InGaAs欧姆接触层；一发射极，采用溅射的方法制作在InGaAs欧姆接触层上；一基极，采用溅射的方法制作在InGaAsP基区之上；一集电极，采用蒸镀的方法制作在InP衬底上。
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公开(公告)号：CN105207664A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510580528.5
申请日：2015-09-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03K19/094
Abstract: 本发明提供了三个负跨导放大器构成的大电感值、高Q值可调节有源电感。第一电流源与第三负跨导放大器连接，并为第三负跨导放大器提供偏置电流，第二电流源与第一负跨导放大器连接，并为第一负跨导放大器提供偏置电流，第三电流源与第二负跨导放大器连接，并为第二负跨导放大器提供偏置电流。有源反馈电阻跨接在第一负跨导放大器与第三负跨导放大器之间，源极负反馈与第一负跨导放大器相连接。本发明实现大电感值和高Q值，采用源极负反馈，来扩展有源电感的带宽，采用有源反馈电阻，来进一步提高等效电感值和品质因子Q值。通过对三个电流源的控制电压和有源反馈电阻的控制电压的协同调节，实现有源电感的电感值和Q值的可调节。
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公开(公告)号：CN104980125A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510393676.6
申请日：2015-07-07
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/04
Abstract: 本发明提供了一种采用负阻结构的宽频带、高Q值、可调谐的有源电感。该电感包括：负阻反馈晶体管，负跨导放大器，共栅跨导放大器，第一可调电阻网络，第二可调电阻网络，第一正跨导放大器，第二正跨导放大器，第一可调电流源，第二可调电流源。其中负阻反馈晶体管连接负跨导放大器形成负阻结构，提高有源电感的Q值。共栅跨导放大器提高有源电感的带宽。负跨导放大器与两个正跨导放大器一起构成双回转器结构提高有源电感的等效电感和Q值。两个可调电阻网络用来调节等效电感和Q值。两个可调电流源提供电流偏置。该有源电感的电感值的频率带宽能达到10GHz以上，电感值能在5nH到60nH之间调谐，Q值能达到1000，且Q值大于20的频带能达到5个GHz。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104660185A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510051759.7
申请日：2015-02-01
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03F1/42
Abstract: 一种低功耗超宽带低噪声放大器涉及一种射频集成电路技术领域。本发明通过采用由第一MOS管(M1)构成的共源输入放大级，可以使得第二MOS管(M2)的跨导增强，在实现输入匹配和噪声匹配的同时，实现高增益；第二MOS管(M2)的负载采用并联峰化电感L3和电阻R6，为电路系统提供一个零点，增加了电路系统的稳定性，并拓展其带宽；第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)、第三MOS管(M3)和第四MOS管(M4)构成多级电流复用结构，实现了低功耗。本发明提供了一种在2～5GHz频率范围内工作的低功耗超宽带低噪声放大器。
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公开(公告)号：CN104242830A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410484497.9
申请日：2014-09-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供一种基于有源电感的可重配置超宽带低噪声放大器，具有高增益且增益可调，小面积，低噪声等特点。该低噪声放大器包括并联反馈放大器，Cascode放大器，基于全差分浮地有源电感反馈的共源放大器和输出缓冲级。所述并联反馈放大器，采用电阻替代传统的螺旋电感来实现宽带输入阻抗匹配，减小了芯片的面积，并且这种结构增大了跨导，使跨导由原来的gmN或gmP变为gmN+gmP，降低了放大器的噪声。Cascode放大器和共源放大器级联组成了中间放大级，增大了整个放大器的增益。所述有源电感为全差分浮地有源电感，整个放大器只采用了一个有源电感，极大地减小了芯片的面积，并且通过调节其偏置电压可以改变电感值的大小，进而改变低噪声放大器的增益，实现增益的可调。
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公开(公告)号：CN103545398A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310485411.X
申请日：2013-10-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/0352 , H01L31/0304
Abstract: 基区渐变的单向载流子传输的双异质结光敏晶体管探测器属于半导体光电子技术领域，是一种可同时实现高响应度、高截止频率的光敏晶体管(UTC-DHPT)探测器。本发明包括：一InP衬底，利用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法在InP衬底上依次制备出InP缓冲层、InGaAsP次集电区、InGaAsP集电区、两层不同材料带隙波长的InGaAsP过渡层、材料带隙波长渐变的InGaAsP基区、InP发射区、InP盖层、InGaAs欧姆接触层；一发射极，采用溅射的方法制作在InGaAs欧姆接触层上；一基极，采用溅射的方法制作在InGaAsP基区之上；一集电极，采用蒸镀的方法制作在InP衬底上。
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公开(公告)号：CN201508838U
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200920222559.3
申请日：2009-09-17
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/737 , H01L29/417 , H01L21/331
Abstract: 本实用新型公开了一种晶体管，尤其是高热稳定性功率异质结双极晶体管。该晶体管发射极镇流电阻上的压降有效补偿了由于自加热效应引起温度上升而导致的内建电压的变化。同时，该晶体管采用发射极指间距由器件两侧向中心处线性增大的非均等指间距对称结构，或采用发射极指间距由两侧向中心处逐渐增大的同时，相邻的两个或两个以上指间距具有相同指间距值的对称结构，达到显著改善器件中心区域发射极指向外侧散热的能力，也有效阻止了热量从外侧指向中心指的流入，实现削弱指间热耦合效应、有效提高功率晶体管热稳定性的目的。与常规功率晶体管相比，本晶体管结温沿有源区分布更加均匀，抗热烧毁性好，可在较宽的偏置范围内有效改善功率器件的热稳定性。
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公开(公告)号：CN201111222Y
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200720149521.9
申请日：2007-06-08
Applicant: 北京工业大学
IPC: G07F7/02
Abstract: 本实用新型涉及一种智能安全键盘，用于银行、商场超市购物POS机等需要通过键盘输入密码的场所。包括有MCU、键值显示及键只值输入模块(3)。MCU通过软件程序生成顺序随机排列的0～9十个数，并把该排序的数送至键值显示及键值输入模块(3)中的键值显示模块显示；MCU通过行扫描和列扫描判断键值显示及键值输入模块(3)中键值输入模块的哪个按键被按下；MCU(1)设置有用于与上位机相连接的接口，通过该接口MCU(1)将键值显示及键值输入模块(3)中键值输入模块键入的键值传送给上位机。本实用新型输入键上的数值是随机改变的，在用该键输入密码时，他人不能通过手按键的位置来判断所输入的数值，具有一定的安全性。
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