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公开(公告)号：CN119493294A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411483867.7
申请日：2024-10-23
Applicant: 电子科技大学 , 泸州老窖集团有限责任公司 , 西华大学
Abstract: 本发明提供一种基于VO2热致相变材料的双波段智能窗、薄膜及制备方法，双波段智能窗，从上至下依次为X@VO2核壳粒子、可见光至红外光透明基底和可见光至红外光反射基底；X@VO2核壳粒子是内部为可见光至红外光透明核芯X、外部为掺杂VO2壳层的核壳结构颗粒材料，X@VO2核壳粒子平铺在可见光至红外光透明基底上。X@VO2核壳粒子、可见光至红外光透明基底构成光子晶体薄膜，光子晶体薄膜安装可拆卸的可见光至红外光反射基底。与现有技术相比，本发明(1)提升了传统VO2智能窗的太阳光调制能力；(2)获得了太阳光与红外双波段可调的智能窗；(3)可获得不同相变温度的智能窗器件，以适应不同地区建筑物的节能调控需求。
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公开(公告)号：CN119297607A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411435201.4
申请日：2024-10-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明属于电磁波控制技术领域，特别涉及一种主动调控宽带透波FSS材料。本发明采用三层结构，通过图形化的上、下金属层设计，辅以8个变容二极管，通过调整变容二极管的容值，实现双通带的高带宽范围同时主动调谐，通带1和通带2都具有宽带调控范围。第一个传输通带调控范围为3.8GHz～7.3GHz，可控相对带宽范围63.1％；第二个传输通带调控范围为8.5GHz～12.0GHz，可控相对带宽范围34.15％；两通带的最大的插损为2.5dB，两个传输通带可同时调控，满足更多的应用场景，且TE、TM极化不敏感。其优异的主动调控带宽性能可适用于各种捷变雷达天线罩的多频通信需求。
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公开(公告)号：CN110246656A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910591463.2
申请日：2019-07-02
Applicant: 西华大学 , 电子科技大学 , 四川智溢实业有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多层耦合图形化磁性薄膜、制备方法和测试的方法，所述薄膜包括：衬底、连续薄膜层以及图形化薄膜层；连续薄膜层生长于衬底上，连续薄膜层形成电极形状，用于提供面外的磁矩分布，以及提供测试多层耦合图形化磁性薄膜的电性能的基础，图形化薄膜层形成于连续薄膜层上，图形化薄膜层是非连续结构的，图形化薄膜层用于提供涡旋态的磁矩分布。本发明结合溅射镀膜技术和光刻工艺，制备出非连续结构的多层耦合图形化磁性薄膜，实现利用PPMS对多层耦合图形化磁性薄膜整体测试出电阻的目标，解决非连续结构的磁性薄膜，需要利用电极探针单个单元挨个测试的问题，完成测试过程方便简捷，时间很短，极大的提高工作人员的工作效率。
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公开(公告)号：CN106024030A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610308998.0
申请日：2016-05-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: G11B5/667
CPC classification number: G11B5/667
Abstract: 本发明涉及磁性材料与元器件领域，具体涉及一种软/硬磁交换耦合结构。本发明通过将现有嵌入型软/硬磁交换耦合结构中的硬磁材料分为两部分且由软磁材料层隔离形成新的软/硬磁交换耦合结构，通过微磁学模拟可见该结构能够有效降低高磁晶各向异性常数材料的矫顽力，且矩形度较好。本发明结构通过规则间隔排列应用于磁存储中，且对于磁晶各向异性常数Ku值高达7×106J/m3的材料，能够有效降低矫顽力，且矩形度较好，能够满足垂直磁记录的要求并能解决写入困难的问题。
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公开(公告)号：CN119350911A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411483868.1
申请日：2024-10-23
Applicant: 电子科技大学 , 泸州老窖集团有限责任公司 , 西华大学
Abstract: 本发明提供一种掺杂型M相VO2核壳粒子、智能辐射涂层及制备方法智能辐射涂层，智能辐射涂层包括基底层、树脂层；树脂层的上表面均匀分散有水平定向排布的片状掺杂型VO2(M)核壳粒子；片状掺杂型VO2(M)核壳粒子核心材料为的片状铝粉、中间层为X材料、表层为掺杂的VO2壳层，掺杂型VO2(M)核壳粒子Al@X@VO2(M)用于实现红外光反射和吸收性能之间的转变；入射的红外波引起谐振响应导致涂层的吸收增强，相应的发射率增强，达到制冷的效果。本发明具有智能动态控温，结构简单，便于大面积制备，零能耗等特点，对解决过度制冷问题、缓解城市热岛效应有重要意义。不仅如此在红外伪装等领域也具有应用潜力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114597672A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210283511.3
申请日：2022-03-22
Applicant: 电子科技大学 , 四川航天系统工程研究所
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明提供一种基于多层电阻型FSS的超宽带吸波结构及制备方法，从上到下依次为：分形方片结构电阻型频率选择表面FSS、第一层介质层、方环结构电阻型频率选择表面FSS、第二层介质层、弯曲线结构电阻型频率选择表面FSS、第三层介质层、金属背板；与传统采用金属FSS或者电阻加载方式相比，本发明解决了在低厚度下实现宽带吸波与低频吸波难以同时实现的问题。采用弯曲结构的电阻型FSS高容性特点降低吸波体低频谐振，再与方环与方片分形结构的电阻型FSS进行叠加实现宽带吸波，采用中心对称图形，使其具有极化稳定性。工作范围覆盖S到Ku波段，且整体厚度较薄，实验和仿真结果一致，在雷达隐身、电磁兼容等方面具有应用潜力。
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公开(公告)号：CN119560794A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411733908.3
申请日：2024-11-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子功能材料技术领域，具体为一种基于卷曲结构的微型化有源频率选择表面。本发明的结构单元采用连通型和间隔型两种不同类型的十字卷曲结构频率选择表面上下级联，使其在低频下产生双透波频带；采用中心对称图形的频率选择表面，具有极化稳定性；并辅以分形结构FSS加载PIN二极管，使其能够在低频实现双波段的电磁开/关主动调控。还进一步的提供采用惠斯通电桥馈电线路的方案，减少馈电线路与结构之间电磁耦合。本发明第一工作频带在P、L波段，第二工作频带在S波段，工作范围覆盖P到S波段，且具有优异的角度稳定性，在电磁透射调控、低频通讯等方面应用具有重大潜力。
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公开(公告)号：CN119255588A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411462684.7
申请日：2024-10-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种具备有序结构的电/磁协同损耗电磁波复合材料及制备方法，属于电磁功能材料技术领域。所述方法包括MXene纳米片、MXene@Ni的DMSO分散液、PU DMSO溶液、蜂窝型MXene@Ni四部分，采用HF刻蚀法将MAX相刻蚀得到MXene纳米片，通过机械混合的方法制备MXene@Ni复合材料和PU DMSO溶液，最后将蜂窝纸浸入MXene@Ni和PU DMSO溶液的混合溶液中干燥制得蜂窝型MXene@Ni电磁波吸收复合材料。本发明通过机械混合、抽滤、浸泡、干燥等制备工艺，操作简单且成本低廉，可实现低能耗大批量的实际生产制造中。所制备的蜂窝型MXene@Ni电磁波吸收复合材料具有结构有序性、电损耗磁损耗协同效应，使其具备对电磁波的高损耗、高吸收特性。
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公开(公告)号：CN114597672B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202210283511.3
申请日：2022-03-22
Applicant: 电子科技大学 , 四川航天系统工程研究所
IPC: H01Q17/00
Abstract: 本发明提供一种基于多层电阻型FSS的超宽带吸波结构及制备方法，从上到下依次为：分形方片结构电阻型频率选择表面FSS、第一层介质层、方环结构电阻型频率选择表面FSS、第二层介质层、弯曲线结构电阻型频率选择表面FSS、第三层介质层、金属背板；与传统采用金属FSS或者电阻加载方式相比，本发明解决了在低厚度下实现宽带吸波与低频吸波难以同时实现的问题。采用弯曲结构的电阻型FSS高容性特点降低吸波体低频谐振，再与方环与方片分形结构的电阻型FSS进行叠加实现宽带吸波，采用中心对称图形，使其具有极化稳定性。工作范围覆盖S到Ku波段，且整体厚度较薄，实验和仿真结果一致，在雷达隐身、电磁兼容等方面具有应用潜力。
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公开(公告)号：CN104575583A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410642816.4
申请日：2014-11-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1675
Abstract: 本发明公开了一种纳米单元结构的涡旋态磁存储单元。该涡旋态磁存储单元结构为普通圆盘形磁涡旋结构单元边缘加厚形成凹槽状的圆盘形结构，凹槽外径D的最小值为80nm,其凹槽深4-68nm，凹槽内径d大于8nm，单元整体厚度为16-136nm。本发明的优点是，通过对传统圆盘存储单元的结构设计改造，使其能在更小尺寸下保持稳定的涡旋态，且在场的调控下能完成快速极化反转，从而实现高密度磁存储。
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