-
公开(公告)号：CN116736420A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310559307.4
申请日：2023-05-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于金属介质光栅的硅基增强光吸收器件及其应用，包括金属薄膜、介质光栅和金属光栅组成的金属介质光栅强吸收结构。本发明的器件结构具有如下优势：(1)亚波长光栅的局域光频率极其接近表面的等离子激元的共振频率；(2)光栅阵列的优化使得金属光栅形成较强的FP腔且与亚波长光栅的能有效耦合共振。在表面等离激元共振频率附近，这些金属光栅阵列可以有效地集中光线，具有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN109283616B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201811501015.0
申请日：2018-12-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种温度不敏感马赫曾德尔干涉仪，包括：第一模式转换器；第二模式转换器，位于第一模式转换器的一侧，且与第一模式转换器具有间距；连接臂，位于第一模式转换器与第二模式转换器之间，一端与第一模式转换器相连接，另一端与第二模式转换器相连接；连接臂包括直波导连接臂。本发明的温度不敏感马赫曾德尔干涉仪通过设置所述连接臂的宽度及厚度等参数可以实现对温度不敏感。
-
公开(公告)号：CN116594091A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310559308.9
申请日：2023-05-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种硅基光吸收器件及其应用，包括底层介质层、金属光栅和顶层介质层组成的三明治型导模共振强吸收结构。本发明的器件结构具有如下优势：(1)微纳结构周围的近场极其接近表面的等离子激元的共振频率；(2)光栅阵列的优化使得介质光栅支持波导的有效耦合。在表面等离激元共振频率附近，这些金属光栅阵列可以有效地集中光线，具有良好的市场应用前景。
-
公开(公告)号：CN115693389A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211245081.2
申请日：2022-10-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种低损耗硅光芯片的端面耦合结构，包括硅衬底，所述硅衬底上设有激光器安装区，所述激光器安装区的一侧且在硅衬底上设置有埋氧层，所述埋氧层上设置有浅刻蚀区，所述埋氧层和浅刻蚀区形成的截面刻蚀有斜切端面，所述斜切端面用于减小反射损耗，所述浅刻蚀区上设置有面对激光器安装区的脊波导，所述脊波导的入射端位于斜切端面处。本发明可以实现较高的耦合效率与对准容差。
-
公开(公告)号：CN113130715B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202110407456.X
申请日：2021-04-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L33/00 , H01L33/06 , H01L33/30 , H01L21/762 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供一种垂直结构硅基量子点发光器件的衬底转移方法，包括步骤：提供GaAs衬底，于GaAs衬底上生长外延层，外延层包括GaAs缓冲层、AlAs牺牲层和InAs量子点发光器件；提供硅衬底，形成BCB树脂材料层；进行烘烤，待烘烤后的硅衬底冷却后，将硅衬底和形成有外延层的GaAs衬底键合得到键合片，其中，BCB树脂材料层的表面和所InAs量子点发光器件的表面为键合面；将键合片置于惰性气体氛围下，对BCB树脂材料层进行固化；对键合片进行选择性刻蚀，以去除AlAs牺牲层，由此将InAs量子点发光器件转移至硅衬底上。本发明利用外延层剥离转移的方法，实现GaAs基InAs量子点发光器件与硅基材料在同一晶片上的异质集成，且制备工艺简单，不易损伤外延半导体器件结构。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111442729B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202010300801.5
申请日：2020-04-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01B11/02
Abstract: 本发明涉及一种基于布洛赫表面波单向耦合效应的位移传感装置，包括泄漏辐射显微系统，所述泄漏辐射显微系统沿光信号走向依次包括激光器、透镜组、偏振片、半玻片、入射物镜、位移平台、收集物镜、收集透镜以及成像相机，所述位移平台上设有位移传感芯片，所述位移传感芯片为布洛赫表面波单向耦合芯片。本发明使用的入射光场简单，无需矢量光束整形，并且布洛赫表面光场消光比随入射光场与芯片的相对位移变化剧烈，使得传感灵敏度和精度高、响应速度快。同时，本发明还提高了量程。另外，本发明使用的布洛赫表面波单向耦合芯片为全介质结构，易储存，重复利用率高，且该芯片容错率高，易于加工，降低了加工难度。
-
公开(公告)号：CN111600195B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202010383180.1
申请日：2020-05-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体和光电集成技术领域，特别是涉及一种硅基单片集成激光器及其制备方法，包括：衬底层、埋氧化层、硅波导器件、上覆层和三维波导器件；所述埋氧化层上设有图形化的限向结构；所述限向结构内设有激光器结构；所述硅波导器件设置在所述埋氧化层上；所述埋氧化层、所述激光器结构和所述硅波导器件远离所述衬底层的表面形成第一表面，所述上覆层设置在所述第一表面上；所述三维波导器件设置在所述上覆层上。通过在激光器结构有源区上方引入三维波导结构，实现激光器结构有源区和硅波导之间高质量的光学连接。
-
公开(公告)号：CN112311466A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011256744.1
申请日：2020-11-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H04B10/40 , H04B10/516 , G01K13/00
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，本发明公开了一种集成光收发器，其包括集成连接的片上组件、片外组件和温度传感器；该片上组件包括硅基滤波件，该硅基滤波件用于实现不同波长的光的合波或者分波；该温度传感器用于监测该片上组件的温度；该片外组件包括片外滤波器，该片外滤波器与该硅基滤波件连接，该片外滤波器用于接收该温度传感器监测的温度，当该温度小于预设温度时，调整波长偏离的光的波长于原波长的位置，从而本申请提供的集成光收发器具有成本高、尺寸小和性能好的特点。
-
公开(公告)号：CN111722321A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010060074.X
申请日：2020-01-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/30
Abstract: 本申请涉及一种光膜转换器及其制备方法，该光膜转换器集成在硅波导上，并与光纤连接。光膜转换器包括衬底层、电介质层、第一波导层和第二波导层；第一波导层包括第一波导和第一电介质槽；第一波导的顶部和第二波导层接触，第一波导的底部和电介质层接触；第一波导的宽度由远离光纤至靠近光纤的一端逐渐增大；第一电介质槽围绕设置于第一波导的外侧；第一电介质槽的底部与电介质层连通；第二波导层包括第二波导；第二波导朝向光纤的端面与第一波导朝向光纤的端面互相配合，用于耦合光纤。本申请通过上述光膜转换器实现光膜尺度从硅波导到光纤的尺度转换，如此，可以降低芯片与光纤光耦合损耗，可以降低光纤成本。
-
公开(公告)号：CN111458792A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010301643.5
申请日：2020-04-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明涉及一种基于不对称双狭缝结构的布洛赫表面波单向耦合芯片，包括一玻璃基底以及排布在该玻璃基底上的布拉格反射单元，所述布拉格反射单元中设有不对称双狭缝结构。本发明结构简单，并且本发明对狭缝长度没有严格要求，狭缝宽度和深度容错率高，降低了加工的难度。同时，本发明对入射光要求简单，仅需要偏振高斯光即可实现BSW单向传输功能，无需复杂的柱矢量光场。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
151
records
(took 0.051 seconds)
