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公开(公告)号：CN113540026A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010292267.8
申请日：2020-04-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768 , H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本公开提供一种位线结构、其制作方法、半导体存储器及电子设备。本公开的位线结构包括半导体基底；位于所述半导体基底上的至少一条位线；其中，所述半导体基底包括有器件隔离层限定的至少一个有源区，所述位线与所述有源区接触，所述位线包括自所述半导体基底起依次叠加设置的金属层和绝缘层。该位线结构通过将位线从多晶硅‑阻挡金属‑钨结构变更为金属结构，使得位线结构在小于7nm时的局限可以克服。并且去除多晶硅之后，可以进一步堆叠。
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公开(公告)号：CN113517171A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202010276080.9
申请日：2020-04-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请涉及半导体的制造方法，具体是，提供半导体基底，所述半导体基底形成牺牲模层；刻蚀所述牺牲模层以形成凹槽，所述凹槽用于形成目标结构；在所述凹槽的侧壁上形成侧墙层。本申请的制造方法能够解决在高深宽比开孔工艺中所存在的开孔不充分或开孔存在弓形的问题，以及采用简单的工艺制程即可实现降低半导体结构的关键尺寸，以替代现有的采用复杂的多重图形化等工艺来控制降低关键尺寸。
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公开(公告)号：CN110164762B
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201910441230.4
申请日：2019-05-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/3065 , H01L21/28 , H01L21/336 , G01N27/414 , B82Y40/00 , B82Y15/00 , B82Y10/00
Abstract: 本发明提供了一种纳米线、纳米线围栅器件以及纳米孔筛的制备方法。该制备方法包括以下步骤：S1，提供表面设置有凸台的衬底，凸台包括沿远离衬底的方向层叠设置的第一材料层与第二材料层；S2，使反应气体吸附于凸台表面形成吸附层，利用吸附层对第一材料层进行各向同性腐蚀；S3，重复执行步骤S2，以完成对第一材料层的刻蚀，形成位于衬底与第二材料层之间的纳米线。采用上述方法实现了精确自限制选择性横向刻蚀来精确微缩，在不用先进光刻的情况下即可获得纳米线或实现对纳米孔直径灵活调节，从而提高了工艺的重复性和一致性。
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公开(公告)号：CN112151386A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202011036930.4
申请日：2020-09-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 一种堆叠纳米线环栅器件及其制作方法，其制作方法包括如下步骤：在衬底上依次交替生长牺牲层和沟道层，形成堆叠结构；制作假栅和第一侧墙层；在堆叠结构上形成内凹形貌；淀积第二侧墙层，并形成内侧墙；在第二侧墙层上淀积填充层，平坦化至使第二侧墙层裸露；刻蚀第二侧墙层的顶部和侧壁，剩余内侧墙以及被填充层覆盖的第二侧墙层的底部；去除填充层和第二侧墙层的底部；在衬底上分别外延生长源区和漏区；去除假栅和第一侧墙层；去除牺牲层，形成纳米线沟道；形成环绕纳米线沟道的高K金属栅；填充绝缘层，制作接触孔和引线，完成制备。本发明的制作方法实现第二侧墙层侧壁刻蚀完全且内侧墙保持完好，最终得到堆叠纳米线环栅器件。
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公开(公告)号：CN112018090A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010702164.4
申请日：2020-07-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L23/64 , H01L27/108 , H01L27/11524 , H01L27/11551 , H01L27/1157 , H01L27/11578
Abstract: 本发明涉及一种电容结构及其制备方法和半导体器件。一种电容结构，包括上电极层；所述上电极层覆盖于保护膜之上，所述保护膜为等离子体氧化层和等离子体氮化层中的至少一种。本发明电容结构增加了保护膜，能防止加工过程中对电介质层等下层膜的损伤，从而避免了电流泄露，提高了电容量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111927748A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010566699.3
申请日：2020-06-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明提供的一种闸阀控制电路、抽真空设备以及真空室，涉及半导体制造设备领域，包括：电源和断路器，断路器与电源连接；电磁阀与断路器的负载端连接；断路器的负载端还用于与真空泵连接；电磁阀与闸阀控制连接；断路器根据真空泵的关闭，直接通过电磁阀控制闸阀。在上述技术方案中，该闸阀控制电路取消了泵控制器与阀门控制器之间常时运作信号(NOP)的传递，转而通过与供给真空泵电力的同一电源信号连接，当真空泵和电源之间的电力供给切断时直接向电磁阀发出控制信号，该控制信号自真空泵关闭至传递到电磁阀的过程仅需要不到0.1s的时间，与现有技术中常时运作信号(NOP)需要传递0.2s-0.3s的时间相比，明显降低了信号的传递延时。
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公开(公告)号：CN111900167A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010596889.X
申请日：2020-06-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L27/108 , H01L29/06
Abstract: 本公开提供一种半导体结构及其制造方法，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上形成接触沟槽；在所述接触沟槽沉积接触材料层；图形化所述接触材料层以形成接触插塞。本公开的接触插塞的制造方法，通过将现有的氧化物层间介质层的沉积直接替换为沉积多晶硅接触插塞材料，从而将后续的刻蚀开孔以沉积接触插塞材料形成接触插塞替换为刻蚀去除多余的多晶硅插塞材料以形成接触插塞，从而克服了在接触插塞制备中底部开孔不充分，垂直形貌不均匀的问题。
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公开(公告)号：CN111430281A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010450153.1
申请日：2020-05-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种反应腔室、反应腔室的控制方法及半导体加工设备，该反应腔室包括：出气口；第一吸附过滤单元，设置于出气口处，用于对工艺过程中产生的副产物进行吸附；第一吸附过滤单元包括两个子过滤单元以及分别连接两个子过滤单元的马达，两个子过滤单元拼接处形成一个以上的排气口；马达用于驱动所述两个子过滤单元进行移动，以调整一个以上的排气口大小，一个以上的排气口大小的变化规则由工艺类型所确定，进而通过调整两个子过滤单元之间的距离，以实现对排气口大小的调整，进而针对不同工艺类型中副产物量的不同来适应性调整该排气口大小，以提高反应腔室内对副产物的过滤效果，并兼顾抽气效率。
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公开(公告)号：CN111115561A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911233378.5
申请日：2019-12-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种微纳通孔的制备方法，包括步骤：提供衬底，自衬底的顶层向上依次形成结构层和牺牲层的叠层，构成第一结构，第一结构的顶层为牺牲层；基于顶层的牺牲层，形成若干分立的牺牲区域；在牺牲区域的顶层、侧壁以及承载牺牲区域的结构的表面形成侧墙膜；去除部分侧墙膜，保留牺牲区域侧壁的侧墙膜，以形成侧墙；去除牺牲区域；去除侧墙的两端，以形成若干间隔分布且独立的墙体；去除结构层和牺牲层至最底层的结构层，保留墙体下方的结构层和牺牲层；填充介质层，并平坦化以露出墙体的顶层；去除墙体两端的介质层至近衬底的顶层；去除牺牲层，形成通孔。本发明还一种具有微纳通孔的结构，包括采用本发明提供的制备方法而形成的通孔。
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公开(公告)号：CN110938434A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201911234819.3
申请日：2019-12-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: C09K13/00 , H01L21/311
Abstract: 本发明涉及一种内侧墙的刻蚀方法、刻蚀气体及纳米线器件的制备方法，属于半导体技术领域，解决了现有技术中保留凹槽内的侧墙材料以及硅和顶部硬掩膜等材料高选择比无法兼得的问题。用于刻蚀纳米线器件内侧墙的气体，包括CH2F2、CH4、O2和Ar，各组分的比例为1:1:1:2～1:1:1:5，刻蚀过程中上射频功率为100～1000W，下射频功率为10～80W；下电极功率为0～60W，基座温度为-20～90℃。纳米线器件的制备方法，包括如下步骤：在衬底上外延叠层和硬掩模；横向刻蚀SiGe层，形成预定长度的填充空隙；沉积内侧墙材料；刻蚀去除填充空隙之外的内侧墙材料，形成内侧墙。本发明既能保留凹槽内的侧墙材料，又能实现硅和顶部硬掩膜等材料的高选择比。
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