公开(公告)号：CN109652858A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201811514047.4

申请日：2018-12-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘开辉 ,  王理 ,  俞大鹏 ,  王恩哥

IPC: C30B29/38 ,  C30B29/64 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明提供了一种利用层间耦合与台阶耦合的协同效应制备单晶六方氮化硼的方法。所述方法利用六方氮化硼和单晶铜箔衬底之间耦合作用，与六方氮化硼晶畴边缘和单晶铜箔上台阶边缘耦合作用的协同效应，来实现六方氮化硼单晶的化学气相沉积生长。所述方法解决了化学气相沉积法制备六方氮化硼单晶尺寸小、价格昂贵、基底表面处理工序复杂且生长周期长等技术问题。通过简单、高效的方法，实现了单晶六方氮化硼的制备。

公开(公告)号：CN109652858B

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN201811514047.4

申请日：2018-12-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘开辉 ,  王理 ,  俞大鹏 ,  王恩哥

IPC: C30B29/38 ,  C30B29/64 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明提供了一种利用层间耦合与台阶耦合的协同效应制备单晶六方氮化硼的方法。所述方法利用六方氮化硼和单晶铜箔衬底之间耦合作用，与六方氮化硼晶畴边缘和单晶铜箔上台阶边缘耦合作用的协同效应，来实现六方氮化硼单晶的化学气相沉积生长。所述方法解决了化学气相沉积法制备六方氮化硼单晶尺寸小、价格昂贵、基底表面处理工序复杂且生长周期长等技术问题。通过简单、高效的方法，实现了单晶六方氮化硼的制备。