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公开(公告)号：CN104467470B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410790982.9
申请日：2014-12-18
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种开关电源的数字PFM模式实现方法，基于包括采样电路、AD转换模块、误差计算模块、数字PID模块、数字PFM控制模块以及DPWM模块构成的PFM调节系统，该调节系统与受控的开关电源连接起来，构成一个闭环；采样电路对开关电源的输出电压进行采样，采样输出经过AD转换为数字信号，后进入误差计算模块，连续的数字信号进入误差计算模块与设定的电压值进入比较器中比较，产生的偏差(同时记录历史偏差)和偏差变化率供给数字PID模块，在数字PID模块中执行补偿算法，递交给PFM控制模块输出合适的占空比，从而控制数字电源的开关管用于稳压。
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公开(公告)号：CN106024875A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610570715.X
申请日：2016-07-19
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/08 , H01L23/50
CPC classification number: H01L29/7393 , H01L23/50 , H01L29/0804 , H01L29/0821
Abstract: 一种快关断绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管器件，该半导体具备：在P型衬底上设有埋氧，埋层上设有N型漂移区，其上有P型阱区和N型缓冲区，在N型缓冲区内有重掺杂的P型集电极区，在P型阱区内有重掺杂的P型发射极区与N型发射极区，在P型阱区表面设有栅氧化层，其上有多晶硅层，在重掺杂的P型发射极区内设有第一纵向沟槽且其深及埋氧，上述沟槽局部向内侧扩展形成间距相等的第一横向沟槽且其延伸至漂移区，在重掺杂的P型集电极区设有第二纵向沟槽且其深及埋氧，上述沟槽局部向内侧扩展形成间距相等的第二横向沟槽且其延伸至漂移区，上述所有沟槽内有填充物，所述填充物为外部包裹耐压介质的多晶硅且位于漂移区内的填充物为耐压介质。
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公开(公告)号：CN105978339A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610520899.9
申请日：2016-07-04
Applicant: 东南大学
CPC classification number: H02M3/1582 , H02M1/00 , H02M2001/0009 , H02M2001/0012
Abstract: 一种基于遗传算法的效率优化电源控制方法，基于包括Boost升压电路、输入电流采样电路、输出电流采样电路、输出电压采样电路、采样放大隔离电路以及以微控制器为控制核心的控制电路构成的控制系统，采样得到的输入电流、负载输出电流和负载输出电压，通过对应的采样放大隔离电路输出给微控制器为控制核心的控制电路，控制电路输出信号控制Boost升压电路的开关管。微控制器为控制核心的控制电路包括AD转换、PI控制、遗传算法优化和脉冲宽度调制产生模块，利用微控制器的中断配合，精确采集输入电流值，由PI控制器调节占空比，稳定输出电压，采用遗传算法优化效率，在负载变化时能够寻找最佳开关频率，找出最优效率点。
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公开(公告)号：CN103929138B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201410169761.X
申请日：2014-04-24
Applicant: 东南大学
IPC: H03F3/45
Abstract: 一种低功耗高增益高摆率的运算跨导放大器，在设有输入级、输出级和负载电容CL的运算跨导放大器基本结构基础上，增设自适应偏置电路、电流检测电路、差分电流重新分配电路和动态输出驱动控制电路，由差分输入信号控制自适应偏置电路，通过电流检测电路检测自适应偏置电路产生的电流，并经过差分电流重新分配电路增加负载的小信号电流差以提高运算跨导放大器的等效跨导，动态输出驱动控制电路采集检测到的电流，动态地控制输出端的电流，实现运算跨导放大器压摆率的全面提升，彻底解决一般运算跨导放大器难以调和的速度与精度之间的矛盾，实现电路静态、动态性能的全面提升。
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公开(公告)号：CN105846678A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610179549.0
申请日：2016-03-25
Applicant: 东南大学
IPC: H02M3/158
CPC classification number: H02M3/1584
Abstract: 一种单电感多输出开关电源变换器的次环控制系统，在次环控制系统中，各次环控制支路中采用内部设有上门限电压VH和下门限电压VL的迟滞比较器取代传统次环误差放大器和次环PWM比较器，各次环控制支路迟滞比较器的输入分别为n?1个差模电压Vfbi(i＝1，2，…n?1)，Vfbi分别与上门限电压VH和下门限电压VL进行比较，当Vfbi低于下门限电压VL时，占空比控制信号PWM为高电平，相应输出支路中的次级功率开关管打开；当Vfbi高于上门限电压VH时，占空比控制信号PWM为低电平，相应输出支路中的次级功率开关管关断，从而实现通过迟滞比较器快速调节次级占空比信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105811780A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610286552.2
申请日：2016-05-03
Applicant: 东南大学
IPC: H02M3/335
CPC classification number: H02M3/33515 , H02M3/33523
Abstract: 一种原边反馈反激式变换器的输出电压恒压控制方法，基于反激式变换器主拓扑结构，通过DAC采样机制，精确地在原边辅助绕组上采样输出电压，并且在不采用传统大面积的模数转换器情况下，完全使用纯数字的方式，自适应地插入DCM，通过DAC采样机制和负载检测模块得到基准电压VREF，根据这一精确的反馈量去调整数字控制电路中的参考电压VREF，最终实现连续导通模式下输出电压的精准控制。
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公开(公告)号：CN105627959A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610097055.8
申请日：2016-02-23
Applicant: 东南大学
IPC: G01B21/00
CPC classification number: G01B21/00
Abstract: 一种开关磁阻电机位置信号传感器的校准系统，包括CPU、功率变换器、开关电源及位置偏移判别电路，CPU中的脉宽调制模块输出三相PWM驱动信号给功率变换器中的三相上开关管的栅极，上开关管的漏极接开关电源，源极串联某相电机定子绕组后连接下开关管的漏极，下开关管的源极接地CPU中的输入输出模块IO输出三相下管控制信号给功率变换器中的三相下开关管的栅极，位置偏移判别电路设置于三相位置信号传感器中的其中任意一相位置信号传感器的输出端，包括电阻R1和发光二极管D1，电阻R1的一端连接位置信号传感器的输出，电阻R1的另一端连接发光二极管D1的正极，发光二极管D1的负极接地，根据发光二极管D1的明灭变化，判别位置信号传感器的位置是否精准以及向哪一侧偏移及偏移程度，根据偏移情况进行手动校准。
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公开(公告)号：CN105610307A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201610118733.4
申请日：2016-03-03
Applicant: 东南大学
IPC: H02M1/08
CPC classification number: H02M1/08 , H02M2001/0006 , H02M2001/0048
Abstract: 一种产生固定负压的功率开关管隔离栅驱动电路，包括脉宽调制驱动器、电容Cb、C1、变压器T1、二极管D以及开关管Q1。增设电阻R1与电容C1并联以及电容C2与电阻R2并联和Buck电路、辅助变压器TA、TB。TB设有2个副边，C2与R2并连后一端接二极管D的阴极，另一端通过TB其中一个副边连接Q1的栅极，Buck电路的正输出端串联TB和TA的两个原边后连接Buck电路的负输出端，T1原边同名端串联TA副边和TB的另一副边后连接T1原边的非同名端并接地。在Q1关断时，二极管D、电容C2、电阻R2构成负压产生源，Buck电路、辅助变压器TA和TB构成电压补偿网络，保证负压的稳定，避免Q1的误导通。
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公开(公告)号：CN105590958A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510965034.9
申请日：2015-12-21
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/739 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7394 , H01L29/0623 , H01L29/0634 , H01L29/404 , H01L29/66325
Abstract: 一种双沟槽高压屏蔽的横向绝缘栅双极器件及其制备方法，包括：P型衬底，埋氧层，N型外延层，在N型外延层中设有P型体区和N型缓冲层，在P型体区内设有P型发射极和N型发射极，N型发射极上方设有多晶硅栅，多晶硅栅上设有金属连接多晶硅栅至结构外围的输入\输出，在N型缓冲层中设有P型集电极，N型缓冲层上方有多晶硅场板，多晶硅场板上连有栅极金属，P型体区三面包围着N型缓冲层，留有一面的间断，P型集电极连有集电极金属连线，在集电极金属连线之下靠近结构边缘设有沟槽，沟槽内掺有介质，在整个结构外包围有沟槽，沟槽内掺有介质。所述高压互连线屏蔽结构靠近集电极的沟槽下方不与埋氧层接触，留有空隙。
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公开(公告)号：CN105552110A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510964464.9
申请日：2015-12-21
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0603 , H01L29/0611 , H01L29/0688 , H01L29/66477 , H01L29/78
Abstract: 一种高雪崩耐量的功率半导体晶体管结构，包括，兼做漏区的N型衬底，在N型衬底上设有N型外延层，N型外延层表面设有P型条形体区，P型条形体区表面设有重掺杂N型源区和重掺杂P型源区，在N型外延层上设有绝缘栅氧化层，在绝缘栅氧化层上设有导电多晶硅，所述导电多晶硅位于相邻P型条形体区之间区域的上方且两侧分别覆盖相邻P型条形体区，所述导电多晶硅上设有绝缘介质层，重掺杂P型体区和重掺杂N型源区上连接有源极金属，其特征在于，P型条形体区向N型外延层扩展形成多个P型弓形体区，P型弓形体区均匀分布于P型条形体区，且嵌入N型外延层中，本发明保留传统功率半导体晶体管制备方法，提高雪崩耐量，缩小芯片面积，成本较低。
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