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公开(公告)号：CN109534825A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201910039952.7
申请日：2019-01-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B41/85
Abstract: 本发明属于超高温材料领域，具体涉及一种原位合成惰性玻璃相包覆的ZrB2及其制备方法。本发明通过在起始粉末中添加低于ZrB2合成温度的高稳定氟化物MFx，使得在高温烧结原位合成ZrB2同时，抑制B2O3挥发，提高了ZrB2粉体纯度；利用MFx这一化学惰性物质的稳定性，及其熔点低于该反应合成温度且不易于反应物发生反应的特性，在高温条件下合成ZrB2的同时使MFx产生的液态玻璃相包覆在生成物ZrB2的表面，以隔绝氧气与ZrB2颗粒的直接接触，提高其高温抗氧化性，使得在各温度段均可实现抗氧化。本发明提供的ZrB2@MFx材料，在各温度段均可实现抗氧化，使得ZrB2超高温陶瓷在航空航天领域有更加广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN107342148A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710442593.0
申请日：2017-06-13
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H01F10/324 , H01F41/14
Abstract: 本发明涉及磁性材料制备领域，特别涉及一种宽频带吸波多层薄膜及其制备方法。本发明仅使用一种磁性Fe基材料，在衬底上进行光刻，且光刻后的样品在磁控溅射腔体内只需交替溅射即可完成各层薄膜的制备，宽频带吸波多层薄膜制备工艺简单，成本低。
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公开(公告)号：CN104575583A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410642816.4
申请日：2014-11-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1675
Abstract: 本发明公开了一种纳米单元结构的涡旋态磁存储单元。该涡旋态磁存储单元结构为普通圆盘形磁涡旋结构单元边缘加厚形成凹槽状的圆盘形结构，凹槽外径D的最小值为80nm,其凹槽深4-68nm，凹槽内径d大于8nm，单元整体厚度为16-136nm。本发明的优点是，通过对传统圆盘存储单元的结构设计改造，使其能在更小尺寸下保持稳定的涡旋态，且在场的调控下能完成快速极化反转，从而实现高密度磁存储。
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公开(公告)号：CN103427780A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310391024.X
申请日：2013-08-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03H7/24
Abstract: 本发明公开了一种半分布式无源可变衰减器，包括0～7dB分布式衰减模块、8dB衰减模块、16dB衰减模块、输入控制转换模块，采用体端与源极相连结构、带有沟道并联电阻结构，以及堆叠结构的三种开关场效应晶体管作为控制开关，由五位数字信号独立控制工作，通过共面波导传输线进行相邻衰减模块间，以及与50Ω的输入和输出阻抗之间的匹配，工作频率范围为0～50GHz，以1dB长度步进在的0～31dB的衰减范围内，可实现共32种状态低差损低相移的信号幅度衰减。本发明具有差损低、附加相移小、线性度高、工作频段宽、电路结构简单的优点，可用于处理大功率信号的射频/微波系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100370625C
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200510096162.0
申请日：2005-10-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/02 , H01L27/00 , H01L21/336 , H01L21/822
Abstract: 本发明公开了一种可集成的高压LDMOS晶体管结构及其制备方法。其结构采用在P型衬底1与N型外延层3之间设有埋层2，在N型外延层上设的源、漏区之间设有场氧化层9作为厚栅氧化层，该厚栅氧化层上设有N型多晶硅栅8，其延长部分为场板12；在漏区内设有低浓度P型区5，该P型区里设有P+区7D，该P+区的两边均设有P型漂移区4D，源区中间设有N+接触区6，该N+接触区的两边均设有P+区7S，每个P+区的一边各设有P型漂移区4S。其制备过程是：注入埋层、生长外延层，进行外延层场氧化，淀积并刻蚀多晶硅栅，在外延层上依次注入漏区的低浓度的P型区、源区的N+接触区、漏区的P+区、源区的P+区。具有击穿电压高的优点，可用于高压功率集成电路。
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公开(公告)号：CN217322460U
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202121100528.8
申请日：2021-05-21
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种基于钢丝绳举升的石墨烯原材料智能化运输装置。本实用新型的AGV移动平台上放置有连接架，连接架上放置有氧化石墨粉罐，氧化石墨粉罐装卸机构和氧化石墨粉罐吊升机构固定安装在地面上，氧化石墨粉罐装卸机构设置在氧化石墨粉罐吊升机构内部的四周，放置有氧化石墨粉罐的AGV移动平台运动到氧化石墨粉罐装卸机构和氧化石墨粉罐吊升机构的内部后，连接架与氧化石墨粉罐吊升机构相连并且连接架设置在氧化石墨粉罐装卸机构的上方。本实用新型实现厂区内氧化石墨粉罐的自动装卸运载以及氧化石墨粉罐内容物的自动装卸，有效缩短氧化石墨粉罐内容物装卸时间，提高运输效率。
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公开(公告)号：CN2836241Y
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200520079518.5
申请日：2005-10-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78
Abstract: 本实用新型发明公开了一种可集成的高压LDMOS晶体管结构。该结构采用在P型衬底1与N型外延层3之间设有埋层2，在N型外延层上设的源、漏区之间设有场氧化层9作为厚栅氧化层，该厚栅氧化层上设有N型多晶硅栅8，其延长部分为场板12；在漏区内设有低浓度P型区5，该P型区里设有P+区7D，该P+区的两边均设有P型漂移区4D，源区中间设有N+接触区6，该N+接触区的两边均设有P+区7S，每个P+区的一边各设有P型漂移区4S。具有击穿电压高的优点，可用于高压功率集成电路。
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公开(公告)号：CN215186703U
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202121549086.5
申请日：2021-07-08
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本实用新型公开了相位插值电路及时钟数据恢复电路，相位插值电路包括数模转换器和相位插值器，数模转换器和相位插值器的数量均为多个，多个相位插值器依次串联，多个数模转换器分为两组分别电连接在串联后的相位插值器的两端。本实用新型的电路将相位插值电路与双路径电荷泵锁相环相结合，工作逻辑正确，可以实现相位插值功能，并且相位插值步长适中，精度高，可以根据外置数控位精确选择确定相位的时钟。
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公开(公告)号：CN2836242Y
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200520079519.X
申请日：2005-10-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/78
Abstract: 本实用新型公开了一种可集成的高压VDMOS晶体管结构及其制备方法。其结构采用在N型外延层4与衬底1的界面上设有N型埋层2，在N型外延层上设有P型体沟道区11和深N+扩散区5及P型阱6，该P型体沟道区的四周设有P型场限环7，该P型体沟道区的内部设有源区，源区内设有N+环12s和P+接触区13，该深N+扩散区与N型埋层相连接构成漏区引出，在栅氧化层和场氧化层表面设置有多晶硅栅和场板。其制备过程是：注入埋层、生长外延层，在外延层上注入深N+扩散区、P型阱、场限环，并对外延层进行氧化、淀积、刻蚀多晶硅形成多晶硅栅极及场板，用自对准工艺制备体沟道区，在体沟道区内注入源区和在深N+扩散区内注入漏区的接触区。具有击穿电压高的优点，可用于高压功率集成电路。
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