公开(公告)号：CN103346089A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201310233771.0

申请日：2013-06-13

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张盛东 ,  肖祥 ,  迟世鹏 ,  冷传利 ,  邵阳

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种自对准双层沟道金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法，其步骤包括：在衬底上淀积一厚的高电阻率金属氧化物半导体层，以及一薄的低电阻率金属氧化物层，形成双层沟道；光刻和刻蚀双层沟道，形成有源区图形；在双层沟道上形成栅介质层和栅电极；在整个衬底上淀积一层含H覆盖层，然后对其进行热处理，使H扩散进入未被栅电极和栅介质所覆盖的沟道区外的金属氧化物中，形成重掺杂的低电阻率源漏区；制备接触孔和接触电极。本发明采用自对准双层沟道顶栅结构，能够降低源漏电阻，降低环境光对器件的影响，降低关态电流，提高器件的开态电流和迁移率。

公开(公告)号：CN103325840A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310130474.3

申请日：2013-04-15

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张盛东 ,  邵阳 ,  贺鑫 ,  肖祥

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/461 ,  H01L21/465 ,  H01L21/467 ,  H01L21/477 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管的制作方法，其包括：在一衬底的第一表面形成栅电极；在衬底的第一表面形成覆盖栅电极的栅介质层；在栅介质层上形成一金属氧化物半导体层；对金属氧化物半导体层进行处理，使金属氧化物半导体层露出一沟道区；阳极氧化处理该沟道区，使沟道区具有第一载流子浓度；对金属氧化物半导体层进行光刻和刻蚀形成一有源区，该有源区包括该沟道区以及具有第二载流子浓度的位于该沟道区两侧的一源区及一沟道区，且第一载流子浓度低于第二载流子浓度；以及生成该源区、漏区和栅电极的电极连线，从而形成薄膜晶体管。利用上述方法制作的薄膜晶体管的源区，漏区及沟道区位于同一膜层，且沟道区具有低于源区、漏区的载流子浓度。

公开(公告)号：CN102270425B

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201010189511.4

申请日：2010-06-01

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张盛东 ,  王龙彦 ,  梁逸南 ,  廖聪维

IPC: G09G3/32

Abstract: 本发明提供一种像素电路及显示设备，包括：电源线，用于提供电源；第一电容，用于存储数据线供应的数据信号；第一晶体管，用于驱动发光器件发光；第二晶体管，用于与第一晶体管形成镜像结构；第三晶体管，用于控制第一电容的第二电极的放电；第四晶体管，用于采样数据线供应的数据信号；第五晶体管，用于控制第一电容的充电；第六晶体管，用于控制第一电容的第一电极的放电。本发明通过不同晶体管组成的电路结构来产生并消除阈值电压，从而有效补偿因a-Si:H TFT阈值电压漂移带来的OLED亮度不均和亮度变化，同时栅扫描信号引自上下级像素，避免额外增加外围驱动IC的复杂程度。

公开(公告)号：CN101783124B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201010111791.7

申请日：2010-02-08

Applicant: 北京大学深圳研究生院 ,  昆山龙腾光电有限公司

Inventor： 张盛东 ,  廖聪维 ,  何常德 ,  戴文君

IPC: G09G3/36 ,  G09G3/20

CPC classification number: G09G3/3677 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2300/0417 ,  G09G2310/0286 ,  G09G2310/08 ,  G11C19/184 ,  G11C19/28

Abstract: 本发明公开了一种栅极驱动电路单元、栅极驱动电路及显示装置，该栅极驱动电路单元包括：第一时钟信号控制模块包括驱动单元和时钟馈通抑制单元，驱动单元在开启后，将第一时钟信号传送到输出端口；时钟馈通抑制单元在第一时钟信号的控制下将驱动单元的控制端藕合到信号输出接口；输入信号控制模块在输入脉冲信号的控制下，给驱动单元提供驱动电压；第三时钟信号控制模块在第三时钟信号的控制下给驱动单元提供关闭电压，第三时钟信号比第一时钟信号滞后两个相位；第四时钟信号控制模块在第四时钟信号的控制下拉下信号输出接口的电压，第四时钟信号比第一时钟信号超前一个相位。本发明设计简单，功耗小，稳定度高。

公开(公告)号：CN103050544A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201310018388.3

申请日：2013-01-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 韩德栋 ,  张索明 ,  田宇 ,  单东方 ,  黄福青 ,  丛瑛瑛 ,  王漪 ,  张盛东 ,  刘力锋 ,  刘晓彦 ,  康晋锋

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种底栅薄膜晶体管及其制备方法。本发明在玻璃或者塑料的衬底上制备薄膜晶体管，采用掺镓的氧化锌半导体材料作为透明半导体导电的沟道层，在制备过程中采用独特工艺加入适量的氧气使掺镓的氧化锌呈现出半导体特性，并且显示出高迁移特性，有效的提高了薄膜晶体管的性能。本发明的制备方法步骤简单，制备成本低，对提高薄膜晶体管器件的性能具有积极效果，改善了器件性能，降低了制备成本。同时，氧化锌镓薄膜是环保材料，工艺简单，制备成本低，具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN102169669B

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201110108543.1

申请日：2011-04-28

Applicant: 北京大学深圳研究生院 ,  昆山龙腾光电有限公司

Inventor： 张盛东 ,  廖聪维 ,  陈韬 ,  刘晓明 ,  戴文君 ,  钟德镇 ,  简庭宪

IPC: G09G3/20

Abstract: 本发明公开了一种栅极驱动电路单元，包括信号输入接口，接收输入脉冲信号；信号输出接口，输出栅极驱动信号；第一晶体管，在第一时钟信号控制下将输入脉冲信号送到第二晶体管的控制极，当第一时钟信号和输入脉冲信号为高电平时，为第二晶体管提供开启电压，当第一时钟信号为高电平、输入信号为低电平时，下拉第二晶体管控制极的电位，使第二晶体管关断；第二晶体管，在开启状态下将第二时钟信号送到信号输出接口，当第二时钟信号变为高电平时使信号输出接口输出栅极驱动信号，当第二时钟信号为低电平时下拉信号输出接口电压；第一时钟信号和第二时钟信号周期和占空比相同，第一时钟信号的高电平比第二时钟信号的高电平提前到来。本发明能减小栅极驱动电路的面积。

公开(公告)号：CN102593008A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210050309.2

申请日：2012-02-29

Applicant: 北京大学

Inventor： 王漪 ,  王亮亮 ,  韩德栋 ,  蔡剑 ,  王薇 ,  耿友峰 ,  任奕成 ,  张盛东 ,  刘晓彦 ,  康晋锋

IPC: H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种底栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法。本发明的制备方法采用底栅结构，首先生长光刻刻蚀出栅电极，然后连续生长栅介质层及有源区层，再光刻刻蚀出有源区，以栅电极为掩膜，配合源电极和漏电极的掩膜版，背部曝光即可实现自对准。由于该方法实现了源电极和漏电极与栅电极的自对准，极大减小栅电极与源漏的寄生电容，因而能提高薄膜晶体管电路的驱动能力。而该制备方法的改进在于，背曝光的同时使光线通过源电极和漏电极的掩膜版，光刻之后结合剥离工艺即可一次形成源电极和漏电极的区域。整个流程只需三步光刻，节省了一步光刻工艺。由于微电子工艺对光刻的成本极为敏感，因此本发明的制备方法可简化工艺流程，节约制造成本。

公开(公告)号：CN101984506B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010504099.0

申请日：2010-10-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 韩德栋 ,  王漪 ,  张盛东 ,  孙雷 ,  张韬 ,  任奕成 ,  康晋锋 ,  刘晓彦 ,  韩汝琦

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/311 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供了一种二次光刻实现薄膜晶体管的制备方法，属于半导体技术平板显示领域。该方法具体包括：首先在玻璃或者塑料衬底上生长一层半导体沟道层；然后生长一层栅绝缘介质层；再进行第一次光刻和刻蚀定义栅绝缘介质层图形；随后生长一层导电薄膜材料，光刻和刻蚀形成栅电极、源端电极和漏端电极。本发明采用二次光刻形成薄膜晶体管的工艺技术，减少了光刻次数，简化了工艺步骤，从而提高了工作效率，降低了制造成本。为液晶显示等行业提供简便可行的薄膜晶体管制备方法。

公开(公告)号：CN102402936A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110375737.8

申请日：2011-11-23

Applicant: 北京大学深圳研究生院 ,  昆山龙腾光电有限公司

Inventor： 张盛东 ,  陈韬 ,  廖聪维 ,  刘晓明 ,  戴文君 ,  钟德镇 ,  简庭宪

IPC: G09G3/20

Abstract: 本发明公开了一种栅极驱动电路单元、栅极驱动电路以及带有栅极驱动电路的显示装置，其中栅极驱动电路单元包括：分别用于输入第一、第二脉冲信号的两个信号输入端、信号输出端、第一时钟信号输入端和驱动电路单元，其中，当第一时钟信号变为下一周期的低电平时，第二脉冲信号到来，且第二脉冲信号相比于第一时钟信号的低电平具有时间上的延迟。与现有技术相比，本发明实施例通过减少栅极驱动电路单元中晶体管的数量，节省了电路的面积，使得栅极驱动电路结构精简，从而更有效利用了显示装置面板的面积，使得该栅极驱动电路能够满足更高应用条件的使用。

公开(公告)号：CN102157565A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110020661.7

申请日：2011-01-18

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 张盛东 ,  贺鑫 ,  王漪 ,  韩德栋 ,  韩汝琦

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开了一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，通过先生成具有高载流子浓度的有源层，然后将沟道区通过具有氧化功能的等离子体进行氧化处理，在保持源漏区具有高的载流子浓度的同时，使沟道区具有低的载流子浓度；另外，晶体管的阈值电压由后续低温下具有氧化功能的等离子体处理条件所控制，因此晶体管特性的可控性大为提高，制作的工艺流程也有所简化。