公开(公告)号：CN103681805A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310419349.4

申请日：2013-09-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  须泽英臣 ,  笹川慎也 ,  仓田求 ,  津吹将志

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L27/14616 ,  H01L27/14689 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/66742

Abstract: 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明提供一种晶体管的导通特性得到提高且能够实现高速响应、高速驱动的半导体装置。并且，制造可靠性高且示出稳定的电特性的半导体装置。本发明的一个方式是具有晶体管的半导体装置，该晶体管包括：第一氧化物层；第一氧化物层上的氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的源电极层及漏电极层；氧化物半导体层上的第二氧化物层；第二氧化物层上的栅极绝缘层；以及栅极绝缘层上的栅电极层，其中，第二氧化物层的边缘部及栅极绝缘层的边缘部与源电极层及漏电极层重叠。

公开(公告)号：CN103339715A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201180066610.6

申请日：2011-11-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  津吹将志 ,  秋元健吾 ,  大原宏树 ,  本田达也 ,  小俣贵嗣 ,  野中裕介 ,  高桥正弘 ,  宫永昭治

IPC: H01L21/363 ,  C01G15/00 ,  C23C14/08 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/247 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明提供一种具有更稳定的导电性的氧化物半导体膜。此外，通过使用氧化物半导体膜来提供具有稳定的电特性及高可靠性的半导体装置。氧化物半导体膜包括结晶区域，且结晶区域包括a-b面与膜的表面实质上平行且c轴与膜的表面实质上垂直的晶体；氧化物半导体膜具有稳定的导电性且相对于可见光、紫外线光等的照射更电稳定。通过将这种氧化物半导体膜用于晶体管，可以提供具有稳定的电特性的可靠性高的半导体装置。

公开(公告)号：CN102511082A

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201080041841.7

申请日：2010-09-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  津吹将志 ,  乡户宏充

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 一个目的是提供一种包括氧化物半导体膜、具有稳定电特性的高度可靠的薄膜晶体管。包括氧化物半导体膜的薄膜晶体管的沟道长度在1.5μm至100μm(包括两端)、优选地为3μm至10μm(包括两端)的范围之内；当阈值电压的变化量在室温至180℃(包括两端)或者-25℃至-150℃(包括两端)的工作温度范围中小于或等于3V、优选地小于或等于1.5V时，能够制造具有稳定电特性的半导体器件。具体来说，在作为半导体器件的一个实施例的显示装置中，能够降低因阈值电压的变化而引起的显示不均匀性。

公开(公告)号：CN101997036A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010248811.5

申请日：2010-08-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  坂仓真之 ,  及川欣聪 ,  冈崎健一 ,  丸山穗高 ,  津吹将志

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/41 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/13306 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133528 ,  G02F1/1337 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/13394 ,  G02F1/134336 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136204 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/133302 ,  G02F2001/133357 ,  G02F2201/123 ,  G11C19/28 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/247 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明的目的之一在于提高半导体装置的可靠性。本发明的一种半导体装置包括在同一衬底上的驱动电路部和显示部(也称为像素部)，驱动电路部和显示部分别包括：半导体层由氧化物半导体构成的薄膜晶体管；第一布线；以及第二布线，其中薄膜晶体管包括源电极层或漏电极层及接触于半导体层的氧化物导电层，驱动电路部的薄膜晶体管以以栅电极层和导电层夹着半导体层的方式构成，并且第一布线和第二布线在设置在栅极绝缘膜中的开口中通过氧化物导电层电连接。

公开(公告)号：CN101740398A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910220868.1

申请日：2009-11-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 秋元健吾 ,  津吹将志

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786 ,  H01L29/41 ,  H01L21/82 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/41733

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及该半导体装置的制造方法。本发明的目的之一在于即使在形成栅极绝缘层、源电极层及漏电极层之后形成氧化物半导体的情况下，也抑制元件特性恶化。在衬底上形成栅电极层，在栅电极层上形成栅极绝缘层，在栅极绝缘层上形成源电极层及漏电极层，对形成在衬底上的栅极绝缘层、源电极层及漏电极层的表面进行表面处理，在进行该表面处理后，在栅极绝缘层、源电极层及漏电极层上形成氧化物半导体层。

公开(公告)号：CN101728383A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910209087.2

申请日：2009-10-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山润 ,  秋元健吾 ,  津吹将志

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/786 ,  H03K19/094

CPC classification number: H03K19/094 ,  H01L27/0883 ,  H01L27/1225 ,  H03K19/09407 ,  H03K19/09421 ,  H03K19/096

Abstract: 一种逻辑电路。本发明的目标是要将使用氧化物半导体的晶体管应用于包括增强型晶体管的逻辑电路。该逻辑电路包括耗尽型晶体管101和增强型晶体管102。晶体管101和102的每个包括栅电极、栅极绝缘层、第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层、源电极、及漏电极。晶体管102包括设置于第一氧化物半导体层在源电极和漏电极之间的区域之上的降低防止层。