公开(公告)号：CN1055786C

公开(公告)日：2000-08-23

申请号：CN94108922.3

申请日：1994-06-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  高山彻 ,  竹村保彦 ,  宫永昭治 ,  大谷久 ,  竹山顺一

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/02

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L29/78675

Abstract: 公开了一种半导体器件。该半导体器件具有作为有源层区体的结晶硅薄。结晶硅膜有平行于衬底取向的针状或柱状晶体，并且晶体生方向为(111)轴。制备半导体器件的方法包括以下步骤，把催化剂元素添加到非晶硅膜中；在低温把含有催化剂元素的非晶硅膜加热使其成为结晶硅膜。

公开(公告)号：CN1256520A

公开(公告)日：2000-06-14

申请号：CN99118536.6

申请日：1994-02-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  张宏勇 ,  竹村保彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明涉及半导体器件。它包括半导体岛、第一和第二杂质区、沟道区、栅电极、物质添加区。其中,晶体生长由物质添加区一直延伸至第一和第二杂质区的部分才终止。它还包括至少一种导线。半导体岛包含绝缘表面上形成的结晶硅,含0.01—5原子%的氢。杂质区可以是一对n－型或P－型杂质区。沟道区没有晶粒间界。

公开(公告)号：CN1255731A

公开(公告)日：2000-06-07

申请号：CN99118111.5

申请日：1994-06-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  寺本聪

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02667 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/016 ,  Y10S148/154

Abstract: 制造TFTs的方法从在形成于衬底上的底层上选择性地形成镍膜开始。在镍膜上再形成非晶硅膜而且加热使之晶化。用红外光辐照该晶化了的膜使之退火。从而获得结晶度优良的结晶硅膜。用这种结晶硅膜来构成TFTs。

公开(公告)号：CN1051882C

公开(公告)日：2000-04-26

申请号：CN93104560.6

申请日：1993-03-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  张宏勇 ,  竹村保彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78636 ,  H01L27/1218 ,  H01L29/04 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78603

Abstract: 一种薄膜绝缘栅型场效应晶体管，具有一个表面经过阳极氧化的金属栅，一个氮化硅膜制作在栅电极与栅绝缘膜之间。为了阳极氧化，用金属材料覆盖栅电极的特定部分，然后仅将金属材料及其氧化物一起除去，形成一个金属栅的露出部分而与上面布线连接。另外，在栅电极和栅绝缘膜之间，或在基片和基片上的层之间，形成氧化铝或氮化硅层作为刻蚀的阻挡层，以防止过刻蚀，并改进元件的平整度。另外，在无“接触孔”的概念下形成接触。

公开(公告)号：CN1161566A

公开(公告)日：1997-10-08

申请号：CN96123913.1

申请日：1996-12-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 利用促进硅结晶化的金属元素，获得具有优良特性的薄膜晶体管。在101和102区域，以及108～110区域、选择地把镍元素掺杂在非晶硅膜103的表面上。然后进行热处理，在104～107所示的基片上进行平行的生长(横向生长)。这时，宽度为5μm以下的区域108～110成为停止区，则停止从101～102区域开始进行的横向生长。由此，可能控制横向生长区域的设置。这样可能利用具有相同结晶生长形态的区域构成移位寄存器等的电路。

公开(公告)号：CN1152792A

公开(公告)日：1997-06-25

申请号：CN96114412.2

申请日：1993-12-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  高山彻 ,  福永健司 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G09G2300/0408 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种制造半导体器件，例如薄膜晶体管的方法。在非晶硅膜之上或之下，选择形成岛状、线状、条状、点状或膜状的镍、铁、钴、钌、铑、钯、锇、铱、铂、钪、钛、钒、铬、锰、铜、锌、金、银及其硅化物，得到结晶硅膜，再以它们作起始点，在低于普通非晶硅的结晶温度下退火使其结晶化。通过在将变成晶体管有源区的半导体层之上选择形成覆盖膜，然后再使其热结晶化，构成具有薄膜晶体管的动态电路的同时，得到漏电小和迁移率高的晶体管。

公开(公告)号：CN1111815A

公开(公告)日：1995-11-15

申请号：CN94119925.8

申请日：1994-11-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  竹村保彦 ,  山口直明

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L27/1251 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括步骤：在半导体层上形成第一绝缘膜，在绝缘膜上形成栅电极，将第一绝缘膜刻图成为第二绝缘膜，使半导体层一部分露出，而第二绝缘膜的延伸部分超过栅电极的侧边，用栅电极和栅绝缘膜的延伸部分作掩模进行离子掺杂，形成杂质区。改变离子掺杂条件来控制掺入杂质的半导体层的区域和其中的杂质浓度。

公开(公告)号：CN1109220A

公开(公告)日：1995-09-27

申请号：CN94116346.6

申请日：1994-09-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小沼利光 ,  菅原彰 ,  上原由起子 ,  张宏勇 ,  铃木敦则 ,  大沼英人 ,  山口直明 ,  须泽英臣 ,  鱼地秀贵 ,  竹村保彦

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/31687 ,  H01L21/321 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66598 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 一种在绝缘衬底上形成的TFT，具有源、漏和沟道区，至少在沟道区上形成栅绝缘膜，并在栅绝缘膜上形成栅电极。在沟道区和漏区间设有电阻率较高的区，以降低截止电流。形成这种结构的方法包括：阳极氧化栅电极以在栅电极侧形成多孔阳极氧化膜；用多孔阳极氧化膜为掩模除去一部分栅绝缘膜，使栅绝缘膜伸出栅电极但不全盖住源和漏区。此后，进行一种导电型元素的离子掺杂。在栅绝缘膜下限定高电阻率区。

公开(公告)号：CN1108004A

公开(公告)日：1995-09-06

申请号：CN94104268.5

申请日：1994-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  高山彻 ,  竹村保彦

IPC: H01L29/36 ,  H01L29/772 ,  H01L21/336 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678

Abstract: 一种制造薄膜晶体管的方法，该方法包括：使非晶硅膜结晶化，在其上形成栅绝缘膜和栅电极、以自对准方式注入杂质，粘附一含有加速硅膜结晶化的催化元素的被覆层，以及将所得结构在低于衬底变形温度的温度下退火，以激活已掺入的杂质。按另一方案，可用离子注入法或类似法将催化元素引入杂质区而掺入该结构。

公开(公告)号：CN1098555A

公开(公告)日：1995-02-08

申请号：CN94103242.6

申请日：1994-02-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  张宏勇 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78675

Abstract: 用控制薄膜结晶度来改进薄膜晶体管可靠性和产量的方法。该方法包含的步骤为在岛形非晶硅膜上形成栅电极，用栅电极作为掩膜注入掺杂，形成涂覆膜，它至少含有镍、铁、钴、铂和钯中的一种，以便粘附到部分杂质区域上，并且在比纯非晶硅的结晶化温度低的温度下进行热处理，以从此开始推进结晶化，并使杂质区域和沟道形成区域结晶化。