公开(公告)号：CN103050621B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201110306813.X

申请日：2011-10-11

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 任堃 ,  饶峰 ,  宋志棠 ,  彭程 ,  宋宏甲 ,  刘波

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供一种用于相变存储器的相变材料，所述相变材料由Al，Sb，Te元素组成的通式为Al100-x-ySbxTey的材料，其中，40≤x＜100，y＜60。本发明提供的Al-Sb-Te系列相变材料作为相变存储器中的存储介质，可以在电信号作用下实现高低阻值之间的转换。基于Al-Sb-Te系列相变材料的相变存储器在电信号的操作下，低阻阻值大于基于Ge-Sb-Te传统相变材料的器件低阻值，满足了低功耗的需求。并且Al-Sb-Te基相变存储器在循环擦写107次之后仍维持了正常的高低阻差别，体现出器件的循环使用寿命长。本发明的富Sb的Al-Sb-Te材料在结晶状态下的没有产生不稳定的Te元素分相，保障了该材料反复相变之后的均匀性，有益于提高基于该材料的相变存储器的循环操作寿命。

公开(公告)号：CN103367633A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201210085567.4

申请日：2012-03-27

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宋宏甲 ,  宋志棠 ,  饶峰 ,  吴良才 ,  彭程 ,  朱敏 ,  刘波

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明涉及一种用于相变存储器的钨掺杂改性的相变材料，该材料属于微电子技术领域。本发明的相变材料的通式为，A为、和中的任一种，x、y、z为原子百分比，且0＜x＜0.65，0.35＜y＜0.8，0.25＜z＜0.95。所述相变材料在外部电驱动脉冲作用下具有可逆相变。通过适当调节钨的掺杂含量，可使其物性发生改变，得到的材料与其未掺杂的材料A相比，具有更高的结晶温度，有助于提高相变存储器的热稳定性和数据保持力，同时保持着原有材料纳秒级的相变速度。另外该相变材料中的各元素与COMS兼容性好，且其制备工艺成熟，并可进一步获得基于所述钨掺杂改性的相变材料的相变存储器件单元。

公开(公告)号：CN103050621A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201110306813.X

申请日：2011-10-11

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 任堃 ,  饶峰 ,  宋志棠 ,  彭程 ,  宋宏甲 ,  刘波

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供一种用于相变存储器的相变材料，所述相变材料由Al，Sb，Te元素组成的通式为Al100-x-ySbxTey的材料，其中，40≤x＜100，y＜60。本发明提供的Al-Sb-Te系列相变材料作为相变存储器中的存储介质，可以在电信号作用下实现高低阻值之间的转换。基于Al-Sb-Te系列相变材料的相变存储器在电信号的操作下，低阻阻值大于基于Ge-Sb-Te传统相变材料的器件低阻值，满足了低功耗的需求。并且Al-Sb-Te基相变存储器在循环擦写107次之后仍维持了正常的高低阻差别，体现出器件的循环使用寿命长。本发明的富Sb的Al-Sb-Te材料在结晶状态下的没有产生不稳定的Te元素分相，保障了该材料反复相变之后的均匀性，有益于提高基于该材料的相变存储器的循环操作寿命。