公开(公告)号：CN112420858A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202011120442.1

申请日：2020-10-20

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 谢红云 ,  向洋 ,  沙印 ,  朱富 ,  纪瑞朗 ,  张万荣

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/11

Abstract: 本发明公开了一种硅基脊波导光电晶体管探测器。该晶体管包括Si衬底、在Si衬底上制备的SiO2 BOX层、在BOX层上依次制备的Si次集电区、Si集电区、Si0.8Ge0.2基区和多晶Si发射区，其中由n型Si次集电区、n型Si集电区、p型Si0.8Ge0.2基区和n型多晶硅发射区构成渐变耦合脊波导结构。一种硅基脊波导光电晶体管探测器的入射光，代替传统HPT光从顶端垂直入射的方式，由Si次集电区、Si集电区、Si0.8Ge0.2基区和多晶Si发射区构成的波导的端面侧向入射，光传输方向与载流子运动方向垂直，实现被探测光由侧边探测吸收，缓解光响应度和光电响应速度之间的矛盾，为提高光吸收效率和提高载流子传输速度提供了机会。

公开(公告)号：CN107124157B

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201710270950.X

申请日：2017-04-24

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张万荣 ,  杨坤 ,  谢红云 ,  金冬月 ,  吕晓强 ,  王娜 ,  温晓伟 ,  郭燕玲 ,  孙丹 ,  陈吉添 ,  黄鑫

IPC: H03H11/48

Abstract: 一种高Q值、电感值可粗调细调的宽频带有源电感，包括：第一跨导单元(1)，调制单元(2)，第二跨导单元(3)，第三跨导单元(4)，第四跨导单元(5)，第一可调偏置电路(6)，第二可调偏置电路(7)，第三可调偏置电路(8)，第四可调偏置电路(9)。其中，调制单元(2)与第一跨导单元连接，用于增大有源电感的Q值和带宽；第一跨导单元、调制单元、第二跨导单元构成主回路，第三跨导单元、第四跨导单元构成从回路，主回路和从回路进行并联，增大了整个回路中用来合成电感的等效电容，从而提高了有源电感的电感值。本发明不但实现了有源电感在不同频率下高的Q峰值和Q峰值的可调谐，而且实现了对有源电感电感值的粗调和细调。

公开(公告)号：CN110765704A

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201911210240.3

申请日：2019-11-28

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 那伟聪 ,  张万荣 ,  谢红云 ,  金冬月

IPC: G06F30/27 ,  G06F30/367 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

Abstract: 本发明涉及一种应用于微波器件的新型深层神经网络自动建模方法，属于微波器件建模领域，用于解决现有的浅层神经网络建模方法不能满足微波器件建模领域面临的模型维度高、工作范围大、可靠性高等新需求的问题。本发明具体提出了一种新型的包含Batch Normalization(BN，批量归一化)层和Sigmoid隐藏层的混合型深层神经网络结构及其训练方法，能够解决由于神经网络层数增多而引起的梯度消失和训练被阻止的问题；并采用自适应算法自动确定深层神经网络中BN层和Sigmoid隐藏层的层数，实现训练过程自动化。采用本发明得到的深层神经网络模型能够精确表示微波器件复杂、连续、高度非线性的器件特性，计算速度快，能有效代替原始器件进行后续电路或系统的仿真与设计。

公开(公告)号：CN110047969A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201910371801.1

申请日：2019-05-06

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 谢红云 ,  刘先程 ,  沙印 ,  郭敏 ,  马佩 ,  张万荣

IPC: H01L31/11 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0392

Abstract: 本发明公开了一种SOI基SiGe双异质结光敏晶体管探测器，采用SOI衬底替换Si衬底。该探测器包括一SOI衬底，由下层Si层和SiO2层构成；在SOI衬底上依次制备出一Si次集电区、一Si集电区、一SiGe基区和一多晶Si发射区。因为Si材料和SiO2材料折射率不同产生的折射率差，Si/SiO2界面会形成一个反射镜，入射光到达SOI衬底中Si/SiO2界面后会被反射而再次吸收，提高吸收效率；此外，SOI衬底中的SiO2层的存在可以隔离衬底下层Si中产生的慢载流子并降低器件的寄生电容，从而提高工作速度。将光电探测器制作在SOI衬底上可以实现高速高效的光探测。

公开(公告)号：CN109742138A

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201910000686.7

申请日：2019-01-02

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 金冬月 ,  郭斌 ,  张万荣 ,  陈蕊 ,  王利凡 ,  陈虎 ,  贾晓雪

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L23/373

Abstract: 本发明公开了一种具有低温度敏感性的SOI SiGe异质结双极晶体管。晶体管采用由SiO2绝缘层和Si3N4绝缘层组成的多层绝缘层结构，可以有效减小衬底寄生电容，提高器件频率特性；降低漏电流，使得器件具有更低的功耗；消除闩锁效应以及改善混频信号电路串扰问题。Si3N4绝缘层改善器件热阻，达到降低器件整体温度分布的目的。晶体管的SiGe基区中Ge组分采用从发射结侧向集电结侧呈递增的阶梯型分布结构，在保证较高特征频率和较大电流增益的同时，使器件电流增益随温度变化趋势变缓，器件的温度敏感性得到改善。所述晶体管的结温更低，电流增益和静态工作点抗扰动能力更强，可在较宽的工作偏置范围内实现器件的热稳定工作。

公开(公告)号：CN109450404A

公开(公告)日：2019-03-08

申请号：CN201811219238.8

申请日：2018-10-19

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张万荣 ,  徐曙 ,  谢红云 ,  金冬月 ,  张崟 ,  杨鑫

IPC: H03H11/48

Abstract: 一种可工作在Ku波段的有源电感，包括第一Q-增强型跨导器单元(1)，第二Q-增强型跨导器单元(2)，第一可调输入单元(3)，第二可调输入单元(4)。其中，第一Q-增强型跨导器单元(1)与第一可调输入单元(3)串联构成第一级阻抗变换电路，第二Q-增强型跨导器单元(2)与第二可调输入单元(4)串联构成第二级阻抗变换电路，且第一级阻抗变换电路与第二级阻抗变换电路级联，使得有源电感的总等效电容减小，阻抗变换次数增加，最终获得了高Q值，大电感值，可工作在Ku波段的有源电感。

公开(公告)号：CN109412553A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201811239562.6

申请日：2018-10-24

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张万荣 ,  张崟 ,  谢红云 ,  金冬月 ,  徐曙 ,  杨鑫 ,  张昭

IPC: H03H11/04

Abstract: 一种射频电感电路，由带有反馈模块的第一跨导单元(1)，带有反馈模块的第二跨导单元(2)，第一可调跨导单元(3)，第二可调跨导单元(4)以及电流镜反馈单元(5)组成。其中，带有反馈模块的第一跨导单元(1)与第一可调跨导单元(3)连接形成第一等效电感回路，带有反馈模块的第二跨导单元(2)与第二可调跨导单元(4)连接形成第二等效电感回路，第一等效电感回路和第二等效电感回路皆与电流镜反馈单元(5)连接，也与差分信号的输入端相连，使得新型射频电感电路具有高Q值、大电感值并可调谐，且在宽输入信号动态范围内Q值与电感值能保持恒定。

公开(公告)号：CN104980125B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201510393676.6

申请日：2015-07-07

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张万荣 ,  陈吉添 ,  谢红云 ,  金冬月 ,  邓蔷薇 ,  黄鑫 ,  赵彦晓 ,  刘亚泽 ,  刘硕 ,  金子超 ,  赵馨仪

IPC: H03H11/04

Abstract: 本发明提供了一种采用负阻结构的宽频带、高Q值、可调谐的有源电感。该电感包括：负阻反馈晶体管，负跨导放大器，共栅跨导放大器，第一可调电阻网络，第二可调电阻网络，第一正跨导放大器，第二正跨导放大器，第一可调电流源，第二可调电流源。其中负阻反馈晶体管连接负跨导放大器形成负阻结构，提高有源电感的Q值。共栅跨导放大器提高有源电感的带宽。负跨导放大器与两个正跨导放大器一起构成双回转器结构提高有源电感的等效电感和Q值。两个可调电阻网络用来调节等效电感和Q值。两个可调电流源提供电流偏置。该有源电感的电感值的频率带宽能达到10GHz以上，电感值能在5nH到60nH之间调谐，Q值能达到1000，且Q值大于20的频带能达到5个GHz。

公开(公告)号：CN103905012B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201410117449.6

申请日：2014-03-27

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 赵彦晓 ,  张万荣 ,  谢红云 ,  高栋 ,  赵飞义

IPC: H03H11/02 ,  H03H11/04

Abstract: 本发明提供了一种可小型化设计的电感，包括：第一双极型晶体管(Q1)，第二双极型晶体管(Q2)，螺旋电感(Lf)，第一MOS管(M1)，第二MOS管(M2)。本发明结合了螺旋电感与晶体管合成电感(有源电感)的优点，能够获得大的电感值，并且电感值可调节，占用面积小，品质因子高，功耗低。

公开(公告)号：CN103943670B

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201410146902.6

申请日：2014-04-12

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 金冬月 ,  胡瑞心 ,  张万荣 ,  王肖 ,  付强 ,  鲁东

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/08

Abstract: 本发明公开了一种应变硅异质结双极晶体管，尤其是同时具有大电流增益和高击穿电压的超结集电区应变硅异质结双极晶体管。所述晶体管采用SiGe虚拟衬底结构，并在弛豫SiGe集电区中引入n型柱区和p型柱区交替排列的超结结构，其上分别外延生长应变SiGe基区和应变Si发射区。所述晶体管在弛豫SiGe集电区上外延生长应变SiGe基区可有效提高SiGe基区内Ge含量，增大发射区和基区间的带隙差，从而达到提高发射效率、增大器件电流增益的目的。同时，所述晶体管在集电区采用超结结构，可引入横向电场，改善集电区电场分布，从而达到提高器件击穿电压的目的。与常规的功率异质结双极晶体管相比，所述晶体管在保持优异高频特性的同时电流增益更大，击穿电压更高，可有效拓展异质结双极晶体管在射频和微波功率领域的应用。