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公开(公告)号：CN116923288B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202310760857.2
申请日：2023-06-26
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: B60R16/023 , B60Q9/00 , G08C17/02
Abstract: 本申请适用于汽车辅助驾驶领域，提供了一种行车鬼探头智能探测系统、及方法，所述行车鬼探头智能探测系统包括：超声波模块、显示模块、无线传输模块、报警模块；所述系统可工作在模式1和模式2，当系统工作在模式2时，所述超声波模块不工作，所述无线传输模块接收其他车辆发送的信息，并传输至所述报警模块，用于安全判定。安装有上述系统的车辆，可接收其他车辆发送的探测信息并进行安全判定，从而在本车辆的超声波模块不工作时，同样能够探测到车辆盲区内的路况，并及时报警，极大的降低了驾驶员由于观察力有限而造成的突发危险和鬼探头事故几率。
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公开(公告)号：CN107742606B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201711030930.1
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/20
Abstract: 本发明公开了一种键合晶圆的结构及其制备方法，主要解决现有技术键合强度低以及键合的空隙率高的技术问题。该键合晶圆的结构及其制备方法通过将需要键合的两块晶圆进行清洗、蒸发沉积金属Al，在任一晶圆表面旋涂光刻胶、软烘烤、UV曝光、光刻胶显影，刻蚀形成等间距通道、在氧环境下低温键合以及低温退火键合得到晶圆键合结构，该晶圆键合结构包括上下两层晶圆层，以及在该两层晶圆层之间氧化与键合同时进行，使得键合后的表面具有三氧化二铝和气体混合的气体通道的技术方案，该键合晶圆的结构及其制备方法，实现了晶圆之间空隙小、键合强度高，以及基于SOI结构制造的器件散热性好；能够用于晶圆的低温键合。
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公开(公告)号：CN117518534A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311480895.9
申请日：2023-11-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十四研究所 , 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及光通信器件领域，具体涉及一种新型电极下沉式薄膜铌酸锂调制器，包括衬底层、低折射率下盖层、薄膜铌酸锂层、低折射率上盖层和电极组件；低折射率下盖层与衬底层连接，并位于衬底层的一侧，薄膜铌酸锂层与低折射率下盖层连接，并位于低折射率下盖层远离衬底层的一侧，低折射率上盖层与薄膜铌酸锂层连接，并位于薄膜铌酸锂层远离低折射率下盖层的一侧，电极组件设置在薄膜铌酸锂层上，并位于薄膜铌酸锂层与低折射率上盖层之间，电极组件采用下沉式设计，这样使得薄膜铌酸锂层形成阶梯式的结构，其脊波导可以更紧密地限制光学模式，对损耗有显著影响，使其减少数量级。
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公开(公告)号：CN117276319A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311476740.8
申请日：2023-11-07
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种具有反向倾斜介质槽的功率器件，在有源区增设反向倾斜的介质槽。反向倾斜介质槽阻挡载流子的沿表面向源极运动，载流子只能向漏极外侧向下运动，在有源层底部方向折回向源极运动，形成折叠型耐压路径，显著提高器件的有效横向耐压长度，能解决减小器件表面长度、提高耐压的技术难题；反向倾斜介质槽可以在传统功率器件结构的基础上，结合硅片倾斜深槽刻蚀和介质填充形成，该工艺步骤完全与CMOS/SOI工艺兼容，工艺简单。此外，还在介质槽外形成的反型的掺杂层，可以改善体电场分布，降低介质槽拐角电场集中的现象，特别适合于高耐压功率器件的设计。
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公开(公告)号：CN117155289A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310928731.1
申请日：2023-07-26
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请提供一种比较器偏移抵消的方波产生电路，包括电流产生电路、充放电电路和比较器，电流产生电路输出的第一充电电流和第二充电电流交替给充放电电路中的第一充电电容和第二充电电容充电，在第一充电电容充电期间，将第一充电电容的电压输入至比较器的反相输入端，而将参考电压输入至比较器的同相输入端，而在第二充电电容充电期间，将第二充电电容的电压输入至比较器的同相输入端，而将参考电压输入至比较器的反相输入端，使得振荡周期与比较器偏移量无关，有效的减小方波产生电路受PVT变化的影响，保证了振荡频率的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116626797A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310620412.4
申请日：2023-05-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明公开一种宽带高效线到圆偏振转换器，该转换器由底部金板、中间介电质层和顶部圆‑椭圆组合金板三层结构组成。本发明可以实现在0.4THz附近和0.5到1.15THz频率范围内的线到圆宽带偏振转换，并且反射系数大小约为0.7。仿真结果表明线到圆偏振转换效率大于0.95。从而实现了宽带、高效的线到圆偏振转换。这为高性能的宽带偏振转换器设计提供了一定的理论和数据支撑。该发明结构新颖、性能优越，有望在未来高性能、多功能的偏振器件设计方面得到广泛运用。
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公开(公告)号：CN116607111A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310443818.X
申请日：2023-04-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请提供一种基于柔性衬底生长的铟镓氧化物薄膜及其制备方法，将准备好的柔性衬底放入脉冲激光沉积装置的生长腔内，设置生长参数，使得柔性衬底上生长一层铟镓氧化物薄膜。通过该方法可制备出高结晶质量的铟镓氧化物薄膜，在氧化镓中掺杂铟离子，可以拓宽带隙范围。该制备方法工艺步骤简单，易操作，进而可有效降低制备成本。
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公开(公告)号：CN116388722A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310267963.7
申请日：2023-03-20
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性云母衬底的耐高温声表面波器件及制造方法，涉及声表面波器件技术领域，其技术方案要点是：基于柔性云母衬底的耐高温声表面波器件，其结构从下至上依次为：柔性衬底、缓冲层、压电薄膜、叉指电极和保护层。采用耐高温云母柔性衬底，通过缓冲层的引入制备高质量AlN压电薄膜，设计加工纳米尺寸金属Pt叉指电极，辅以Al2O3保护层，实现稳定工作在800℃以上高温环境中的柔性高频声表面波器件。
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公开(公告)号：CN107395194B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201710758437.5
申请日：2017-08-29
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H03K19/0175 , H03K5/01
Abstract: 本发明公开一种基于频率转换的电容传感器接口电路，由基于电容变化的频率调制电路和频率电压转换电路组成；基于电容变化的频率调制电路的输入端形成整个接口电路的输入端，与被测电容连接；基于电容变化的频率调制电路的输出端连接频率电压转换电路的输入端；频率电压转换电路的输出端形成整个接口电路的输出端；通过基于电容变化的频率调制电路先将被测电容值转换为频率值，再通过频率电压转换电路将频率值转换为电压值。本发明能够有效抑制低频处噪声的影响，仅需要一个输入信号周期，可将频率信号转化为相应的电压信号，减小了输出的延时，极大的提高电容传感器接口电路反应速度。
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公开(公告)号：CN112098366B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202010733371.6
申请日：2020-07-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/41
Abstract: 本发明公开了一种实现三个Fano共振的内嵌双U型折射率传感器，该传感器由一个大的倒U型谐振腔内嵌一个小的倒U型谐振腔和金属平板组成的金属‑电介质‑金属(MIM)波导结构。当光波在波导中传输时耦合到两个大小不同的倒U型谐振腔，满足共振条件时，可以产生Fano共振，在透射谱上出现三个尖锐非对称的共振峰。Fano共振对结构参数的变化异常敏感，因此通过调节U型谐振器的r1，r3，h1，h2和填充介质的折射率来控制Fano共振峰的线形和谐振波长。本发明在红外波段可以获得较高的灵敏度和品质因数(FOM)，分别为2275nm/RIU，25540。该发明在光学集成电路、光电子器件，特别是微纳生物化学传感器等领域有着广阔的应用前景。
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