公开(公告)号：CN1363719A

公开(公告)日：2002-08-14

申请号：CN01143879.7

申请日：2001-12-14

Applicant: 夏普株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 钟筑律夫 ,  山本达志 ,  平山昌树 ,  大见忠弘

IPC: C23C16/00 ,  C23C16/513 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23F4/00 ,  H01L21/32136

Abstract: 按照一种等离子体处理方法,送入处理腔体(1)内的处理气体产生等离子体并且借助等离子体对处理腔体(1)内放置的衬底(8)进行处理。衬底(8)包括至少两种类型被等离子体刻蚀的堆叠薄膜(21,22),并且根据被刻蚀的薄膜类型,改变等离子体产生期间内的处理气体。因此可以缩短除主等离子体处理以外的任何过程所需时间从而可以缩短整个等离子体处理的总计时间以改善处理速度。

公开(公告)号：CN1322007A

公开(公告)日：2001-11-14

申请号：CN01120789.2

申请日：2001-03-21

Applicant: 夏普公司 ,  大见忠弘

Inventor： 钟筑律夫 ,  田寺孝光 ,  山本达志 ,  平山昌树 ,  大见忠弘

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/511

Abstract: 本发明提供一种能够防止异常等离子体的发生、可稳定地实施均匀的等离子体处理的等离子体处理装置。该等离子体处理装置具备:处理室(1、2);微波发射构件(5);以及反应气体供给装置(14、15、21、22),反应气体供给装置包含反应气体供给路(15),该供给路具有在微波发射构件的另一壁面和处理室内壁面的一部之间形成的空间,还具备防微波透射构件(16),该防微波透射构件被配置在微波发射构件的另一壁面上的面对反应气体供给路的区域上。

公开(公告)号：CN1236418A

公开(公告)日：1999-11-24

申请号：CN98801149.2

申请日：1998-08-13

Applicant: 株式会社富士金 ,  大见忠弘 ,  东京电子株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  加贺爪哲 ,  杉山一彦 ,  深田収 ,  尾泽进 ,  佐藤义浩 ,  土肥亮介 ,  宇野富雄 ,  西野功二 ,  福田浩幸 ,  池田信一 ,  山路道雄

IPC: F15D1/08 ,  B23P15/16

CPC classification number: G01F1/40 ,  G05D7/0186

Abstract: 一种压力式流量控制装置中使用的节流孔,节流孔具备入口圆锥部1和与其相连接的节流平行部2,该节流平行部2为在压力式流量控制装置中使用的节流孔中,将穿设在主体构件D上的下孔6一方的开口端部切削而形成的喇叭吹口状;并且还具备圆锥扩径部3和与其相连接的平行扩径部4,该圆锥扩径部3与通过将上述下孔6另一方的开口端部扩径而形成的上述节流平行部2相连接。

公开(公告)号：CN101942648A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN201010226730.5

申请日：2004-08-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘 ,  日本瑞翁株式会社

Inventor： 小林保男 ,  川村刚平 ,  大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  杉本达也 ,  山田俊郎 ,  田中公章

IPC: C23C16/32

CPC classification number: H01L21/3127 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3146

Abstract: 本发明涉及一种等离子CVD法用气体，包括不饱和碳氟化合物，并且含有作为杂质的不超过1×10-3原子％且多于0原子％的氢原子。

公开(公告)号：CN101263589B

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200580051562.8

申请日：2005-09-13

Applicant: 大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/02 ,  H01L29/78 ,  B65G49/00 ,  B65G49/07 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/3003 ,  B65G2201/0247 ,  H01L21/31 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明通过在含有氢气的惰性气体气氛中保持晶片，抑制晶片表面的氢末端性在输送途中(20)等中变差。

公开(公告)号：CN1751415B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200480004525.7

申请日：2004-02-17

Applicant: 大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  森本明大 ,  中村史明

IPC: H01Q1/38

CPC classification number: H01Q9/0485

Abstract: 在通过使电介质谐振来发射电波的电介质谐振器天线中，通过使电介质含有磁性体，使相对磁导率大于1且降低相对介电常数，从而以维持波长缩短率的状态使谐振的Q值降低，由此，实现宽频带的电介质谐振器天线。

公开(公告)号：CN100591959C

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200710142236.9

申请日：2003-12-18

Applicant: 株式会社富士金 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  池田信一 ,  西野功二 ,  永濑正明 ,  土肥亮介 ,  西村龙太郎

IPC: F16K7/17 ,  G05B13/00 ,  G05D16/02

CPC classification number: F16K47/02 ,  F16K47/023 ,  F16L55/043 ,  Y10T137/0324 ,  Y10T137/0379 ,  Y10T137/0396 ,  Y10T137/7761 ,  Y10T137/86389 ,  Y10T137/86461

Abstract: 通过极为简单的装置及操作，不会发生水击、而且在短时间内，可以将流体通路紧急关闭。为此，由以下部分构成无水击关闭装置：加装在流体通路上的致动器动作式阀；向致动器动作式阀供应两级阶梯状的致动器动作压力Pa的电-气变换装置；可自由拆装地固定到前述致动器动作式阀的上游侧管路上的振动传感器；输入由振动传感器检测出来的振动检测信号Pr、并且向电-气变换装置输出控制前述两级阶梯状的致动器动作压力Pa的阶梯动作压力Ps′的大小的控制信号Sc，通过该控制信号Sc的调整、从电-气变换装置输出振动检测信号Pr基本上成为零的阶梯动作压力Ps′的两级阶梯状的致动器压力Pa的调整箱。

公开(公告)号：CN100546098C

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200480042366.X

申请日：2004-03-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘 ,  后藤尚久

Inventor： 大见忠弘 ,  后藤尚久 ,  久我宣裕 ,  广江昭彦

IPC: H01P5/12

CPC classification number: H01J37/32229 ,  H01J37/32192

Abstract: 一种分配器(30)，包括连接到微波振荡器(20)的方形波导管(31)和具有多个在窄壁(41B)中形成的开口(43)的方形波导管(41)。方形波导管(31)是中空的。相对介电常数为εr的波延迟部件(53)被配置在方形波导管(41)中。两个方形波导管(31、41)的窄壁(31A、41A)互相接触，并且两个波导管(31、41)通过其相互连通的连通孔(32)形成于窄壁(31A、41A)中。即使连通孔(32)的宽度减小，两个波导管(31、41)的宽度也不在其连接部分处变窄。由此，可抑制能够通过连接部分的频带变窄。因此，能够减小在输入到分配器(30)的电磁波的频率改变时出现的反射损失。

公开(公告)号：CN100479109C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200510077566.5

申请日：2002-03-28

Applicant: 大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  须川成利 ,  后藤哲也

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/00 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32211 ,  H01J37/32192

Abstract: 一种使用了放射线槽天线的微波等离子体处理装置，由与滞波板(18)的热膨胀率接近的材料或通过在构成滞波板(18)的电介质板上附着金属来形成槽板(16)。提高天线中滞波板与构成微波辐射面的槽板之间的粘附性，防止异常放电。

公开(公告)号：CN100473760C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN00802778.1

申请日：2000-01-13

Applicant: 大见忠弘 ,  株式会社富士金

Inventor： 大见忠弘 ,  白井泰雪 ,  池田信一 ,  出田英二 ,  森本明弘 ,  大串徹太郎 ,  小西健久

IPC: C23C30/00

CPC classification number: C23C8/02 ,  C23C26/00 ,  Y10T428/24322 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明的目的是在任意金属材料上，形成不含其它金属氧化膜的、耐蚀性好的氧化铬膜。可低价地、在短时间内形成不含其它金属氧化膜的、耐蚀性好的氧化铬膜，可提供能安全地供给强腐蚀性流体的流体供给系统。在表面粗度(Ra)1.5μm以下的金属材料上，覆盖铬后，在氧化性环境中进行热处理，形成由氧化铬构成的非动态膜。