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公开(公告)号：CN110895635A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201910717061.2
申请日：2019-08-05
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/20
Abstract: 一种高精度的基于热阻网络的叠层芯片结温预测模型，首先确定芯片内部各个组件的尺寸及其热导率，并将这些参数代入相应的热阻计算公式中并计算出每个组件的热阻值；其次将热阻值代入热阻网络中，可以得到叠层芯片在不同工况下的结温预测模型，最后将结温预测值与仿真值作比较，得到两者之间的相对误差，以验证结温预测模型的准确性。本发明针对原先大多数叠层芯片结温预测模型效率较低、成本较高等不足，创新性地构建了叠层芯片的热阻网络模型，在所述模型中重点考虑了粘接胶的接触热阻以及各个芯片之间的热量耦合效应，提高了预测精度和热设计的效率，此外还降低了设计的成本。
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公开(公告)号：CN110570896A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910701404.6
申请日：2019-07-31
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G11C29/50 , G11C11/413
Abstract: 本发明提供一种面向弱故障的低电压SRAM测试方法，基于弱故障敏化机制，整合存储单元弱故障、译码器字线弱故障和写驱动位线弱故障对应的测试元素，同时引入棋盘数据背景并配合连续读操作，设计出一种算法复杂度仅为12N的新型测试算法，通过电路实现和验证表明该测试方法对这三种弱故障的故障覆盖率较现有测试方法有所提高。
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公开(公告)号：CN110347096A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910729400.9
申请日：2019-08-08
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G05B19/042 , G01V3/12
Abstract: 一种基于延时控制的等效采样电路，通过接收天线接收雷达电路的周期回波信号，FPGA控制电路通过内部锁相环倍频产生10MHz方波信号，时钟经过延时电路对每个周期的时钟方波产生100皮秒的信号延时，再经过采样脉冲产生电路产生一个周期为100.1ns的采样脉冲。采样脉冲主要用来控制采样保持电路的采样与保持，由于脉冲信号和回波信号的频率不同，经过1000个采样脉冲，整个电路最终完成一次完整回波信号的采样。根据上述方案设计的一种基于延时控制的等效采样电路，采样输出波形与原始信号包络基本类似，同时频率降低了1000倍。这种等效采样电路可实现利用低速A/D对高速信号的数据采集，大大降低了整个电路设计的成本。
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公开(公告)号：CN109889161A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201810366966.5
申请日：2018-04-23
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种基于MOS电容调谐结构的环形数控振荡器，由三级差分反馈反相器级联构成，包括结构相同的第一差分反馈反相器τ1、第二差分反馈反相器τ2及第三差分反馈反相器τ3，DCO振荡电路通过改变频率选择控制字输出相应频率的差分振荡信号。频率调谐结构采用由两对反向并联PMOS电容单元组成的阵列极大地提高了DCO输出频率的调谐范围和分辨率，在保证低功耗的前提下进一步减小了DCO电路的量化噪声，改善了电路的整体性能。
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公开(公告)号：CN115062549B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202210825760.0
申请日：2022-07-14
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/27 , G06N20/00 , G06F18/22 , G06F18/241
Abstract: 本发明是一种基于样本数据的半导体器件仿真结果置信度分析方法，包括如下步骤：步骤1：根据实际样本空间数据来源，分别设置所述实际样本空间数据的置信度权重；步骤2：根据待仿真的器件结构参数，设置邻域半径；步骤3：根据相似性函数将邻域半径内空间点的结构参数与仿真样本结构参数代入所述相似性函数，计算得到邻域半径内空间点的结构参数与仿真样本结构参数之间的相似性；步骤4：根据相似性计算结果，计算获取邻域样本空间相对于仿真样本的置信度。本发明将样本数据的置信度引入置信度公式，有效提高了置信度评估的精度，通过控制邻域的数值，不仅可考虑小范围邻域空间，也可考虑整体数据区间，能有效指导设计进程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119855213A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510329586.4
申请日：2025-03-20
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种双沟道超结碳化硅MOSFET，包括A型衬底、A型外延层、B型第二阱区、第一沟槽、第二沟槽、漏极金属、栅极金属、源极金属和肖特基金属；A与B的导电类型不同；A型外延层内设有超结区和两个B型第一阱区；超结区包括A型柱状条和两个B型柱状条；两个B型第一阱区设在两个B型柱状条顶部；第一沟槽和第二沟槽设在B型第二阱区两侧；肖特基金属设在第二沟槽底部；栅极金属悬浮在绝缘介质内，位于栅极金属下方的B型第一阱区顶部形成有第一导电沟道，邻近栅极金属的B型第二阱区侧壁形成有第二导电沟道。本发明能在保证高击穿电压和低比导通电阻的同时，还拥有优异的动态性能，并且有着较强的续流能力与较高的可靠性。
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公开(公告)号：CN119030482A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411213282.3
申请日：2024-08-30
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明属于射频微波通信技术领域，具体公开了一种超宽带差分结构分布式放大器，放大器增益单元包括：分割电容、射极跟随器、共射共基放大电路、尾电流源、发射极电阻。通过射极跟随器减小增益单元输入输出电容，提高传输线截止频率；分割电容用于降低输入传输线上的电容负载；输入偏置电路采用独立于传输线的形式；通过上述方法可以减小增益单元的寄生电容，进而有效拓宽分布式放大器的带宽并表现出更好的放大效果，测量频率更宽的信号。
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公开(公告)号：CN118658571B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411132962.2
申请日：2024-08-19
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G16C60/00 , G06F30/23 , G06T17/20 , G06F111/10 , G06F119/14 , G06F119/08 , G06F119/02 , G06F111/04 , G06F111/08
Abstract: 本发明公开一种考虑延性损伤的凸点晶体塑性有限元模型的构建方法，属于封装可靠性仿真技术领域，包括如下步骤：S1、对凸点试件开展推球试验，获得凸点的宏观应力‑位移曲线；S2、初步建立二维晶体塑性有限元模型；S3、建立耦合损伤的晶体塑性本构模型，并通过用户自定义材料子程序定义；S4、建立计算模型，采用均匀化方法获得有限元模型的应力‑位移曲线；S5、采用试参法拟合宏观应力‑位移曲线和有限元模型的应力‑位移曲线，调整本构模型中的材料参数。本发明能够精确预测封装凸点在剪切荷载下的变形及失效行为，大幅降低试验和设计成本，为封装结构设计提供参考。
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公开(公告)号：CN118488718A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410622797.2
申请日：2024-05-20
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及功率半导体分立器件设计与制造技术领域，公开了一种基于横向变掺杂的共聚物有机场效应晶体管及其制备方法，与传统的VLD技术不同的是，本发明提供的新型结构的共聚物有机场效应晶体管，一方面由于变掺杂浓度形成的多个PN结以及引入的高阻漂移区保证了器件的耐压能力，另一方面由于掺杂剂对于电极起到的修饰作用，可以有效地降低接触电阻，进而提升正向导通电流。
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公开(公告)号：CN118214406A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410411936.7
申请日：2024-04-08
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H03K17/081 , H03K17/687
Abstract: 本发明涉及一种基于可控栅极电流的SiC MOSFET有源栅极驱动电路，针对双脉冲测试电路（8）中所包含的待测试SiC MOSFET U1，基于依次经驱动电压提供电路（1）、电流转换电路（2）提供驱动电流至电流推挽放大电路（3），并结合可控电流过冲抑制电路（4）检测产生可控的电流过冲抑制电流，以及电压过冲抑制电路（5）检测产生电压过冲抑制电流，由电流推挽放大电路（3）放大驱动电流，对待测试SiC MOSFET U1实现驱动；设计方案实现可控的栅极电流控制，从而在待测试SiC MOSFET U1开关过程中，有序的开启和关断，更加有效的抑制电流电压过冲现象。
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