公开(公告)号：CN103117242A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201210436958.6

申请日：2012-11-05

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 里什·查特里 ,  大卫·谢弗 ,  李成 ,  丹·哈伯

IPC分类号： H01L21/687

CPC分类号： H01L21/68735 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6719 ,  Y10T29/49826 ,  Y10T29/49863 ,  Y10T29/53 ,  Y10T29/53657

摘要： 本发明提供了一种包含安装固定件、多个机械紧固件和嵌入工具的套件，使得能够以使弹性体带的内应力释放的方式将弹性体带设置在围绕半导体衬底支撑件的安装槽中，导致弹性体带具有较长的运行寿命。用机械紧固件将该安装固定件固定到衬底支撑件上。将弹性体带围绕安装固定件的外周缘设置，并来回转动以释放该弹性体带的内应力。将该固定件倒转，并使该弹性体带垂直滑动离开该固定件并进入安装槽中。可以使用嵌入工具将该弹性体带全部嵌入到安装槽中。

公开(公告)号：CN101874292B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200880117690.1

申请日：2008-12-15

申请人： 应用材料公司

发明人： 刘炜 ,  乔黑尼斯·F·斯温伯格 ,  哈恩·D·阮 ,  桑·T·阮 ,  罗杰·柯蒂斯 ,  菲利普·A·博蒂尼 ,  迈克尔·J·马克

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H05H1/34

CPC分类号： H01L21/68742 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32623 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/68735

摘要： 本发明一般地提供在处理过程中控制边缘表现的方法与设备。本发明一个实施例提供的设备包括界定处理空间的腔室主体、设置以将处理气体流入处理空间的气体入口、及配置于处理空间中的支撑底座。支撑底座包括顶部平板，其具有设置以于背侧上接收并支撑基板的基板支撑表面、与设置以沿着基板的外边缘围绕基板的边缘表面，而基板的顶表面与边缘表面间的高度差用来控制基板的边缘区域对处理气体的暴露。

公开(公告)号：CN102893386A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201180006929.X

申请日：2011-05-02

申请人： 诺发系统有限公司

发明人： 艾维利恩·安格洛夫 ,  布赖恩·西弗森 ,  纳坦·所罗门

IPC分类号： H01L21/683

CPC分类号： H01L21/683 ,  B23Q3/105 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68757 ,  H01L21/68785

摘要： 本发明描述新颖的半导体处理托架及包含此类托架的设备的实例。这些托架经特定配置以向半导体衬底提供均匀的热传递且减少维修复杂性及/或频率。具体来说，托架可包含可移除盖，所述可移除盖定位于所述托架的金属载盘上方。所述可移除盖经配置以维持其面向衬底的表面的一致且均匀的温度分布，尽管所述载盘的上表面(其支撑所述盖且与所述盖热连通)可具有更不均匀的温度分布。所述盖可由某些陶瓷材料制成且定形为薄板。这些材料可耐得住处理环境且在许多次处理循环之后保持其热特性。所述盖可轻易从所述载盘移除且用一个新盖替换，而无需对整个设备进行大规模拆卸。

公开(公告)号：CN102751221A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201210116686.1

申请日：2012-04-19

申请人： 硅电子股份公司

发明人： N·维尔纳 ,  C·哈格尔 ,  R·绍尔

IPC分类号： H01L21/673 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/68735 ,  C23C16/4585 ,  C30B25/12

摘要： 用于在半导体晶片的正面上沉积层期间支承半导体晶片的基座，其中所述半导体晶片具有直径D，并且在其边缘处具有深度为T的缺口，所述基座包括：用于在半导体晶片背面的边缘区域内放置半导体晶片的具有内径d的环形放置区域，其中对于所放置的半导体晶片符合：(D-d)/2＜T；及所述放置区域的向所述放置区域内侧延伸的伸出部分，其用于在半导体晶片的缺口区域内放置半导体晶片，所放置的半导体晶片的缺口完全垫在所述伸出部分上。

公开(公告)号：CN101681866B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200880016694.0

申请日：2008-07-18

申请人： 泰尼克斯有限公司 ,  金正泰

发明人： 金正泰

IPC分类号： H01L21/683

CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68757

摘要： 一种用于等离子工艺的硅片卡盘装置，其包括下盘和上盘，在下盘上装载有多个硅片，上盘连接到下盘的上部并固定装载的硅片。上盘由特氟纶、陶瓷和金属中的一种制成，下盘由铝或陶瓷制成。下盘包括钻制的气体给送孔，通过该钻制的气体给送孔给送气体以在等离子工艺过程中均匀地保持每个硅片的温度。在硅片和下盘之间形成等温片和等温涂层中的一个或全部，以保持硅片的温度均匀性。因此，硅片卡盘装置可以在等离子工艺过程中改善每个硅片的边缘区域处的等离子刻蚀图形的均匀性。

公开(公告)号：CN102315150A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110184994.3

申请日：2011-06-21

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 迈克尔·C·凯洛格 ,  阿列克谢·马拉霍塔诺夫 ,  拉金德尔·迪恩赛

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/677 ,  C23C16/458 ,  C23C16/513 ,  H01J37/20 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/6719 ,  H01J37/32 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68785

摘要： 提供了一种可移动衬底支撑组件的可移动基环。所述可移动基环配置为在可调节间隙的电容耦合等离子体处理室中环绕于所述可移动衬底支撑组件的固定基环且向所述固定基环提供RF返回路径，其中支撑于所述衬底支撑组件的半导体衬底进行等离子体处理。

公开(公告)号：CN102157425A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110025125.6

申请日：2007-01-17

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 珍妮弗·蒂勒 ,  艾伦·K·劳 ,  马克·O’唐奈·施韦特 ,  史蒂文·V·桑森尼 ,  基恩·A·米勒 ,  克里斯托弗·博伊特诺特

IPC分类号： H01L21/683 ,  C23C16/458 ,  C23C16/00 ,  C23F4/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/20 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/00 ,  C23C14/50 ,  C23C14/00

CPC分类号： C23C14/564 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/68735

摘要： 本发明提供一种用于在衬底处理腔中使用的衬底支架的环组件，该衬底支架包含环形壁架和内周界侧壁。在一个方案中，环组件包含(i)L形绝缘环，包括设置在支架的环形壁架上的水平臂和邻接支架的内周界侧壁的垂直臂，以及(ii)包含具有与沉积环的水平臂交迭的重叠壁架的环形带的沉积环。在另一方案中，沉积环包含围绕支架的环形壁架并与支架的环形壁架交迭的电介质环形带和托架及紧固件。

公开(公告)号：CN102144280A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200980134785.9

申请日：2009-08-28

申请人： 威科仪器有限公司

发明人： B·沃尔夫 ,  B·瑟德曼 ,  E·A·阿穆尔

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/673 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687

CPC分类号： H01L21/68735 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/46 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

摘要： 在化学气相沉积装置中，晶片载体(32)具有保持晶片的顶表面(34)以及被来自的加热元件(28)辐射热传递加热的底表面(36)。由于例如凹部(54)等特征，晶片载体的底表面(36)为非平面，因此晶片载体在不同位置处具有不同的厚度。晶片载体的较厚部分具有较高的热阻。不同位置处的不同热阻抵消对于晶片的热传递的不期望的非均匀性。晶片载体可具有凹槽，该凹槽具有凸起(553，853)，以用于接合晶片边缘上的间隔位置。

公开(公告)号：CN102105620A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200880122697.2

申请日：2008-12-22

申请人： MEMC电子材料有限公司

发明人： J·A·皮特尼 ,  M·哈曼诺 ,  L·G·赫尔维格

IPC分类号： C23C16/54

CPC分类号： C23C16/4583 ,  C30B25/12 ,  C30B29/06 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/6875

摘要： 一种用于在化学气相沉积工艺期间支撑半导体晶片的基座包括具有相反的上表面和下表面的体。支撑凸台从所述体的所述下表面向下延伸。每一个支撑凸台具有凸台开口，所述凸台开口的尺寸和形状适宜于容纳化学气相沉积设备的支撑杆，从而在所述支撑杆上安装所述基座。

公开(公告)号：CN101015039B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200580030201.5

申请日：2005-09-16

申请人： 尼康股份有限公司

发明人： 水谷刚之

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01L21/02

CPC分类号： G03F7/70341 ,  G03F7/707 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/6875 ,  H01L21/68757

摘要： 本发明提供一种曝光用基板，可防止在装载于基板保持具时与基板保持具产生干涉，且能防止在装载后液体渗入其背面侧。所述基板(P)是透过液体照射曝光用光来曝光的曝光用基板，前述曝光用基板包含基材、对涂布于前述基材的前述液体具有拨液性的拨液性材料，包含前述拨液性材料厚度的前述曝光用基板的外径(LP)的尺寸公差(DP)在±0.02mm以下。