屏幕拼接系统和视频数据流的处理方法

    公开(公告)号:CN104660916B

    公开(公告)日:2018-09-18

    申请号:CN201310578376.6

    申请日:2013-11-18

    Abstract: 本发明公开了一种屏幕拼接系统和视频数据流的处理方法,在上述系统中,视频采集子系统,用于采集原始视频数据流,并在开启畅显图像处理模式后将采集到的原始视频数据流输出至畅显子系统;畅显子系统,与视频采集子系统相连接,用于接收来自于视频采集子系统的原始视频数据流,依次对原始视频数据流进行畅显图像处理和屏幕切割处理,并将切割后的视频数据流发送至屏幕拼接子系统;屏幕拼接子系统,与畅显子系统相连接,用于对切割后的视频数据流进行拼接处理,并发送至拼接显示墙。根据本发明提供的技术方案,提高了屏幕拼接的显示流畅性,显著改善了屏幕拼接系统的整体显示效果。

    一种图像拼接方法及装置
    103.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108205799A

    公开(公告)日:2018-06-26

    申请号:CN201611170514.7

    申请日:2016-12-16

    Abstract: 本发明实施例提供了一种图像拼接方法及装置,可确定待拼接的第一图像和第二图像的重叠区域,并确定所述重叠区域内的若干像素点对;从中任选一对作为第一像素点对,投影在曲面半径为第一预设值的几何曲面上,获得第一像素点对之间的弧线距离L;将剩余像素点对,分别按照各自对应的目标实景的深度值、第一深度值和第一预设值,计算得到其对应的曲面半径;确定每一像素点在展开图像上的坐标;将重叠区域内第一图像中或第二图像中的像素点在展开图像上的坐标平移L,使每一像素点对对应的两个坐标重合;将若干像素点对坐标重合的展开图像确定为拼接后的图像。能够使重叠区域内像素点对对应的坐标在展开图像中完全重合,实现了待拼接图像的准确拼接。

    一种目标物体红外反射率测量方法及装置

    公开(公告)号:CN106996922A

    公开(公告)日:2017-08-01

    申请号:CN201610049706.6

    申请日:2016-01-25

    Abstract: 本发明实施例公开了一种目标物体红外反射率测量方法及装置,应用于红外反射率测量相机,所述方法包括:向待测的所述目标物体发射红外光;接收经所述目标物体反射的反射光,并根据所接收的目标物体反射的反射光,获得所述目标物体与所述红外反射率测量相机的位置信息;根据所述目标物体与所述红外反射率测量相机的位置信息,以及预先获得的参考物体与所述红外反射率测量相机的位置信息,对接收到的所述反射光的第一反射光能量进行归一化处理,获得第二反射光能量;基于所述第二反射光能量,以及预先获得的第三反射光能量和所述参考物体的红外反射率,确定所述目标物体的红外反射率。本实施例能够实现简便的测量目标物体的红外反射率。

    图像的拼接方法和装置
    105.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106683071A

    公开(公告)日:2017-05-17

    申请号:CN201510752156.X

    申请日:2015-11-06

    Abstract: 本发明公开了一种图像的拼接方法和装置。其中,该方法包括:获取第一摄像机采集到的第一图像以及第二摄像机采集到的第二图像,其中,第一图像为具有可见光信息的图像,第二图像为包括深度信息以及可见光信息的图像,第一摄像机与第二摄像机相邻设置,采集到的第一图像与第二图像存在重叠区域;将第二图像中的像素点映射到重叠区域和/或扩展区域上,其中,扩展区域为第二图像中的像素点映射到第一图像之外的图像区域;通过第二图像中的像素点的深度信息以及可见光信息,将映射后的第二图像中的像素点拼接到重叠区域和/或扩展区域上,得到拼接图像。本发明解决了现有技术在图像拼接过程中,拼接效率低的技术问题。

    装载率测量方法、装置、系统、设备、存储介质及产品

    公开(公告)号:CN119540360A

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202411944172.4

    申请日:2024-12-27

    Abstract: 本申请涉及机器视觉检测领域,公开了一种装载率测量方法、装置、系统、设备、存储介质及产品,该方法包括:采集货物装载场景下的当前可见光图像以及采集当前可见光图像中的多个像素点的目标深度信息;对当前可见光图像进行图像分割和背景建模,以确定多个像素点分别所属的对象;确定多个像素点中的干扰点和失效点;删除干扰点的目标深度信息,以及基于失效点周围与失效点属于同一对象的像素点的目标深度信息更新失效点的目标深度信息;基于当前可见光图像中像素点的目标深度信息和历史可见光图像中像素点的目标深度信息,确定货物体积变化量,基于货物体积变化量确定当前货物装载率。该方法能够有效提高所确定的当前货物装载率的准确率。

    辐照损伤修复电路、方法及装置

    公开(公告)号:CN118231484B

    公开(公告)日:2025-01-24

    申请号:CN202410619548.8

    申请日:2024-05-17

    Inventor: 彭彧 苏星 沈林杰

    Abstract: 本申请实施例公开了一种辐照损伤修复电路、方法及装置,用以解决对硅基探测器件进行辐照损伤修复的过程较繁琐、且修复效率低的问题。辐照损伤修复电路包括:硅基探测器件、开关组件和电流源,所述硅基探测器件和所述开关组件串联连接,所述电流源通过所述开关组件与所述硅基探测器件连接;在所述硅基探测器件满足辐照损伤修复条件的情况下,所述开关组件与所述电流源之间连通;所述电流源通过所述开关组件为所述硅基探测器件提供电流;在所述硅基探测器件不满足所述辐照损伤修复条件的情况下,所述开关组件与所述电流源之间断开作用下进行探测。本申请能够提升对硅基探测器件进行辐照损伤修复的便利性以及修复效率。

    雪崩二极管和探测器
    109.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118867012A

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202310489279.3

    申请日:2023-04-27

    Abstract: 本发明公开一种雪崩二极管和探测器,其中,雪崩二极管包括具有第一掺杂类型的衬底,具有第二掺杂类型的第一电极,具有第一掺杂类型的第二电极,以及具有第一掺杂类型的第一半导体区,所述衬底形成有相对的第一表面和第二表面;所述第一电极由第一表面延伸至所述衬底中设置;所述第二电极由第一表面延伸至衬底中设置,并与所述第一电极间隔设置;所述第一半导体区为倒掺杂结构,所述第一半导体区由所述第一表面延伸至所述衬底中设置,在垂直于第一表面至第二表面的方向上,所述第一半导体区的内侧与所述第一电极抵接,并与所述第一电极形成主结。本发明技术方案的雪崩二极管为完全边缘击穿类型,提高探测效率的同时有利于小型化。

    雪崩二极管、光电二极管器件和探测器

    公开(公告)号:CN118867011A

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202310489192.6

    申请日:2023-04-27

    Abstract: 本发明公开一种雪崩二极管、光电二极管器件和探测器,雪崩二极管包括具有第一掺杂类型的衬底、第三半导体区以及第四半导体区,具有第二掺杂类型的第一半导体区和第二半导体区,第一半导体区由衬底的第一表面向第二表面延伸设置;第二半导体区由第一表面向第二表面延伸设置,并包裹于第一半导体区的周缘;第三半导体区由第二半导体区背离第一表面的一侧向第二表面延伸设置,第三半导体区与第一半导体区在第一表面至第二表面的方向上至少部分重叠;第四半导体区与第二半导体区在平行于第一表面的方向具有间隔,第四半导体区以第一半导体区的中垂线为轴对称设置。本发明技术方案的雪崩二极管可减少边缘击穿并提高探测效率。

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