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公开(公告)号：CN101962804B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201010527353.9
申请日：2010-10-30
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于外延材料应力控制的GaN厚膜自分离方法。本发明包括如下步骤：对衬底材料进行预处理；在衬底上生长外延材料，工艺条件渐变调制，实现外延材料的应力逐渐集中到预定自分离的位置；在外延材料的厚度达到预定自分离的位置时，工艺条件跃变调制，实现应力在该预定位置的跃变；再次工艺条件渐变调制，实现外延材料的应力随厚度增加而逐渐释放，也即实现应力逆向集中于预定位置；外延生长结束，并逐渐降温，以使得预定自分离位置两侧的应力差进一步放大，从而实现单晶厚膜在预定位置的自分离。本发明在保证外延材料质量的基础上，能有效控制外延材料中应力的整体分布，良好地实现外延材料的自分离。
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公开(公告)号：CN102175932A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110028955.4
申请日：2011-01-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种等离子体环境的电荷测试方法和测试系统。该测试系统包括一个采用MEMS与CMOS集成制作的芯片和测试电路，所述芯片包括双材料悬臂梁温度敏感结构和利用静电吸合原理获取等离子体密度的结构组成的测试单元，以应变电阻作为获取温度敏感结构和电荷收集结构形变的测试手段，通过测试电路测量应变电阻的变化。进行电荷测试时先对积累电荷初步测试，然后泄放电荷再次测量，从而排除干扰项仅保留电荷的影响，计算出电荷积累量。本发明采用多个测试单元以阵列的方式排列，可以实时监测电荷在时间和空间上的积累量和分布，为实时在线测试等离子体对器件的影响提供了一种可能。
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公开(公告)号：CN102163606A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110029132.3
申请日：2011-01-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种电荷检测芯片及其制备方法。该芯片包括双材料悬臂梁温度敏感结构和利用静电吸合原理获取等离子体密度的结构组成的测试单元，以应变电阻作为获取温度敏感结构和电荷收集结构形变的测试手段，采用多个测试单元以阵列的方式排列，可以实时监测等离子体环境中电荷在时间和空间上的积累量和分布，为实时在线测试等离子体对器件的影响提供了一种可能，且所述芯片可以多次重复使用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN204119568U
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201420457076.2
申请日：2014-08-13
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: H05B11/00
Abstract: 本实用新型公开了一种便于更换可混合使用加热方式的加热装置，本实用新型将加热器(如电阻加热器、红外加热器、电磁感应加热器)部分制成独立的标准加热模块，所述加热模块带有插头，加热装置本体带有插槽，所述插头既可与插槽插接供电加热，又可拔出便于快速更换不同类型的标准加热模块，具体地，可以在电阻丝加热模块、电磁感应加热模块或者红外线加热模块中，可选其中一种或任选二种或三种一起安装在加热装置本体上，混合使用多种加热方式，从而解决单一加热方式造成的不便与不完善，还可实施某些特殊工艺，进一步提升设备功能。本实用新型加热装置实用性强，可根据原料及工艺需求便于更换加热方式，减少加工，节省设备成本。
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公开(公告)号：CN202792515U
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201220320305.7
申请日：2012-07-04
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本实用新型公开了一种使气体快速加热至高温的装置，其结构简单，且无污染物。本实用新型包含有热装置的外壳、中频感应加热电源、感应线圈、热交换导板，外壳远离气体入口的另一端设有气体出口，外壳内气体入口与气体出口之间设有复数热交换导板，热交换导板连接端设置在外壳的内侧壁上，热交换导板另一端的悬空端与相对应的外壳内侧壁之间设有缺口，相邻热交换导板前的缺口上下相互交叉，复数热交换导板之间平行的间隔排布。本实用新型有效提高热交换效率，保证使气体快速加热至高温，而且由于采用电磁感应的加热方式加热热交换导板内的黑体材料，节能、无污染。
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公开(公告)号：CN203007478U
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201220573278.4
申请日：2012-11-02
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: C30B25/02
Abstract: 本实用新型公开了一种气相外延材料生长多腔分步式处理装置，增加反应腔体，针对性制造不同反应腔体，细化利用各种反应腔喷头。本实用新型包含有一个及以上的工艺处理腔，工艺处理腔侧面设有两个及以上的分步HVPE外延生长腔，工艺处理腔与分步HVPE外延生长腔之间设有一个及以上的装载/卸载晶片室，工艺处理腔、装载/卸载晶片室与分步HVPE外延生长腔之间设有传递作用的一个及以上的联动传递结构。本实用新型解决晶体材料生长步骤中热力学、化学反应动力学和不同生长条件沉积速率与反应腔喷头流速控制精度匹配等问题，以高效率批量获得高质量GaN衬底。
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公开(公告)号：CN202796894U
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201220320302.3
申请日：2012-07-04
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本实用新型公开了一种晶片托盘，可连续运用于晶片的生产和清洗工序。本实用新型包含托盘本体，托盘本体包含一上表面和一下表面，上表面包含晶片槽、流通孔、晶片支撑架、晶片取放槽、编码数字、小连接槽，下表面包含连接柱，上表面设有一个以上凹形的晶片槽，晶片槽内壁设有三条以上的晶片支撑架，晶片槽底部设有一个以上流通孔，晶片槽周边处设有一个以上晶片取放槽。本实用新型的晶片托盘在整套生产流程只需要发放晶片的操作员记录晶片编号，后续程序只需记录晶片对应的编码数字，达到晶片便于统筹管理，便于取放，便于计数的目的。
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公开(公告)号：CN203746816U
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201320727092.4
申请日：2013-11-18
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: H01L21/687
Abstract: 本实用新型公开了一种安全高效的多功能夹具，其特征在于，包含夹尾、两个夹臂、两个夹头、一至二个反光结构与一至二个放大结构。其特殊的放大结构和反光结构将模糊的标记放大，保证读取信息的可靠性。反光结构可以简化晶片背面信息读取操作，提高操作的安全性。本实用新型适用于各个使用晶片的行业。
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