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公开(公告)号：CN102403988A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110435853.4
申请日：2011-12-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03K17/22
Abstract: 本发明提供一种上电复位电路，所述上电复位电路包括检压模块、施密特触发器、反相控制模块及脉冲整形模块。电源上电过程，检压模块检测电源电压变化并输出采样信号；采样信号进入施密特触发器输出阶跃信号，所述阶跃信号一方面输出至所述检压模块用于控制检压模块的快速泻流以拉低采样信号，另一方面通过反相控制模块反相后用于控制检压模块的开关泄流，最后所述阶跃信号经过脉冲整形模块的延迟与异或后输出上电复位信号。本设计结构简单，利用两路反馈控制信号与施密特触发器本身的迟滞特性，本电路得到很高稳定性和抗噪特性且上电结束后电路静态功耗很低。
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公开(公告)号：CN101783391B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN201010105702.8
申请日：2010-02-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种纳米复合相变材料、制备方法、及作为相变存储器的用途，其中，所述纳米复合相变材料包含：重量百分比为8-36％的Ta2O5、和重量百分比为64-92％的相变材料，由于相变材料与Ta2O5在纳米尺度的均匀复合，Ta2O5的存在一方面抑制了相变材料晶粒的长大，提升了材料的电阻率和晶化温度，增加了材料的热稳定性；另一方面由于晶界密度的增加，材料的热导率减小，同时Ta2O5的引入提升了材料的介电常数，有利于器件阈值电压的减小。这种新型纳米复合相变薄膜应用到存储器中，可使相变存储器件的RESET电压降低，有利于实现高密度存储，提高了相变存储器的编程过程中的加热效率，降低了其功耗，提升了数据保持能力、疲劳特性和抗辐照能力等。
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公开(公告)号：CN101894771B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201010206329.5
申请日：2010-06-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明揭示了一种多层堆叠电阻转换存储器的制造方法，包括如下步骤：制造半导体第一晶圆；制造半导体第二晶圆；键合第一晶圆和第二晶圆；沉积第一电极材料；通过半导体工艺，在原第一晶圆顶部镶嵌的第一位线上方形成对应的多层结构单元；沉积绝缘介质材料；在所述基底上通过半导体工艺制造沟槽；填充存储材料，并进行回刻工艺，仅保留沟槽内的存储材料；填充第三金属材料层，并进行化学机械抛光平坦化，原位地、免光刻地在沟槽内形成第二字/位线。本发明提出的多层堆叠电阻转换存储器的制造方法，通过键合法实现多层堆叠电阻转换存储器的制造，工艺与电阻转换存储器工艺兼容，而且具有良好的可靠性。
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公开(公告)号：CN101800237B
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201010107872.X
申请日：2010-02-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/24
Abstract: 本发明揭示了一种相变存储器芯片版图结构，所述相变存储器芯片版图包括第一版图区、第二版图区、第三版图区、第四版图区、第五版图区和第六版图区；第一版图区、第二版图区、第三版图区和第四版图区位于相变存储器芯片版图的中央；第一版图区与第二版图区相连，第二版图区与第三版图区相连，第二版图区与第四版图区相连，第三版图区与第四版图区相连；第五版图区覆盖版图中央、除第一版图区、第二版图区、第三版图区和第四版图区外的其他空白区域；第六版图区均匀分布在相变存储器芯片版图的四周和四角。本发明提出的相变存储器芯片版图结构，芯片版图布局合理，有效减小了压控振荡器噪声以及数字电路的噪声对模拟电路和存储阵列的干扰。
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公开(公告)号：CN101763452B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201010022539.9
申请日：2010-01-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器的模拟方法，包括以下步骤：A根据工艺要求建立相变存储单元的几何模型；B当相变存储单元负载电流时，相变材料的电导率设定为等效熔融态电导率为1041/Ωm量级的固定值；当负载电压时，相变材料的电导率设定为等效晶态电导率，通过计算而得，式中R为基准电阻；C利用有限元计算法根据电热耦合方程计算出相变存储单元负载不同电流或电压下的电势分布和温度分布；D根据相变材料的熔融区域，计算相变存储单元在负载不同电流或者电压下的电阻值，从而得到RI关系曲线或RV关系曲线。本发明通过引入基准电阻，求得不同工艺尺寸下相变材料的等效电导率，能够在不同工艺尺寸下模拟器件的电场和热场及RI和RV的关系。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102268332A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010189161.1
申请日：2010-06-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种相变材料抛光后清洗液，此抛光后清洗液包含氧化剂、表面活性剂、金属防腐抑制剂及酸性介质。通过本发明提供的抛光后清洗液，对相变存储器件做抛光后处理，可大大减少相变存储器件在化学机械抛光工艺后产生的缺陷(微划痕、残留等)，从而改善化学机械抛光工艺控制和提高相变存储器件性能。
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公开(公告)号：CN102255044A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110112153.1
申请日：2011-05-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种纳秒级可逆相变材料及其相变机理的测定方法。该材料具有在多种外在因素单独或联合作用下发生纳秒级可逆相变的性能；所述因素包括电场、压力、温度；所述纳秒级可逆相变是指材料内部原子、原子团或分子发生有序与无序排布之间的可逆变化，使材料在宏观上呈现为在晶态与非晶态两个相之间发生的相转变过程，且该相转变过程所耗费的时间在0.1~1000纳秒范围内；其中，该材料的晶态具有立方晶系的晶格结构；且该材料具有稳定的高温固相，其化学计量比为电中性，P轨道电离度为0.02
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公开(公告)号：CN102254927A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201010177777.7
申请日：2010-05-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/24 , H01L29/861 , H01L29/12 , H01L21/82
Abstract: 本发明涉及一种电阻式随机存取存储器及其制造方法，该电阻式随机存取存储器，包括选通管和与之连接的阻变存储单元，所述阻变存储单元至少包括上电极、下电极和位于上下电极之间的阻变存储介质，其中所述选通管为宽带隙半导体二极管，所述宽带隙半导体二极管为采用宽带隙半导体材料的p-n结二极管或肖特基二极管。本发明利用宽带隙半导体二极管作为选通管，由于宽带隙半导体二极管不仅具有高速开关、低热导率、耐高压等特性，而且具有很强的抗辐照能力，因此可制备出高速、高密度、抗辐射的RRAM芯片。
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公开(公告)号：CN101826546B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201010141273.X
申请日：2010-04-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种纳米级侧壁限制的电阻转换存储器单元及其制造方法，该存储器单元结构，包括：上电极、下电极、以及分别与上电极和下电极相接触的存储单元，在所述存储单元周围设有绝缘材料将其隔离，所述存储单元在平行于电极方向的横截面为平行四边形，且所述平行四边形的其中一边长为另一边长的1.5倍以上，所述存储单元与所述一电极的接触面积等于或大于其与所述另一电极的接触面积。本发明通过绝缘侧壁限制了存储单元的体积，有效地缩小了存储单元与电极的接触面积，降低了功耗，而且绝缘侧壁对存储单元还起到了绝缘、绝热、抗扩散的作用，从而可提升存储器的可靠性。
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公开(公告)号：CN101325154B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200810040645.2
申请日：2008-07-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新傲科技有限公司
IPC: H01L21/18
Abstract: 本发明涉及一种混合图形化单晶硅的绝缘层上锗结构及其制作方法，特征在于有源层由单晶锗和单晶硅构成，且单晶硅的晶向由衬底硅决定。制备该结构的关键是能够制作出绝缘层上锗单晶薄膜，本发明利用等离子体低温键合和低温剥离的工艺，将单晶锗薄膜转移到绝缘层上，并在此单晶锗薄膜上选择性刻蚀、外延单晶硅，从而制备出混合有图形化单晶硅的绝缘层上锗结构衬底。本发明可用于砷化镓外延，实现与III-V族半导体的集成。同时存在的图形化单晶硅材料可以进行常规CMOS工艺加工，制备常规器件与电路，有效解决氧化埋层的自加热效应。这种新型混合图形化单晶硅的绝缘层上锗结构，在高速高性能CMOS器件，光电集成电路，高速光探测器等方面有重要的应用前景。
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