公开(公告)号：CN101123180A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710141807.7

申请日：2007-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵世泳 ,  朴永洙 ,  鲜于文旭

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了一种鳍式结构和制造采用该鳍式结构的鳍式晶体管的方法。在基底上形成包括侧壁的多个台面结构。在台面结构上形成半导体层。在半导体层上形成覆盖层。因此，半导体层被覆盖层保护，并包括将被形成为鳍式结构的部分。通过平面化工艺来去除覆盖层的上部的部分，由此去除半导体层在台面结构的上表面上的那部分。结果，在台面结构的侧面上形成彼此隔离的鳍式结构。因此，可以形成具有非常窄的宽度的鳍式结构，并可以容易地控制鳍式结构的厚度和位置。

公开(公告)号：CN101060138A

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200610143366.X

申请日：2006-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴宰彻 ,  朴永洙 ,  车映官

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L27/1296 ,  H01L27/3244

Abstract: 本发明提供一种非晶硅薄膜晶体管和具有该非晶硅薄膜晶体管的有机发光显示器件。该晶体管包括非晶硅薄膜晶体管部分，其包括栅电极、栅绝缘层、非晶硅层和源/漏电极，这些全部形成在衬底上；以及热生成部分，用于产生热并将所述热施加到该非晶硅层以恢复阈值电压。

公开(公告)号：CN1909194A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200610105892.7

申请日：2006-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具俊谟 ,  徐范锡 ,  朴永洙 ,  李正贤 ,  申尚旻 ,  金锡必

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/02 ,  H01L21/82 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L21/02197 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明提供了能够增加贵金属层在铁电层上的沉积速率的制造材料层的方法、使用该材料层的铁电电容器的制造方法、通过该方法制造的铁电电容器、以及具有该铁电电容器的半导体存储器及其制造方法。根据制造材料层的方法，形成了铁电电容器。之后，将铁电层暴露于籽等离子体，包括籽等离子体的源材料的材料层形成在铁电层暴露于籽等离子体的区域上。

公开(公告)号：CN1783336A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510116550.0

申请日：2005-08-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正贤 ,  朴永洙

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/08 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L45/122 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供一种电阻多层器件和非易失性存储器。该电阻多层器件包括：含有第一材料的第一层，该第一材料是导电的；设置在该第一层上的第二层，其中该第二层含有第二材料，通过使电流流经该第二材料，该第二材料具有在反铁磁态和顺磁态之间可转换的态；设置在该第二层上的第三层；以及设置在该第一和第三层之间的第四层，其中该第四层含有电介质材料，其中该第三层含有导电的第三材料，该第二层在反铁磁态具有与其在顺磁态的电阻不同的电阻，在没有施加电力时，该第二材料的状态被保持。该电阻多层器件可以形成为非易失性存储器的存储单元的一部分，其中基于该第二材料的状态，信息被存储在该存储单元中。

公开(公告)号：CN1694256A

公开(公告)日：2005-11-09

申请号：CN200510076258.0

申请日：2005-05-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴永洙 ,  李正贤 ,  赵重来 ,  具俊谟 ,  金锡必 ,  申尚旻

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65

Abstract: 提供了一种存储设备的电容器及其制造方法，用于实现高集成度的半导体存储设备并保持优良的疲劳特性。在具有晶体管结构的存储设备的电容器中，电容器包括形成在晶体管结构的掺杂区上的、包括金属电极和金属氧化物电极的下部电极，围绕下部电极的铁电层，和形成在铁电层上的上部电极。

公开(公告)号：CN1495867A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN03147080.7

申请日：2003-08-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹永真 ,  闵约赛 ,  朴永洙 ,  李正贤 ,  李俊冀 ,  李容均

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/28185 ,  C01G29/006 ,  C01P2002/36 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/85 ,  C01P2002/89 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/80 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/16 ,  C04B35/475 ,  C04B35/6264 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/76 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55 ,  H01L29/516 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明提供一种具有烧绿石相的铋钛硅氧化物，一种由铋钛硅氧化物形成的薄膜，以及制备这种铋钛硅氧化物薄膜的方法，用于半导体设备并包含这种铋钛硅氧化物薄膜的电容器和晶体管，采用了这种电容器和/或晶体管的电子设备。铋钛硅氧化物具有良好的介电性质，并且其是热稳定以及化学稳定的。铋钛硅氧化物薄膜可以有效的应用于半导体设备中作为电容器的介电薄膜或者晶体管的门极介电薄膜。应用具有铋钛硅氧化物薄膜的电容器和/或晶体管可以制备出具有良好的电特性的各式电子设备。

公开(公告)号：CN1245835A

公开(公告)日：2000-03-01

申请号：CN99118133.6

申请日：1999-08-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴永洙

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/56

Abstract: 本发明提供了一种去除在具有或者没有铁电覆底层的硅器件内氢原子的方法。在该氢原子去除方法中,为了防止器件特性因氢原子所造成的劣化,在铁电材料上形成Pt上电极并且然后在其上淀积一个氧化硅膜。另外,进行一种高密度氧等离子体处理,从而提高该Pt电极的颗粒直径或者抑制该催化反应。因而,在硅的淀积过程中,抑制了氢原子扩散进入该铁电层内并且去除了该氧化硅膜内的氢原子。因而,可以抑制因氢原子所造成的器件特性的劣化。

公开(公告)号：CN1118915A

公开(公告)日：1996-03-20

申请号：CN95109191.3

申请日：1995-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴永洙 ,  金相准 ,  金圣薰 ,  李兆远

IPC: G11B5/127

CPC classification number: G11B5/255 ,  G11B5/1871 ,  G11B5/455 ,  G11B5/53 ,  G11B33/10 ,  Y10T29/49048 ,  Y10T29/49055 ,  Y10T29/49057

Abstract: 一种用于制造磁头的方法，该磁头用于在或从磁记录介质，例如录像带上记录或重放信息，该方法包括，制备具有同磁带相接触的一接触面的一片磁芯，该磁芯有一用于形成泄漏磁场的间隙，利用离子蚀刻方法对该片磁芯的接触面进行抛光，该离子蚀刻即是用离子碰撞该接触面。在接触面上形成保护层，该保护层是由具有高度表面润滑特性和良好的抗磨损特性的材料制成。用上述方法，磁头污染降低，磁头寿命延长和磁记录和重放特能得到改进。