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公开(公告)号：CN106277064B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201610580163.0
申请日：2016-07-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: C01G47/00
Abstract: 本发明公开了一种制备二硫化铼纳米片的方法，属于新型二维纳米材料制备领域。本发明以高铼酸铵作为铼源、硫脲作为硫源，盐酸羟胺作为还原剂，将上述三种反应物溶解于溶剂水中，通过调节反应温度和反应时间发生化学反应，然后将产物清洗，经干燥处理后，最终合成二硫化铼纳米片。本发明操作过程简单，效率高、重复性好、成本低，可大批量制备出高质量的二硫化铼纳米片，同时，本发明为二硫化铼纳米片在电学和光学方面的应用提供了可靠的样品制备方法。
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公开(公告)号：CN106948001A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710159585.5
申请日：2017-03-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于单晶和薄膜材料制备技术领域，提供一种瓶颈式反应管、以及与该瓶颈式反应管配套使用的高通量二维单晶炉装置，用以克服现有单晶炉的操作繁复、生产单晶品质低、生产效率低等缺点。本发明瓶颈式反应管呈圆筒状，其底部封闭，顶部采用封管密封，其侧面沿垂直放置设置有若干个“瓶颈”形颈部；同时，与其配套使用的高通量二维单晶炉装置，包括炉体、刚玉石英管、瓶颈式反应管、温控系统及环形加热圈，环形加热圈嵌套设置于刚玉石英管内部、与瓶颈式反应管中安装的基片呈一一对应关系、且处于同一水平位置。本发明能够实现高纯度、高品质二维单晶的高通量制备，且操作简单、成本低，大大提高生产效率。
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公开(公告)号：CN105355701B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201510765882.5
申请日：2015-11-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/0224
Abstract: 一种新型的光电导探测器，属于电子信息材料与元器件领域。该光电导探测器自下而上依次为有源层、图形化电极层，其中，图形化电极层包括第一电极、第二电极、第三电极、第四电极，所述第一电极、第二电极、第三电极和第四电极图形的相对位置为一个任意的四边形结构，第一电极、第二电极、第三电极、第四电极沿顺时针或逆时针依次排布，工作时，在第一电极与第二电极之间接恒定电流电源，在第三电极和第四电极之间通过测电压设备来测试电压值，通过该电压值的变化来识别光信号。本发明光电导探测器对电极结构尺寸要求较低，其制备无需采用光刻技术，制备工艺更简单，有助于提升产品的良率、降低生产成本，且器件的开口率得到了大幅提升。
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公开(公告)号：CN106431407A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610844233.9
申请日：2016-09-23
IPC: C04B35/547 , C04B35/65
CPC classification number: C04B35/547 , C04B35/65 , C04B2235/408 , C04B2235/42 , C04B2235/5292 , C04B2235/662 , C04B2235/786
Abstract: 本发明公开了一种利用高温超高压制备片状二硒化铂的方法，属于功能材料制备技术领域。本发明直接以单质铂和硒粉为原料，无需任何反应助剂，在高温高压下合成；本发明可通过控制合成温度和压力来调整产品的纯度，并制备出纯相、结晶性能良好、大晶粒尺寸的块体状二硒化铂(PtSe2)；本发明主要包括样品处理、样品组装、高温高压反应和退火去硒这四个步骤，制备方法简单、制备同期短，制得的二硒化铂(PtSe2)结晶性好、晶粒大，适合工业化大规模生产；本发明发展了新型的二维半导体制备方法，为二硒化铂等过渡金属硫族化合物的可控制备，以及相关二维材料在光电子器件和催化剂方面的潜在应用提供了可靠的制备手段，具有广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106277064A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610580163.0
申请日：2016-07-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: C01G47/00
CPC classification number: C01G47/00 , C01P2002/72 , C01P2002/82 , C01P2002/85 , C01P2004/04
Abstract: 本发明公开了一种制备二硫化铼纳米片的方法，属于新型二维纳米材料制备领域。本发明以高铼酸铵作为铼源、硫脲作为硫源，盐酸羟胺作为还原剂，将上述三种反应物溶解于溶剂水中，通过调节反应温度和反应时间发生化学反应，然后将产物清洗，经干燥处理后，最终合成二硫化铼纳米片。本发明操作过程简单，效率高、重复性好、成本低，可大批量制备出高质量的二硫化铼纳米片，同时，本发明为二硫化铼纳米片在电学和光学方面的应用提供了可靠的样品制备方法。
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公开(公告)号：CN106209002A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610494499.5
申请日：2016-06-29
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H03H3/02 , H03H9/02039 , H03H9/02086 , H03H2003/023
Abstract: 本发明涉及微电子器件领域，具体提供一种新型薄膜体声波谐振器及其制备方法，该薄膜体声波谐振器包括Si衬底，于Si衬底上相键合的Si键合层，于Si键合层上设置单晶铌酸锂薄片，所述Si键合层上表面开设空腔，对应设置于空腔内的下电极附着于单晶铌酸锂薄片下表面，于单晶铌酸锂薄片上表面设置上电极，所述上电极与下电极对应设置。本发明谐振器采用单晶铌酸锂薄片作为压电层，能够便捷精确的控制压电层晶格取向，显著提升谐振器的谐振频率和机电耦合系数等性能，同时，利用单晶铌酸锂薄片作为器件支撑结构，有效避免电极支撑带来的性能损害，进一步提升器件性能；并且本发明谐振器结构简单，加工重复性好，能够获得一致性良好的大规模线列和阵列。
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公开(公告)号：CN106092389A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610365447.8
申请日：2016-05-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01L1/20
CPC classification number: G01L1/205
Abstract: 本发明提供了一种新型的柔性阵列式压力传感器，自上而下依次为上柔性薄膜层、上电极层、压敏单元阵列、下电极层、下柔性薄膜层，其特征在于，所述压敏单元阵列包括n个相同的压敏单元，每个压敏单元包括pn结和压敏薄膜，所述pn结由p型半导体薄膜和n型半导体薄膜组成。本发明柔性阵列式压力传感器的每个压敏单元为一个压敏薄膜与一个pn结整流二级管构成的串联结构，在对单个敏感点的电阻变化进行测量时，pn结整流二级管的单向导电特性使得传感器阵列上各敏感点之间不能形成电流回路，从而有效解决了阵列电阻间的交叉耦合问题；且传感器的体积小，重量轻，易于实现低成本大规模批量化生产。
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公开(公告)号：CN105509891A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510846774.0
申请日：2015-11-27
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: G01J5/0025 , G01J5/10 , G01J2005/106
Abstract: 本发明属于电子材料与元器件技术领域，涉及基于柔性基板的以复合膜为敏感单元的大视场阵(线)列红外探测器，用于克服现有探测器视场小的缺点。本发明大视场阵列红外探测器，包括：封装底座、穿过底座设置的引脚、安装在封装底座上的PCB板、PCB板上连接设置的敏感电路、以及封装冒，其特征在于，所述封装冒为球形封装冒，球形封装冒开设曲面窗口、曲面窗口内镶嵌球面滤光片；所述敏感电路为曲面敏感电路，所述曲面敏感电路呈与曲面窗口对应的曲面状。本发明提供大视场阵(线)列红外探测器能够实现阵列红外探测器的大视场，且探测器红外视场可调节；同时，本发明红外探测器性能优越、结构简单，生产成本低、应用范围广。
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公开(公告)号：CN105355701A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510765882.5
申请日：2015-11-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/0224
Abstract: 一种新型的光电导探测器，属于电子信息材料与元器件领域。该光电导探测器自下而上依次为有源层、图形化电极层，其中，图形化电极层包括第一电极、第二电极、第三电极、第四电极，所述第一电极、第二电极、第三电极和第四电极图形的相对位置为一个任意的四边形结构，第一电极、第二电极、第三电极、第四电极沿顺时针或逆时针依次排布，工作时，在第一电极与第二电极之间接恒定电流电源，在第三电极和第四电极之间通过测电压设备来测试电压值，通过该电压值的变化来识别光信号。本发明光电导探测器对电极结构尺寸要求较低，其制备无需采用光刻技术，制备工艺更简单，有助于提升产品的良率、降低生产成本，且器件的开口率得到了大幅提升。
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