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公开(公告)号：CN102768972B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201210240809.2
申请日：2012-07-11
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , F26B21/00
Abstract: 本发明公开了一种晶圆干燥装置。所述晶圆干燥装置包括：本体；晶圆夹持机构，所述晶圆夹持机构设在所述本体上用于支撑沿竖直方向定向的晶圆；水箱，所述水箱可上下移动地设在所述本体上，所述水箱的顶壁上设有沿上下方向贯通所述顶壁的槽口用于通过晶圆；水箱驱动件，所述水箱驱动件设在所述本体上且与所述水箱相连以便驱动所述水箱上下移动；和IPA干燥系统，所述IPA干燥系统设在所述水箱上用于干燥所述晶圆。根据本发明实施例的晶圆干燥装置具有制造难度小、制造成本低、可靠性高等优点，而且大大地降低了对用于搬运晶圆的机械手的重复定位精度的要求。
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公开(公告)号：CN104293206A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410490804.4
申请日：2014-09-23
Applicant: 清华大学
IPC: C09G1/02
CPC classification number: C23F3/04
Abstract: 本发明公开了一种用于加工超光滑轴承钢表面的抛光液及其应用，该抛光液包括：0.01～40wt％的研磨颗粒；0～10wt％的氧化剂；0.1～10wt％的金属络合剂；0～5wt％的金属缓蚀剂；以及余量的水，其中，研磨颗粒选自单晶金刚石、聚晶金刚石、三氧化二铝、二氧化锆、二氧化钛、二氧化铈、煅制二氧化硅和胶体二氧化硅中的至少一种，氧化剂选自高碘酸盐、碘酸盐、高氯酸盐、过硫酸盐和过氧化氢中的至少一种，金属络合剂选自氨、氨基酸和有机酸中的至少一种，金属缓蚀剂选自含氮杂环衍生物、含硫杂环衍生物和同时含有氮、硫的杂环衍生物中的至少一种。使用该抛光液得到的轴承钢具有低的表面粗糙度和低的缺陷数量的功能特性，因此使得该轴承钢可以应用于精密器件中。
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公开(公告)号：CN102590338B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210018098.4
申请日：2012-01-19
Applicant: 清华大学
IPC: G01N29/036
Abstract: 本发明提供了一种基于共振峰的超声空化状态识别方法，包括以下步骤：采集设定时间段内的超声空化场的信号数据，对信号数据进行分帧处理，并将分帧处理后的信号作为待处理信号；采用全极点线性预测方法对待处理信号建模得到线性预测模型，并通过线性预测模型得到各个共振峰峰值及峰值所在的频率值，并根据所述频率值得到基频频率平均值和相对高频共振峰峰值的平均值；根据基频频率平均值与激发空化的超声频率之间的大小关系和相对高频共振峰峰值的平均值大小判断空化状态。本发明通过使用超声空化信号的时频信息简要、直观地描述了超声空化的强度。
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公开(公告)号：CN102270597B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201110235354.0
申请日：2011-08-16
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/683 , H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种用于晶圆交换装置的晶圆托架组件和具有该晶圆托架组件的晶圆交换装置。所述用于晶圆交换装置的晶圆托架组件包括托架，所述托架的上表面具有用于放置晶圆的放置面，所述放置面高于所述托架的上表面的其余部分，所述放置面的内沿距离所述托架的中心预定距离且所述放置面的外沿与所述晶圆的外径适配。根据本发明实施例的晶圆托架组件在交换晶圆时不会对晶圆产生污染。
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公开(公告)号：CN102328272B
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201110288857.4
申请日：2011-09-23
Applicant: 清华大学
IPC: B24B37/013
Abstract: 本发明公开了一种化学机械抛光方法，所述化学机械抛光方法包括：A)利用终点测量装置测量晶圆上的多个点的膜厚前值；B)根据多个点的膜厚前值对晶圆进行化学机械抛光；和C)利用终点测量装置测量多个点的膜厚后值，并根据多个点的膜厚后值来判断晶圆的表面抛光厚度是否均匀，如果晶圆的表面抛光厚度不均匀，则根据多个点的膜厚前值与膜厚后值的差值对晶圆进行化学机械抛光直至晶圆的表面抛光厚度均匀。利用根据本发明实施例的化学机械抛光方法对晶圆进行化学机械抛光时无需再使用在线测量装置，从而不仅可以大大地简化进行化学机械抛光的化学机械抛光设备的结构、降低化学机械抛光设备的成本，而且可以大大地降低晶圆的化学机械抛光成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102446802B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201110421591.6
申请日：2011-12-15
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种晶圆台，所述晶圆台包括：电机；金属盘，金属盘与电机相连由电机驱动旋转，金属盘设有沿上下方向贯通金属盘的通气孔，其中通气孔的中心线、金属盘的中心线和金属盘的旋转轴线重合；非金属盘，非金属盘设在金属盘的上表面上，非金属盘的上表面上设有凹槽，凹槽与通气孔连通；旋转接头，旋转接头设在金属盘的下表面上，其中旋转接头的旋转部分与通气孔相连且旋转接头的静止部分适于与真空产生器相连以便对通气孔和凹槽抽真空；和升降装置，所述升降装置绕所述金属盘设置用于升降所述晶圆。通过利用根据本发明实施例的晶圆台，可以使电涡流传感器更加准确地测量晶圆的膜厚度。
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公开(公告)号：CN103231303A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310180314.X
申请日：2013-05-15
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种化学机械抛光设备。所述化学机械抛光设备包括：用于存放晶圆的晶盒装载装置；用于输送晶圆的晶圆转移装置；第一机械手；化学机械抛光机；用于放置晶圆的晶圆过渡装置；第二机械手；晶圆清洗装置，晶圆清洗装置包括具有第一容纳腔的第一本体、设在第一容纳腔内的第一晶圆支撑组件和设在第一本体上的晶圆清洗组件；晶圆刷洗装置，晶圆刷洗装置包括具有第二容纳腔的第二本体以及设在第二容纳腔内的晶圆刷洗组件和第二晶圆支撑组件；晶圆干燥装置，晶圆干燥装置包括具有第三容纳腔的第三本体以及设在第三容纳腔内的晶圆干燥组件和第三晶圆支撑组件；和第三机械手。根据本发明实施例的化学机械抛光设备具有清洗效果好等优点。
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公开(公告)号：CN103071650A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310023763.3
申请日：2013-01-22
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种用于晶圆的刷洗装置和刷洗方法，所述用于晶圆的刷洗装置包括：机架；第一和第二毛刷，所述第一和第二毛刷相对地且间隔开地安装在所述机架上以分别用于刷洗晶圆的两侧表面；和第一和第二清洗液供给单元，所述第一和第二清洗液供给单元相对地且间隔开地安装在所述机架上以分别用于向所述晶圆的两侧表面供给清洗液，其中所述第一和第二清洗液供给单元中的每一个供给的清洗液的量沿所述晶圆的径向由内向外增加。根据本发明实施例的用于晶圆的刷洗装置可以提高晶圆的刷洗效率，减少晶圆的刷洗时间，减少刷洗晶圆的清洗液用量。
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公开(公告)号：CN102252928B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201110080675.8
申请日：2011-03-31
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及化学机械抛光技术领域，公开了一种机械与化学交互作用测量装置，包括机架、摩擦力测量部分、杠杆加载部分、往复直线运动的氮化硅小球和三电极部分。本发明的装置可以模拟腐蚀条件下的磨粒磨损性能，实现了同时在线测量电化学参数和机械参数；可以测量化学机械抛光过程中单纯的化学腐蚀量、机械磨损量以及交互作用去除量，从而对化学机械抛光过程中的材料去除机理进行研究。
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公开(公告)号：CN102074455B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201010272672.X
申请日：2010-09-03
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种用于晶圆的刷洗装置，包括机架；支撑部件，所述支撑部件设置在所述机架上以支撑晶圆；清洗液供给单元，所述清洗液供给单元设置在所述机架上用于向晶圆的表面施加清洗液；以及一对刷子，所述一对刷子包括刷子主体和设置于所述刷子主体表面上的多个毛束，且所述一对刷子可旋转地设置在所述机架上以将晶圆夹在它们之间刷洗晶圆表面同时在晶圆上产生驱动所述晶圆转动的扭矩。根据本发明实施例的用于晶圆的刷洗装置，由毛刷对晶圆产生的扭矩驱动晶圆转动，因此不需另设晶圆驱动装置，且结构简单可靠，降低了设备设计制造成本。而且由于刷子旋转、晶圆转动和支撑滚轮转动之间是“柔性”的随动关系，不易发生因转动失衡而碎片的情况。
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