-
公开(公告)号：CN114124021A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111437446.7
申请日：2021-11-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请实施例所公开的一种弹性波谐振器及多通带滤波器，弹性波谐振器包括衬底、第一电极层、压电薄膜和第二电极层。其中，压电薄膜包括多个刻蚀区域和多个非刻蚀区域，刻蚀区域的深度与压电薄膜厚度的比值在区间[0.4,1)内，相邻两个刻蚀区域间的中心间距与压电薄膜厚度的比值在区间[0.4,1.25]内，第一电极层设置在衬底上，压电薄膜设置在第一电极层上，第二电极层设置在压电薄膜上，并以第二层电极为掩膜版对压电薄膜进行部分刻蚀。谐振器在较大的频率区间内可以获得多个无杂散模式、大机电耦合系数的谐振。基于本申请实施例通过调整压电薄膜的刻蚀尺寸和刻蚀深度，可以改变谐振频率和机电耦合系数，可搭建多通带滤波器。
-
公开(公告)号：CN111722318B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202010602370.8
申请日：2020-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种基于内扩散和离子注入的铌酸锂波导制备方法，包括以下步骤：获取铌酸锂晶体；在所述铌酸锂晶体表面沉积钛层，将沉积有钛层的铌酸锂晶体进行高温扩散处理，获得钛扩散后的铌酸锂晶体；对所述钛扩散后的铌酸锂晶体进行清洗处理，去除所述光刻处理后残留的光刻胶以及所述高温扩散处理后残余的钛层；对所述钛扩散后的铌酸锂晶体进行区域离子注入处理，获得注入离子后的铌酸锂晶体；其中，所述区域离子注入处理中注入的离子为能够提高所述铌酸锂晶体抗光折变性的离子；对所述注入离子后的铌酸锂晶体进行退火处理。该制备方法在内扩散技术的基础上注入能够提高铌酸锂抗光折变性的离子，能够有效减小铌酸锂光波导光损伤效应。
-
公开(公告)号：CN113676150A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110987508.5
申请日：2021-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件技术领域，本发明公开了一种兰姆波器件及其制备方法。该兰姆波器件包括由下至上依次设置的支撑衬底、布拉格反射层、压电薄膜和叉指电极结构；该布拉格反射层包括交替层叠的低声阻抗层和高声阻抗层；该叉指电极结构包括第一总线、第二总线、第一叉指电极和第二叉指电极；该第一总线的第一端与该第二总线的第一端相对，且存在预设距离；该第一叉指电极设于该第一总线上；该第二叉指电极设于该第二总线上；该第一叉指电极的形状和该第二叉指电极的形状为弧形。
-
公开(公告)号：CN111736260B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202010630086.1
申请日：2020-07-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及集成光学技术领域，特别涉及一种偏振器件及其制备方法。包括：支撑层和模式筛选层，所述支撑层用于支撑所述所述模式筛选层；所述模式筛选层包括光吸收层和光隔离层，所述光吸收层设置在所述支撑层上，所述光隔离层设置在所述光吸收层上；所述光吸收层用于吸收预设光波导模式的光。光吸收层可以选择性吸收TM模式以及其他高阶模式的光波，光隔离层可以限制光吸收层对光波能量的吸收程度。本申请所述的偏振器件对光偏振的控制，是基于整个电路衬底进行改进来实现的，当光学结构大规模的在片上集成时，模式筛选层可对所有的光学结构中的光波进行偏振筛选，因此无须在光路上重复制备大量偏振控制结构，降低了工艺难度。
-
公开(公告)号：CN113630101A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110944319.X
申请日：2021-08-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种固态装配型横向振荡声波谐振器，所述声波谐振器包括：小散射角支撑衬底；压电层，形成于所述小散射角支撑衬底的上表面，所述压电层包括：横向谐振结构及凹槽结构，所述凹槽结构形成于所述横向谐振结构的两侧；少数量/小占空比图案化电极，形成于所述横向谐振结构的上表面；其中，在对所述少数量/小占空比图案化电极施加电势时，所述声波谐振器在所述横向谐振结构中激发并产生多阶模式响应的等间距高次谐波。通过本发明提供的固态装配型横向振荡声波谐振器，实现了声波谐振器在接收器相关器件定义的频率上具有等距谐振。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113541636A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110864026.0
申请日：2021-07-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种声波谐振器及其制备方法，所述声波谐振器包括：支撑衬底；压电层，形成于所述支撑衬底的上表面，其中所述压电层包括贯通槽、边缘支撑结构、接合臂及N个有效压电结构；N个底电极，形成于N个所述有效压电结构和所述支撑衬底之间，并通过底电极连通结构相互连通；N个顶电极，形成于N个所述有效压电结构的上表面，并通过N个顶电极引出结构一一引出。其中，N为大于等于2的正整数。通过本发明提供的声波谐振器及其制备方法，解决了现有技术中横纵电场激发产生杂波的问题以及声波谐振器频率调节的问题。
-
公开(公告)号：CN111865250B
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202010661703.4
申请日：2020-07-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种POI衬底、高频声波谐振器及其制备方法，该POI衬底的制备方法包括以下步骤：获取重掺杂SiC衬底和压电衬底；对重掺杂SiC衬底进行多次H离子注入，在重掺杂SiC衬底中形成富H层，获得含富H层的重掺杂SiC衬底；其中，每次注入H离子的能量不同；对含富H层的重掺杂SiC衬底进行退火处理；对压电衬底进行离子注入，在压电衬底的设定深度位置形成缺陷层，获得含缺陷层的压电衬底；将含富H层的重掺杂SiC衬底的注入面和含缺陷层的压电衬底的注入面进行键合，获得键合结构；对键合结构进行退火剥离处理，使得含缺陷层的压电衬底部分被剥离，形成含压电薄膜的键合结构；对含压电薄膜的键合结构进行后退火处理及对压电薄膜进行表面处理。
-
公开(公告)号：CN111751927B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202010717348.8
申请日：2020-07-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/124
Abstract: 本发明涉及半导体领域和光电集成领域，具体是一种可调光栅耦合器，包括自上而下依次设置的波导层、介质层和衬底层；所述波导层的材料为电光材料，所述波导层的一端形成有耦合光栅；所述耦合光栅两侧均设置有多个电极，所述耦合光栅一侧的电极与另一侧的电极一一对应设置，形成多个电极对；每个所述电极对的两个电极之间的电压能够单独进行调节，通过调节所述电极对的两个电极之间的电压能够调节所述电极对之间的耦合光栅的耦合系数，从而调节所述耦合光栅的衍射光场的模场分布，以使得所述衍射光场的模场分布与耦合光纤的模场分布相匹配。本发明可以根据耦合光纤的尺寸动态调节耦合光栅衍射光场的模场分布，提高光栅耦合器的耦合效率。
-
公开(公告)号：CN111799368B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202010602406.2
申请日：2020-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L41/313 , H01L41/33 , H01L41/22
Abstract: 本发明涉及半导体材料制备领域，本发明公开了一种降低薄膜剥离热应力的异质结构薄膜的制备方法，具体地，首先提供异质结构薄膜衬底，该异质结构薄膜衬底包括相对设置的第一表面和第二表面；在第一表面上依次沉积第一铟层和第一金层，形成第一待键合衬底；其次，提供支撑衬底；在支撑衬底的第三表面依次沉积第二铟层和第二金层，形成第二待键合衬底；将第一待键合衬底置于第二待键合衬底上，且第一金层与该第二金层接触，形成待键合衬底；最后，对该第二表面施加作用力，同时对待键合衬底进行键合、退火和剥离转移，得到异质结构薄膜。本发明提供的异质结构薄膜的制备方法具有提高剥离转移后的压电薄膜面积和不易造成薄膜裂片的特点。
-
公开(公告)号：CN112864006A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110034385.3
申请日：2021-01-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/266 , H01L21/225 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体衬底的制备方法。该半导体衬底的制备方法包括以下步骤：提供一碳化硅晶圆，该碳化硅晶圆为重掺杂晶圆；在该碳化硅晶圆的第一表面上形成二氧化硅保护层；从该第一表面对该碳化硅晶圆进行离子注入，得到第一衬底；去除该第一衬底上的二氧化硅保护层，得到第二衬底；对该第二衬底进行退火处理，得到该半导体衬底。使用本申请提供的制备碳化硅衬底的制备方法具有制造成本低的优点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
382
records
(took 0.078 seconds)
