公开(公告)号：CN114256075B

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202111437261.6

申请日：2021-11-30

Applicant: 复旦大学

Inventor： 晁鑫 ,  王晨 ,  陈琳 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H10D30/01 ,  H10D30/68 ,  H10D64/27

Abstract: 本发明公开一种高速低漏电的分栅型半浮栅晶体管及其制备方法。该高速低漏电的分栅型半浮栅晶体管的衬底中形成有U形沟槽，半浮栅和控制栅均嵌入在该U形沟槽中，分离栅形成在半浮栅和控制栅上方，并且控制栅和分离栅均采用金属。能够有效提高器件集成密度，提升器件的开关速度，减小器件的漏电，降低器件工作功耗，有利于器件的后续电路设计及芯片集成。

公开(公告)号：CN114224445B

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202111543572.0

申请日：2021-12-16

Applicant: 复旦大学附属中山医院青浦分院

Inventor： 杨晓虎 ,  范隆华 ,  郭振宇 ,  王晨

IPC: A61B17/34

Abstract: 本发明涉及一种直视下建立血管隧道装置，所述的直视下建立血管隧道装置包括皮下隧道器、充气装置和电子显微镜；所述的皮下隧道器本体为圆柱形结构，前端为直径渐渐收缩结构；所述的皮下隧道器内部分别设有中空结构的气体通道和显微镜通道；所述的充气装置包括充气囊和充气管；所述的充气管直径小于气体通道的直径；所述的电子纤维镜包括显示屏和纤维管道；所述的纤维管道末端与显示屏连接，且所述纤维管道前端内部照明灯和摄像头；所述的纤维管道的直径小于显微镜管道的直径。其优点表现在：在皮下建立血管通道时，可直接血管隧道器在皮下推进的过程，避免血管、神经及肌肉损伤，同时便于调整推进方向，精确对准血管吻合口，避免临床并发症。

公开(公告)号：CN113889436B

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202111070720.1

申请日：2021-09-13

Applicant: 上海集成电路制造创新中心有限公司 ,  复旦大学

Inventor： 徐敏 ,  刘桃 ,  汪大伟 ,  王晨 ,  张卫 ,  徐赛生 ,  吴春蕾

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供了一种环栅结构源漏的外延制备方法以及环栅结构，其中的方法包括：提供一衬底，在所述衬底上形成多个鳍片，沿沟道方向，相邻的两个鳍片之间具有凹槽；在所述衬底上淀积非晶硅层；对所述非晶硅层进行退火，以使所述非晶硅层结晶形成单晶硅层；以所述单晶硅层的表面为起始表面，外延生长锗硅材料，形成锗硅体层；在所述锗硅体层形成环栅结构的源/漏区；通过在凹槽淀积非晶硅层，然后将非晶硅层经过退火处理结晶成单晶硅层，以单晶硅层为起始表面生长锗硅体层的方法，能够制备出无位错高质量的硅锗体层，为沟道提供足够的应力，提升环栅器件的空穴迁移率，进而提高环栅器件的开启电流。

公开(公告)号：CN116666220A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202310543733.9

申请日：2023-05-15

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 钱乐雯 ,  孙新 ,  刘桃 ,  汪大伟 ,  杨静雯 ,  陈鲲 ,  徐敏 ,  吴春蕾 ,  王晨 ,  徐赛生 ,  张卫

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供了一种内侧墙沟槽的制备方法，包括：提供一待刻蚀对象；待刻蚀对象包括：衬底以及形成于衬底上的沿远离衬底方向上间隔堆叠的若干沟道层与若干牺牲层；对待刻蚀对象沿第一方向进行刻蚀，直至衬底的表层，以形成源漏空腔；同时对待刻蚀对象中的牺牲层沿第二方向进行刻蚀，以形成内侧墙空腔；其中，第一方向表征了若干沟道层与若干牺牲层堆叠的方向；第二方向垂直于第一方向；其中，对牺牲层沿第二方向进行刻蚀时，刻蚀速率为：0.05nm/s‑0.3nm/s。本发明提供的技术方案，解决了沟道层过久暴露在刻蚀环境中造成刻蚀损伤的问题，进而实现了器件电学性能的提升，同时避免了后续的源漏SiGe外延工艺可能产生的不利影响。

公开(公告)号：CN116246956A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202310219238.2

申请日：2023-03-07

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张鹏浩 ,  王路宇 ,  徐敏 ,  王强 ,  潘茂林 ,  谢欣灵 ,  黄海 ,  黄自强 ,  徐赛生 ,  王晨 ,  张卫

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明提供了一种用于氮化物半导体器件的钝化层的制备方法，包括：将待钝化的样品传至经预处理的反应腔中，并对反应腔进行第一处理；在反应腔中通入前驱体气体，使其吸附在样品表面；在反应腔中通入惰性气体进行吹扫；在反应腔中通入氮氢混合气体，并形成氮氢等离子体，使其与吸附在样品表面的前驱体气体发生反应生成第一钝化层；在反应腔中通入惰性气体，对多余的氮氢等离子体和反应副产物进行吹扫；在反应腔中通入惰性气体，形成第二等离子体，对第一钝化层进行处理，增加其致密度；在反应腔中通入惰性气体，对多余的第二离子体进行吹扫；重复上述步骤，以获得目标厚度的第一钝化层。

公开(公告)号：CN113813091B

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202111101191.7

申请日：2021-09-18

Applicant: 复旦大学附属中山医院青浦分院

Inventor： 郭振宇 ,  范隆华 ,  杨晓虎 ,  王晨 ,  朱广浪

IPC: A61F2/90

Abstract: 本发明涉及一种主动脉弓腔内修复手术中重建弓部分支动脉的支架，所述的主动脉弓腔内修复手术中重建弓部分支动脉的支架包括支架主体；所述的支架主体顶端设有左颈总动脉开窗和左锁骨下动脉开窗；所述的左颈总动脉开窗和左锁骨下动脉开窗底部通过涤纶材料分别缝制有呈“裤管形”的左颈总动脉分支和左颈总动脉分支；所述的左颈总动脉分支和左颈总动脉分支末端均通过编织型支架构建。其优点表现在：用于主动脉瘤累及左颈总动脉和左锁骨下动脉时，重建弓部分支动脉，维持分支动脉的血流灌注，改善头颈部和上肢血供情况，减少患者的缺血性并发症。

公开(公告)号：CN115954357A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202310070433.3

申请日：2023-02-07

Applicant: 复旦大学

Inventor： 潘茂林 ,  王路宇 ,  徐敏 ,  王强 ,  张鹏浩 ,  谢欣灵 ,  黄海 ,  樊蓉 ,  杨妍楠 ,  徐赛生 ,  王晨 ,  张卫

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/8252

Abstract: 本发明提供了一种GaN HEMT功率器件与驱动模块的集成芯片，包括：衬底；衬底包括第一区域与第二区域；第一区域与第二区域沿第一方向依次排列；第一方向平行于衬底所在的平面；GaN HEMT功率器件与驱动模块；GaN HEMT功率器件与驱动模块分别形成于第一区域与第二区域；第一外延层与第二外延层；第一外延层与第二外延层沿远离衬底的方向上依次形成于衬底上，且位于驱动模块与衬底之间；其中，第一外延层是N+型掺杂、N‑型掺杂或N型掺杂，第二外延层是P+型掺杂。该技术方案解决了传统的GaN HEMT功率器件与驱动模块的互连方式存在的寄生电容电感的的问题，同时避免了集成之后的GaN HEMT功率器件与驱动模块，在GaN HEMT功率器件的高压应用中可能出现的背栅问题。

公开(公告)号：CN115607342A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202211121431.4

申请日：2020-09-24

Applicant: 复旦大学附属华山医院

Inventor： 喻健 ,  马昕 ,  赵大航 ,  王旭 ,  黄加张 ,  张超 ,  陈立 ,  王晨 ,  耿翔

IPC: A61F2/42

Abstract: 本发明提供了一种人工踝关节假体距骨植入件，用于安装在跟骨上，包括距骨假体本体，该距骨假体本体包括连为一体的内侧部和外侧部，内侧部的底面和外侧部的底面为相连且共面的平面，内侧部的顶面和外侧部的顶面均为球形弧面且两者的交接处形成距骨顶部凹缝，内侧部的内侧面和外侧部的外侧面均为垂直于底面的平面且两者呈开口方向朝前的夹角设置；其中，内侧部顶面的曲率半径大于外侧部顶面的曲率半径，并且内侧部顶面的最高点与底面之间的距离大于外侧部顶面的最高点与底面之间的距离。本距骨植入件符合亚洲人踝关节距骨内外侧穹隆面不对称的解剖学特点，用在踝关节置换手术中，能够避免踝关节置换手术后造成踝关节运动学异常。

公开(公告)号：CN113283085B

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202110585878.6

申请日：2021-05-27

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 王晨 ,  张卫 ,  黄阳 ,  唐灵芝

IPC: G06F30/20 ,  G16C10/00 ,  G16C20/10 ,  G06F119/08 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明提供了一种选通器开关的仿真方法，包括通过划分格点的方式建立选通器开关的二维模型，根据所述二维模型的参数计算银原子氧化概率、银离子还原概率、银离子迁移概率以及银原子扩散概率，根据所述银原子氧化概率、所述银离子还原概率、所述银离子迁移概率以及所述银原子扩散概率更新银原子在所述二维模型中的占位，以实现银原子的堆积和扩散，能够直观地观察选通器在选通开关过程中银导电细丝在阻变层中的生长演化过程，从各个方面揭示了选通器开关的微观阻变过程，保证了选通器开关仿真的准确性。本发明还提供了一种选通器开关的系统。

公开(公告)号：CN114999920A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210682332.7

申请日：2022-06-16

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 陈鲲 ,  杨静雯 ,  孙新 ,  徐敏 ,  王晨 ,  张卫 ,  徐赛生 ,  吴春蕾

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种内侧墙制作方法，该方法包括：提供一衬底；衬底上形成有交替堆叠的牺牲层和沟道层；刻蚀牺牲层、沟道层和衬底以形成沿第一方向排列的若干鳍结构；形成沿第二方向排列的若干假栅结构；刻蚀每个鳍结构形成若干源/漏空腔；刻蚀每个鳍结构中牺牲层的沿第二方向上的两端，形成内墙空腔；以牺牲层为基础选择性生长电介质材料，以形成内墙；电介质材料填充于内墙空腔中；在源/漏空腔中外延源/漏层。本发明提供的技术方案通过在牺牲层的表面选择性生长电介质材料，解决了刻蚀附带损伤无法避免的问题，从而减少了附带损伤。