公开(公告)号：CN101976675B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201010252343.9

申请日：2010-08-13

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴良才 ,  宋志棠 ,  倪鹤南

IPC: H01L27/24 ,  H01L29/861 ,  H01L29/12 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明涉及一种利用宽带隙半导体二极管作为相变存储器的选通管及方法，其特征在于所述的相变存储器器件单元是由一个宽带隙半导体二极管和一个可逆相变存储介质构成。宽带隙半导体材料具有禁带宽度大、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强、击穿电场强度高以及良好的化学稳定性等特点，非常适合于制作高速、高密度、抗辐射的电子器件，宽带隙半导体材料与具有高速、高缩微能力、具有天然抗辐射等性能的相变材料结合，集成出高速、高密度、低功耗、耐压、抗辐照等优异性能的相变存储单元，进而制备出高速、高密度、低功耗、抗辐射等优异性能的相变存储器。

公开(公告)号：CN101964351A

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN201010252352.8

申请日：2010-08-13

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴良才 ,  宋志棠 ,  倪鹤南 ,  蔡道林 ,  孙浩 ,  饶峰

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明涉及一种非硅基的肖特基二极管作为开关的相变存储器及方法，其特征在于所述的存储单元由一个基于化合物(如III-V族半导体GaAs)的肖特基二极管(SBD)和一个可逆相变电阻构成，该SBD具有50ns以下的开关速度，能提供1μA-5mA的电流，耐压能力达到10V以上，此外，SBD具有很强的抗辐照能力，基于结构变化的相变材料，在辐照情况下其阻值不会发生变化，从而实现了高速、低功耗、能提供大电流、耐压好、抗辐照的相变存储单元，由该相变存储单元构成存储阵列，加上SOI衬底上的外围电路，从而形成高速、抗辐照等性能优异的相变存储芯片。不同于目前基于半导体p-n结作为开关的相变存储器件的结构。

公开(公告)号：CN101976675A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN201010252343.9

申请日：2010-08-13

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴良才 ,  宋志棠 ,  倪鹤南

IPC: H01L27/24 ,  H01L29/861 ,  H01L29/12 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明涉及一种利用宽带隙半导体二极管作为相变存储器的选通管及方法，其特征在于所述的相变存储器器件单元是由一个宽带隙半导体二极管和一个可逆相变存储介质构成。宽带隙半导体材料具有禁带宽度大、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强、击穿电场强度高以及良好的化学稳定性等特点，非常适合于制作高速、高密度、抗辐射的电子器件，宽带隙半导体材料与具有高速、高缩微能力、具有天然抗辐射等性能的相变材料结合，集成出高速、高密度、低功耗、耐压、抗辐照等优异性能的相变存储单元，进而制备出高速、高密度、低功耗、抗辐射等优异性能的相变存储器。

公开(公告)号：CN102254927A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201010177777.7

申请日：2010-05-18

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴良才 ,  倪鹤南 ,  宋志棠 ,  周夕淋 ,  饶峰

IPC: H01L27/24 ,  H01L29/861 ,  H01L29/12 ,  H01L21/82

Abstract: 本发明涉及一种电阻式随机存取存储器及其制造方法，该电阻式随机存取存储器，包括选通管和与之连接的阻变存储单元，所述阻变存储单元至少包括上电极、下电极和位于上下电极之间的阻变存储介质，其中所述选通管为宽带隙半导体二极管，所述宽带隙半导体二极管为采用宽带隙半导体材料的p-n结二极管或肖特基二极管。本发明利用宽带隙半导体二极管作为选通管，由于宽带隙半导体二极管不仅具有高速开关、低热导率、耐高压等特性，而且具有很强的抗辐照能力，因此可制备出高速、高密度、抗辐射的RRAM芯片。