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公开(公告)号：CN112111562A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202011031593.X
申请日：2020-09-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C12Q1/6806 , C12N15/10 , C40B50/06
Abstract: 本发明公开了一种表观遗传修饰核酸文库的构建方法及其应用，所述方法包括以下步骤：提供模板核酸，对所述模板核酸进行PCR扩增，得到含有磷酸修饰的PCR扩增产物；采用核酸外切酶对所述PCR扩增产物进行切割，消化掉含有磷酸修饰的一条链，得到无修饰的单链DNA；对所述单链DNA进行互补配对，然后在预设位点修饰表观修饰分子，得到修饰产物；将所述修饰产物中的短链延伸补齐，得到表观修饰核酸链。本发明可以实现在目标序列的任意位点产生单个或者多个表观修饰分子修饰，从而能够为研究表观修饰核苷酸在核酸链中的位置和丰度等相关技术或方法提供标准样本。
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公开(公告)号：CN111721709A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010073591.0
申请日：2020-01-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种利用光调制提高硅纳米线传感器信噪比的方法及装置。方法包括，基于载波信号，确定硅纳米线传感器的光激励信号；基于所述光激励信号，获取所述硅纳米线传感器对所述被测物的调制信号；利用锁相放大器对所述载波信号和所述调制信号进行处理，获得所述硅纳米线传感器对所述被测物的目标响应信号。本发明所述的方法利用锁相放大器将硅纳米线传感器的目标物响应信号的信号频谱迁移到载波信号所在频率处，再进行放大，避开硅纳米线传感器噪声的干扰。可以大幅度提高硅纳米线传感器信噪比，增强传感器的抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN111721708A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010073580.2
申请日：2020-01-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种利用光调控硅纳米线传感器灵敏度的装置及方法，所述装置包括用于输出测试目标物的敏感信号，并将敏感信号转换为电信号的硅纳米线传感器，用于为硅纳米线传感器提供预设光照强度的光源；用于调节预设光照强度的光功率调节器以及进行信号处理和反馈的信号处理器。该装置通过在硅纳米线传感器的顶端设置功率可调光源，改变其周围的光照条件，从而实现调控其灵敏度的功能。该方法利用硅纳米线传感器在不同的光照强度下具有不同的响应灵敏度，通过设定合适的光照条件来调控传感器的灵敏度。本发明结构简单，操作方便，对器件没有损伤，可以实现对硅纳米线传感器灵敏度的便捷、有效调控。
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公开(公告)号：CN111537670A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010312318.9
申请日：2020-04-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N33/00
Abstract: 本发明涉及气体测试设备领域，本发明公开了一种顶接触式气体测试腔及应用其的动态气体测试系统。该顶接触式气体测试腔包括：第一壳体，该第一壳体的顶部设有第一凹槽；第二壳体，该第二壳体的底部设有第二凹槽和探针固定孔，该第二凹槽与该第一凹槽通过该第一壳体和该第二壳体对接形成通孔；其中，该通孔的一端与供气装置连接，该通孔用于放置气体传感器和流通气体。本发明提供的顶接触式气体测试腔具有稳定时间短、测试效果好，以及与普通探针构成的气体测试系统具有成本低和占用空间小的特点。
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公开(公告)号：CN110407154A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201810400599.6
申请日：2018-04-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种MEMS微执行器，包括：衬底层和位于所述衬底层上的器件层，衬底层上形成有凹槽，凹槽底部形成有上下贯通的通孔；器件层包括样品搭载部，驱动部及电极部，样品搭载部和驱动部位于衬底层的凹槽上；驱动部包括支撑单元和静电梳齿驱动单元，通过静电梳齿驱动单元驱动样品搭载部，在施加外来激励的同时原位动态记录纳米材料的微观结构演化。本申请的MEMS微执行器具有可批量生产，且制作方法简单，响应时间更短，稳定性更好，控制精度更高等优点。本申请的原位单轴拉伸器件，利用了本申请的MEMS微执行器，具有很高的适配性，能避免温度对纳米样品的影响，可在室温下观察纳米样品的显微结构演化过程，并从最佳的晶带轴实现高分辨成像。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109916960A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910174319.9
申请日：2019-03-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微纳米材料热电性能的双温控测量方法，采用两个独立控温的微加热器，且微加热器由悬空薄膜支撑，包括以下步骤：将两个独立控温的微加热器放置于真空系统中，连接好测试电路，进行参照组的测试；将待测的微纳米材料两端分别用导电材料固定在两个独立的微加热器上，并通过金属引线引出，再放置于真空系统中，连接好测试电路，进行测试，同时记录待测的微纳米材料两端的电阻值和产生的Seebeck电压值；利用热平衡原理和傅里叶导热定律计算得出材料的热导率。本发明不需要辅助控温系统，具有冷热端温度和温差独立且连续可控的优点，还可以结合现代分析测试仪器进行微纳米材料热电性能的原位表征。
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公开(公告)号：CN108305912A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201710018051.0
申请日：2017-01-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 北京正旦国际科技有限责任公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/09 , H01L31/028 , H01L31/0216
Abstract: 本发明提供一种具有波长选择性的石墨烯仿生光探测器及其制备方法，包括步骤：1)提供一基板；2)于所述基板上形成电极器件，包括测试电极、供电引线、供电电极；3)提供石墨烯并转移至所述电极器件上，至少覆盖所述测试电极；4)将上述结构置于反应炉中退火；5)于退火后的所述石墨烯表面形成具有活性基团的活性薄膜；6)于所述活性薄膜表面形成光受体蛋白。本发明将石墨烯与对特定波长光辐射敏感的光受体蛋白相结合，尤其改变了本征石墨烯对光的无选择性吸收并且吸收率低的缺点，灵敏度高，响应和恢复快，稳定性好，另外，本发明工艺过程简单，成本较低，适于批量生产。
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公开(公告)号：CN108231901A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810007579.2
申请日：2018-01-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , G01N27/414
Abstract: 本发明提供一种基于负电容的场效应晶体管、生物传感器及制备方法，场效应晶体管的制备包括：提供半导体衬底，包括底层硅、埋氧层以及顶层硅；定义出沟道图形及连接于两端的源区图形和漏区图形；向所述源区图形及所述漏区图形对应的位置进行性离子注入，形成沟道区以及源区和漏区；于沟道区的表面形成介质层；于介质层表面形成导电层，于导电层表面形成铁电掺杂的铁电性材料层；制作源电极、漏电极以及栅电极。通过上述方案，本发明将传统的场效应晶体管与铁电负电容集成，降低器件的亚阈值摆幅，提高传感灵敏度和响应速度，利于器件功率的降低，另外，本发明采用铁电掺杂的氧化铪作为铁电负电容介质，解决了无机铁电材料难以与CMOS工艺兼容的问题。
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公开(公告)号：CN107453052A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710685056.9
申请日：2017-08-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种电磁吸收超材料，其上表面处于工作环境中，包括周期性谐振单元阵列，所述电磁吸收超材料所述电磁吸收超材料上表面设有一层电介质复合薄膜，该薄膜为固态电介质层按不同厚度比例的叠加所述电介质复合薄膜的材料选自氧化硅、氮化硅、氧化铝、氟化镁或硅中的至少两种。本发明的电磁吸收超材料通过选取不同种类的介质薄膜，并把他们按照一定比例叠加，可以获得折射率在选取介质中最大与最小折射率之间的介质薄膜，从而实现表面晶格共振的更加灵活和可控的调制；电介质复合薄膜为固态电介质层按不同厚度比例的叠加，所以几乎可以在任意工作环境下工作，甚至是液态或运动的环境。
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公开(公告)号：CN106841629A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201510882994.9
申请日：2015-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 北京正旦国际科技有限责任公司
IPC: G01N33/68
Abstract: 本发明涉及生物传感技术领域，特别是涉及一种基于硅纳米线的气味识别生物传感器。本发明采用硅纳米线作为换能器，其比表面积高，对表面电荷密度改变极为敏感，可实现气相条件下气味分子的高灵敏检测，检测灵敏度达到ppb量级；工艺过程简单，可控性强，可与现有半导体工艺完全兼容；成本较低，适于批量生产。
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