公开(公告)号：CN112760714A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201911065167.5

申请日：2019-11-04

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘开辉 ,  王金焕 ,  徐小志

IPC: C30B29/46 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明提供了一种制备单晶二维过渡金属硫族化合物的方法，所述方法包括以特定晶向的a‑plane三氧化铝作为衬底，高温下生长大面积单晶二维过渡金属硫族化合物，其中，所述特定晶向为 / 。所述二维过渡金属硫族化合物包含二硒化钼、二硫化钼、二硒化钨等所有过渡金属硫族化合物。所述方法解决了化学气相沉积法制备二维过渡金属硫族化合物单晶尺寸小的问题。通过简单、高效的方法，实现了单晶二维过渡金属硫族化合物的制备。

公开(公告)号：CN111621846B

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN201910144704.9

申请日：2019-02-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘开辉 ,  张志斌 ,  吴慕鸿 ,  俞大鹏 ,  王恩哥

IPC: C30B29/02 ,  C30B1/02 ,  C30B29/64

Abstract: 本发明提出一种克隆生长单晶金属的方法，以铜为例，利用已有的任意指数面单晶铜箔，放置在需要单晶化的铜箔上，通过退火工艺处理，克隆得到与母体晶面指数相同的大面积(米级)单晶铜箔。本发明提出的方法，解决了单晶铜箔难以制备的问题，通过退火工艺处理，利用极小尺寸(～0.25cm2)的单晶铜箔母体克隆制得了大面积(～700cm2)的单晶铜箔。面积扩大了约3000倍。

公开(公告)号：CN112255859A

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN202011071334.X

申请日：2020-10-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘开辉 ,  吴春春 ,  洪浩 ,  赵子荀

IPC: G02F1/37 ,  G02F1/355

Abstract: 本发明提供一种调控过渡金属硫化物的二次谐波信号的方法，所述方法包含如下步骤：S1、提供过渡金属硫化物/二维介电材料异质结；S2、测量过渡金属硫化物/二维介电材料异质结的二次谐波信号；其中，在调谐的激发光波长范围1100nm‑1280nm和1325nm‑1350nm内的所述异质结的二次谐波信号小于所述过渡金属硫化物的本征二次谐波信号，当激发光波长在1280nm‑1325nm之间和位于1360nm情况下，所述异质结的二次谐波信号大于所述过渡金属硫化物的本征二次谐波信号。该方法通过将石墨烯或其它二维介电材料转移到单层过渡金属硫化物上来改变它们的非线性光学响应，在转移单层石墨烯或其它二维介电材料后，过渡金属硫化物的非线性信号会有0.5‑2倍的改变，且其影响随着二维材料的介电常数的减小而下降。

公开(公告)号：CN109837523B

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN201810493954.9

申请日：2018-05-22

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘灿 ,  徐小志 ,  吴慕鸿 ,  俞大鹏 ,  王恩哥 ,  刘开辉

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明提供了一种精确标定石墨烯超快生长速率的装置及方法。本发明的目的在于克服现有技术之不足，将同位素标定法和局部碳源供给法结合起来，并利用脉冲控制电路能够快速准确地标定出石墨烯超快生长的速率，整个过程操作简便，程序可控，探测灵敏度高。

公开(公告)号：CN111155160A

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN202010111665.5

申请日：2020-02-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘开辉 ,  赵孟泽 ,  张志斌 ,  寇金宗

IPC: C25D11/34 ,  C23C8/12

Abstract: 本发明提供了一种降低金属制品氧化速度的方法，所述方法包括如下步骤：(一)以待处理金属样品为阳极，以含弱酸水溶液为电解液，搭建电解池；(二)通电一段时间后，断电并将样品取出；(三)将样品清洗后擦干即得到所述金属制品。本发明提出的方法，通过非常简单的操作，就可以降低金属制品的氧化速度，并可以保持金属制品的表面性质。

公开(公告)号：CN107740118B

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201710961693.4

申请日：2017-10-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 徐小志 ,  俞大鹏 ,  王恩哥 ,  刘开辉

IPC: C23F15/00

Abstract: 本发明提供了一种晶面依赖的石墨烯防护金属腐蚀的方法。所述方法将石墨烯利用化学气相沉积等方法覆盖在金属箔片表面，利用石墨烯的完全不可穿透性以及与金属衬底之间的相互作用，对自然氧化、热水蒸汽熏以及海水环境下的金属进行防护，保护金属不被腐蚀。本发明提出的方法，解决了金属氧化腐蚀的问题，通过非常简单的方法，实现了石墨烯对金属的防护。

公开(公告)号：CN109949964A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201910171876.5

申请日：2019-03-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘开辉 ,  尚念泽 ,  俞大鹏 ,  王恩哥

IPC: H01B1/02 ,  C30B29/02

Abstract: 本发明提供了一种基于单晶铜的降低电路损耗的方法。单晶铜是由一个晶粒长大而形成，因此没有晶界，并且晶格缺陷较少。相对于多晶铜而言，单晶铜具有更好的导电性能和传输特性，从而具有卓越的降低能量损耗的效果。本发明提出的一种基于单晶铜的降低电路损耗方法，包括但不限于将单晶铜应用作高频电缆、导线和集成电路等电路的制作材料，以降低电路的能量损耗和高频信号传输损耗。

公开(公告)号：CN109652858A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201811514047.4

申请日：2018-12-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘开辉 ,  王理 ,  俞大鹏 ,  王恩哥

IPC: C30B29/38 ,  C30B29/64 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明提供了一种利用层间耦合与台阶耦合的协同效应制备单晶六方氮化硼的方法。所述方法利用六方氮化硼和单晶铜箔衬底之间耦合作用，与六方氮化硼晶畴边缘和单晶铜箔上台阶边缘耦合作用的协同效应，来实现六方氮化硼单晶的化学气相沉积生长。所述方法解决了化学气相沉积法制备六方氮化硼单晶尺寸小、价格昂贵、基底表面处理工序复杂且生长周期长等技术问题。通过简单、高效的方法，实现了单晶六方氮化硼的制备。

公开(公告)号：CN106835260B

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201710028076.9

申请日：2017-01-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 张智宏 ,  徐小志 ,  吴慕鸿 ,  俞大鹏 ,  王恩哥 ,  刘开辉

IPC: C30B1/02 ,  C30B25/00 ,  C30B29/52 ,  C30B29/02 ,  C30B29/64

Abstract: 本发明提供了一种超大尺寸多层单晶石墨烯和大尺寸单晶铜镍合金的制备方法。所述方法为用镀镍的单晶铜箔作为原料，利用退火制备出超大尺寸单晶铜镍合金，然后利用常压化学气相沉积法，以单晶铜镍合金为衬底获得超大尺寸高质量多层单晶石墨烯。本发明提出的方法，用简单的方法获得大尺寸单晶铜镍合金，并利用衬底的调控作用制备出超大尺寸多层单晶石墨烯，解决了多层石墨烯生长中单晶尺寸小、生长过程复杂等技术问题，通过非常简单的方法，实现了高质量大尺寸的多层单晶石墨烯样品和单晶铜镍合金和的制备。

公开(公告)号：CN108878265A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810714565.4

申请日：2018-07-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 杨学林 ,  沈波 ,  冯玉霞 ,  张智宏 ,  刘开辉 ,  张洁 ,  许福军 ,  王新强 ,  唐宁

IPC: H01L21/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40

CPC classification number: H01L21/02389 ,  C30B25/183 ,  C30B25/186 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明公开了一种在Si(100)衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法，包括：在Si(100)衬底上形成非晶SiO2层；将单晶石墨烯转移至Si(100)/SiO2衬底上；对单晶石墨烯表面进行预处理，产生悬挂键；生长AlN成核层；外延生长GaN薄膜。由于Si(100)表面重构产生两种悬挂键，导致氮化物生长时晶粒面内取向不一致而不能形成单晶，本发明以非晶SiO2层屏蔽衬底表面的两种悬挂键信息，并由石墨烯提供氮化物外延生长所需的六方模板，外延得到了连续均匀的高质量GaN单晶薄膜，为GaN基器件与Si基器件的整合集成奠定了良好的基础。