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公开(公告)号：CN103050621B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201110306813.X
申请日：2011-10-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种用于相变存储器的相变材料，所述相变材料由Al，Sb，Te元素组成的通式为Al100-x-ySbxTey的材料，其中，40≤x＜100，y＜60。本发明提供的Al-Sb-Te系列相变材料作为相变存储器中的存储介质，可以在电信号作用下实现高低阻值之间的转换。基于Al-Sb-Te系列相变材料的相变存储器在电信号的操作下，低阻阻值大于基于Ge-Sb-Te传统相变材料的器件低阻值，满足了低功耗的需求。并且Al-Sb-Te基相变存储器在循环擦写107次之后仍维持了正常的高低阻差别，体现出器件的循环使用寿命长。本发明的富Sb的Al-Sb-Te材料在结晶状态下的没有产生不稳定的Te元素分相，保障了该材料反复相变之后的均匀性，有益于提高基于该材料的相变存储器的循环操作寿命。
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公开(公告)号：CN104409333A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410768142.2
申请日：2014-12-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0279
Abstract: 本发明提供一种相变材料GeTe的耦合等离子体刻蚀方法，包括步骤：1）于衬底上制备GeTe材料薄膜层；2）于所述GeTe材料薄膜层上形成刻蚀阻挡层，并图形化所述刻蚀阻挡层；3）将GeTe材料薄膜层送入具有BCl3和Ar的气体刻蚀腔中；4）在气体刻蚀腔中，通过施加电压，使得BCl3和Ar激发成等离子体体，BCl3主要起化学腐蚀作用，Ar+离子对材料表面进行轰击，两者协同作用，将暴露出来的GeTe材料去除，被刻蚀阻挡层保护的GeTe材料集成到器件或者电路当中。本发明选取了BCl3作为主要的化学反应气体，选取Ar气进行物理轰击，形成了表面光滑，侧壁垂直，侧壁损伤低的GeTe薄膜图形。本发明刻蚀速度很高，且能够很好的控制，具有较广泛的适用范围。
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公开(公告)号：CN104392058A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410712365.7
申请日：2014-11-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供一种外延双沟道隔离二极管驱动阵列建模方法及仿真模型，提取单一器件尺寸、规模及基准工艺条件下的二极管阵列器件的工艺模型参数和器件模型参数并建立工艺模型和器件模型；依据实验流片的参数测试结果校验得到的工艺模型参数和器件模型参数；根据校验后的工艺模型参数和器件模型参数建立二极管电学特性与器件尺寸、工艺模型参数和器件模型参数的依存性关系；利用寄生三极管网络模型仿真二极管阵列内部正向驱动电流、串扰电流与衬底漏电流之间的关系，然后校验二极管阵列器件的工艺优化条件。根据下一代二极管驱动阵列器件的性能要求，可以方便、快捷地确定器件工艺条件和器件参数，预测器件性能。
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公开(公告)号：CN104124337A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410335807.0
申请日：2014-07-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及相变存储器单元的制作方法。本发明针对包含加热电极过渡层材料TiON的相变存储器器件单元结构，提出一种TiON过渡层的制备方法，即采用氧等离子体处理TiN的方法，该方法在不增加相变存储器制作工艺复杂度的前提下，实现了TiON材料的均匀可控制备，方法简单易行，且与半导体工艺完全兼容，可有效提高加热电极的加热效率，降低相变存储器操作电流和功耗。
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公开(公告)号：CN102593350B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201110020727.2
申请日：2011-01-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1253 , G11C13/0004 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L45/1625 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供一种相变存储单元及其制作方法，所述相变存储单元除半导体衬底、第一电极层、相变材料层、第二电极层和引出电极之外，还包括用于避免所述相变材料层在化学机械抛光工艺中过度腐蚀的高阻材料层，所述高阻材料层的阻值至少为所述相变材料层的阻值的十倍及以上，可以避免相变材料层在化学机械抛光工艺中过度腐蚀的现象，提高相变存储单元的存储性能和成品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103441215A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310370735.9
申请日：2013-08-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种三明治型刀片状电极的相变存储结构及其制备方法，在衬底上与下电极不重合的位置制备支撑结构；依次沉积第一绝缘材料层、与下电极接触的加热电极层以及第二绝缘材料层；利用相互垂直的第一、第二分隔槽分隔相邻所述下电极，形成三明治型刀片状电极；在所述第一、第二分隔槽内沉积绝缘材料；形成绝缘材料层并平坦化；使得三明治型刀片状电极露出；在所述三明治型刀片状电极上方形成与其接触的相变材料层；在所述相变材料层上形成上电极。本发明克服因加热电极被氧化导致电阻稳定性差，三明治型刀片状纳米电极包覆的氮化物有助于阻止电极被氧化，从而避免电极阻值的不稳定，克服了相变存储器器件的失效，提高器件的成品率。
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公开(公告)号：CN103427022A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310370885.X
申请日：2013-08-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种三明治型电极的相变存储结构及其制备方法，在设置有下电极的衬底上表面形成暴露出所述下电极上表面的第一绝缘材料层；接着制备与所述下电极接触的加热电极；继续沉积绝缘材料层；利用第一分隔槽分割相邻所述下电极，形成三明治型电极结构；在所述绝缘材料层上表面、第一分隔槽内壁上依次形成相变材料层、上电极；利用第二分隔槽分割相邻的三明治型电极结构；平坦化并暴露出第四绝缘层下方的上电极。本发明克服因加热电极被氧化导致电阻稳定性差，三明治型纳米电极包覆的氮化物有助于阻止电极被氧化，从而避免电极阻值的不稳定，克服了相变存储器器件的失效，提高器件的成品率。
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公开(公告)号：CN102148329B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201110026033.X
申请日：2011-01-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明揭示了一种电阻转换存储器结构及其制造方法，该电阻转换存储器结构，包括：多个选通单元和多个电阻转换存储单元；其中，每一个选通单元对应两个电阻转换存储单元；所述电阻转换存储单元包括上电极、下电极和夹在所述上、下电极之间的存储材料；所述存储材料与上、下电极的接触面积不等；所述下电极周围包覆有绝缘材料，下电极形成于该绝缘材料的夹缝中，其在垂直下电极表面方向的投影为条形，条形的长宽比大于3∶1；并且所述存储材料部分或者全部嵌在所述绝缘材料之中。本发明的存储器结构具有较高的密度、较低的功耗以及较为简单的工艺，因此在器件的性能和成本上都具有明显的优势。
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公开(公告)号：CN102534479B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201010591390.6
申请日：2010-12-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料及制备方法，该复合相变材料由微晶态的Si和相变材料SbxTe1-x复合而成，其中0.1≤x≤0.9。可以利用PVD形成非晶Si-SbxTe1-x材料，然后在氢气气氛中退火形成微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料，最后加热脱氢完成该材料的制备。本发明的微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料中，微晶Si的存在能有效抑制氧化，阻碍Si与SbxTe1-x的相互扩散，具有更稳定的特性。同时微晶态的Si改变了相变中电流的分布，有利于降低功耗提高寿命，改善相变存储器的操作稳定性。
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公开(公告)号：CN1877743B
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN200610028740.1
申请日：2006-07-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及相变存储器器件单元阵列演示系统及可视化演示的方法，其特征在于所述的演示系统由控制计算机、脉冲信号发生器、控制电路板、相变存储器存储阵列芯片及转换连接部件构成，其中所述的电路板是由控制电路、选址电路、切换电路、读出电路、显示电路组成的；整个演示系统得核心为单片机，控制计算机通过自带的RS232接口实现与单片机的通信，接受指令和数据的传递；单片机通过可编程逻辑器件实现对周围各种模块，如发光二极管、液晶显示屏、读出电路、切换电路或选址电路的控制，所述的演示方法包括数据的存储、读出以及简单数据运算的演示，也即对器件单元阵列的数据读/写/擦过程进行可视化的演示。
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