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公开(公告)号：CN102280817A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110190349.2
申请日：2005-11-02
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , H01L21/0237 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L33/16 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体器件及其制造方法。所述器件防止裂纹产生、带有具有均匀厚度和好的生长表面平整度的氮化物半导体薄膜，且因此特性稳定，而且能以满意的成品率制造。在此氮化物半导体器件中，氮化物半导体薄膜生长于在垂直于脊表面的方向与晶体方向 之间具有倾斜角的衬底上。这有助于减小或有意加速在其整个迁移中氮化物半导体薄膜的源材料的原子或分子的扩散或移动。结果，能形成具有好的表面平整度的氮化物半导体生长层，且因此能获得具有满意特性的氮化物半导体器件。
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公开(公告)号：CN102231477A
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN201110119605.9
申请日：2006-12-15
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/44 , H01S5/028 , H01S5/2036 , H01S5/22
Abstract: 在光射出部形成涂膜的氮化物半导体发光元件，是一种光射出部由氮化物半导体构成、与光射出部相接的涂膜由氧氮化物构成的氮化物半导体发光元件。还有一种氮化物半导体激光元件的制造方法，是制造在共振器端面形成涂膜的氮化物半导体激光元件的方法，包括通过解理形成共振器端面的工序和在共振器端面形成由氧氮化物构成的涂膜的工序。
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公开(公告)号：CN101179178B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200710197022.1
申请日：2005-11-02
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/0243 , H01L21/02433
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体器件及其制造方法。所述器件防止裂纹产生、带有具有均匀厚度和好的生长表面平整度的氮化物半导体薄膜，且因此特性稳定，而且能以满意的成品率制造。在此氮化物半导体器件中，氮化物半导体薄膜生长于在垂直于脊表面的方向与晶体方向 之间具有倾斜角的衬底上。这有助于减小或有意加速在其整个迁移中氮化物半导体薄膜的源材料的原子或分子的扩散或移动。结果，能形成具有好的表面平整度的氮化物半导体生长层，且因此能获得具有满意特性的氮化物半导体器件。
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公开(公告)号：CN101950921A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010294334.6
申请日：2008-06-13
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种发光装置及其制造方法。该发光装置包括光吸收膜(5)，其形成在用在激光器装置中的典型地为激光器芯片(1)的激光器芯片的发光侧的端部表面的最外表面上，并且该光吸收膜吸收部分所发射的光。通过形成该光吸收膜(5)，抑制了由与所发射的光反应引起的污染物的附着和聚集。
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公开(公告)号：CN101847824A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010173999.1
申请日：2008-06-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/028
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种发光装置及其制造方法。该发光装置包括：激光器芯片，具有谐振腔端部表面；和光吸收膜，形成在来自该芯片的光发射通过的端部表面的最外表面上，以吸收部分所发射的光。通过形成该光吸收膜，抑制了由与所发射的光反应引起的污染物的附着和聚集。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN101609961A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200910159795.X
申请日：2007-03-06
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供：包含在发光部分形成的，并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体的涂膜的氮化物半导体发光器件；和制备所述氮化物半导体发光器件的方法。本发明还提供包含氮化物半导体层和栅极绝缘膜的氮化物半导体晶体管器件，所述栅极绝缘膜与所述氮化物半导体层接触并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体。
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公开(公告)号：CN100533884C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200510076167.7
申请日：2005-06-08
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 神川刚
IPC: H01S5/343 , H01S5/323 , H01S5/22 , H01L21/205 , H01L33/00
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0201 , H01S5/0206 , H01S5/0207 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 提供了一种用于制造半导体元件的方法和利用该方法制造的半导体元件，该方法包括：第一步骤，在具有作为其至少一部分表面的氮化物半导体层的衬底上，形成至少包括一个凹陷部分的刻槽区域和作为非刻槽区域的脊部分，由此生成已处理衬底；以及第二步骤，布设一氮化物半导体分层结构部分，该部分至少包括在刻槽区域中和脊部分表面上的一种类型的氮化物半导体薄膜。在第二步骤中，使设置在接近刻槽区域的脊部分的区域上的氮化物半导体分层结构的厚度大于设置在半导体元件生成区上的氮化物半导体分层结构部分的厚度，由此在接近刻槽区域的脊部分的区域上形成第一伪脊部分。
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公开(公告)号：CN101453098A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810178899.0
申请日：2008-12-08
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/028 , B82Y20/00 , H01S5/0281 , H01S5/0282 , H01S5/2201 , H01S5/34333
Abstract: 本发明公开了一种发光元件及其制造方法。在使用具有六方晶体结构的氮化物半导体的激光芯片1中，－c面被用作第一谐振器端面A，其为通过其光被发射得激光芯片1侧。在第一谐振器端面A上，也就是在－c面上，形成端面保护膜14。这确保在第一谐振器端面A和端面保护膜14之间稳固地接合，并减轻第一谐振器端面A的退化。
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公开(公告)号：CN100452464C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200610168827.9
申请日：2006-12-14
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00 , H01S5/00 , H01L21/314
CPC classification number: H01S5/028 , B82Y20/00 , H01L33/44 , H01S5/0021 , H01S5/2231 , H01S5/34333 , H01S2304/00
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光器件，该氮化物半导体发光器件含有涂有涂膜的发光部分，所述发光部分由氮化物半导体形成，并且与发光部分接触的涂膜由与发光部分相邻沉积的氧氮化物膜和沉积在所述氧氮化物膜上的氧化物膜形成。还提供一种制备含有具有被涂膜涂覆的小面的空腔的氮化物半导体激光器的方法，该方法包括以下步骤：提供解理以形成空腔的小面；和用涂膜涂覆空腔的小面，所述涂膜由与空腔的小面相邻沉积的氧氮化物膜和沉积在氧氮化物膜的氧化物膜形成。
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