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公开(公告)号:CN101226850B
公开(公告)日:2010-07-28
申请号:CN200810032861.2
申请日:2008-01-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及硅微机械压力开关、制作方法及其应用。其特征在于所述的压力开关包括上下两个电极,两电极间有二氧化硅作为绝缘层进行隔离,上电极包括空气腔,硅弹性薄膜,节流孔,框架;下电极包括导流孔。其特征在于湿法腐蚀硅可同时形成空气腔和硅弹性薄膜;所有结构都由硅材料构成,便于实现和制动电路的集成。使用了选择性很好的干法刻蚀形成节流孔和框架,能精确控制节流孔的尺寸。将所述的压力开关安装在每一个轮胎中,当轮胎爆胎后,该开关能迅速闭合,从而接通轮胎制动装置电路,使轮胎快速制动。
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公开(公告)号:CN101691200A
公开(公告)日:2010-04-07
申请号:CN200910196795.7
申请日:2009-09-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种非致冷红外探测器的低温真空封装结构及制作方法,其特征在于所述低温真空封装的结构包括1)一包含悬浮红外敏感元件的硅基底传感器芯片;2)一包含凹腔结构硅基底红外滤光片盖板;3)包含凹腔结构红外滤光片盖板通过真空圆片对准键合固定在硅基底传感器芯片上,两者组成一个完整的非致冷红外探测器。本发明的制作是利用圆片级低温对准键合技术将包含红外敏感元件的硅衬底圆片与包含红外滤光薄膜的硅衬底圆片进行低温真空键合,实现了探测器红外滤光片与探测器的红外敏感元件制作工艺的集成。不仅可以保护红外敏感元件免受外界的污染和破坏,还通过圆片对准键合对红外探测器的红外敏感元件进行真空封装,提高了红外探测器的性能。
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公开(公告)号:CN100492015C
公开(公告)日:2009-05-27
申请号:CN200510008053.9
申请日:2002-04-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明涉及一种湿法制造的微机械电容式加速度传感器,属于微电子机械系统领域。其特征在于,最为关键的是利用补偿条结构牺牲方法和(110)单晶硅在各向异性腐蚀液中选择性腐蚀特性,采用硅各向异性湿法腐蚀在(110)单晶硅上制造出所需要的电容式加速度传感器结构,电容加速度传感器可动电极和固定电极同时形成在(110)单晶硅上,电容极板间隙为3-15微米。电容的平行电极必须严格对准(111)晶向。本发明提供的方法简化了微机械电容式加速度传感器的制造工艺,提高了电容式加速度传感器的成品率,而且也使制造出来的加速度传感器具有高的灵敏度和输出稳定性。
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公开(公告)号:CN100439234C
公开(公告)日:2008-12-03
申请号:CN200510112298.6
申请日:2005-12-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种XeF2腐蚀过程中锚的制作方法,其特征在于将SiO2、SiNx、SiC、Au、Al及Cr等XeF2气体几乎不腐蚀的材料淀积在要保护的锚周围,形成所需要的锚;或者直接采用XeF2气体几乎不腐蚀的材料来制作锚。锚结构有五种:锚由硅材料和覆盖在其周围的保护层材料构成;锚由硅材料、覆盖在其周围的保护层材料及填充层材料构成;锚由保护层材料及填充层材料构成;锚是由保护层材料构成的柱体;锚是由保护层材料构成的薄膜。上述五种锚结构涉及六种制作工艺。本发明的优点在于:一方面可准确控制微结构锚位置,增加单个硅片单元器件的产量,降低生产成本,另一方面还可提高阵列器件(如红外焦平面阵列器件)的占空比,改进器件性能。
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公开(公告)号:CN1959417A
公开(公告)日:2007-05-09
申请号:CN200610118484.5
申请日:2006-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明涉及一种微机械电容式加速度传感器及制作方法,属于微电子机械系统领域。其特征在于,最为关键的就是通过可动质量块上下两面的弹性梁交错分布,不重合,呈90°交叉或平行分布的设计,利用各向异性腐蚀技术,在(100)单晶硅片上实现在无凸角补偿下矩形质量块的形成,同时在质量块的上下两面形成直弹性梁结构。利用一般的硅硅键合技术实现了三层硅片的键合。在上电极和中间电极引出的制作上,通过可动质量块电极引出通孔和屋檐形遮挡台在一步淀积上电极和可动电极的引线盘的同时,也实现了两个电极之间的电信号隔离。本发明简化了制作微机械传感器的工艺,提高了成品率,在提高器件灵敏度的同时也降低了交叉灵敏度,是一种实用的加速度传感器。
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公开(公告)号:CN1915796A
公开(公告)日:2007-02-21
申请号:CN200610030990.9
申请日:2006-09-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种光读出非致冷红外成像阵列器件及其制作方法,其特征在于:由硅衬底上一系列像素单元组成,每个像素单元的两个锚柱立于硅衬底上,支撑像素单元,两条绝热梁一端与锚柱相连接,另一端与“双材料梁-微镜一体化”结构相连接,像素单元与硅衬底之间的间隙构成了红外吸收共振腔;所述阵列器件的制作是首先首先在硅衬底上制作出锚柱,然后根据所选牺牲层腐蚀法用而选择是否生长保护层和选择哪种材料作保护层,然后沉积牺牲层材料和制作结构所需材料,制作出像素单元图形后,再腐蚀掉牺牲层材料,进行结构释放。通过BMB-MM结构既能实现红外敏感,又能调制和输出读出可见光信号,提高填充因子并具有较好的热-机械响应特性和噪声等效温差特性。
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公开(公告)号:CN1291232C
公开(公告)日:2006-12-20
申请号:CN03141712.4
申请日:2003-07-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P3/44
Abstract: 本发明涉及微型角速度传感器及其制作方法。传感器由第一基板及其上的两组检测用交叉梳齿状固定对电极、固定于第一基板上的中央锚点和两侧锚点、第二基板的上表面的中点电极、悬于第一基板上方的可沿第一方向运动的两组全同且对称的驱动质量块、中央锚点与驱动质量块相连接的第一弹性折叠梁、两侧锚点与驱动质量块相连接的第二弹性折叠梁、连接两组驱动质量块的耦合梁、悬于第一基板上方的可沿垂直于第一方向的第二方向运动的两个检测质量块、检测质量块与驱动质量块之间的连接弹性梁、第一弹性折叠梁上的电绝缘层及其上的驱动配线、第二弹性折叠梁上的电绝缘层及其上的感应配线构成。采用微电子机械系统技术,工艺简单、可靠性好。
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公开(公告)号:CN1699939A
公开(公告)日:2005-11-23
申请号:CN200510026743.7
申请日:2005-06-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种室温F-P红外探测器阵列及制作方法,其特征在于硅基底和可动微镜之间构成了红外谐振腔,可动微镜和带有高反膜的玻璃之间构成F-P腔。其制作特征在于采用普通硅片,首先通过腐蚀硅确定F-P腔的长度,通过制作牺牲层确定红外谐振腔的长度,在牺牲层上淀积氮化硅、铝或金薄膜,光刻并刻蚀出微镜图案,随后去掉牺牲层材料,释放可动微镜,最后在真空中作硅-玻璃键合,形成F-P腔。本发明的优点在于:采用体硅与表面牺牲层技术相结合的工艺,可方便的制作出符合要求的红外谐振腔和F-P腔,提高了器件的红外探测性能,同时在工艺过程即实现了红外探测器阵列的真空封装,不需要专门的真空封装,简化了工艺,保证了器件的性能。
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公开(公告)号:CN1651922A
公开(公告)日:2005-08-10
申请号:CN200510008053.9
申请日:2002-04-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明涉及一种湿法制造的微机械电容式加速度传感器,属于微电子机械系统领域。其特征在于,最为关键的是利用补偿条结构牺牲方法和(110)单晶硅在各向异性腐蚀液中选择性腐蚀特性,采用硅各向异性湿法腐蚀在(110)单晶硅上制造出所需要的电容式加速度传感器结构,电容加速度传感器可动电极和固定电极同时形成在(110)单晶硅上,电容极板间隙为3-15微米。电容的平行电极必须严格对准(111)晶向。本发明提供的方法简化了微机械电容式加速度传感器的制造工艺,提高了电容式加速度传感器的成品率,而且也使制造出来的加速度传感器具有高的灵敏度和输出稳定性。
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公开(公告)号:CN1402011A
公开(公告)日:2003-03-12
申请号:CN02111345.9
申请日:2002-04-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明涉及一种湿法制造微机械电容式加速度传感器及其结构,属于微电子机械系统领域。其特征在于,最为关键的是利用补偿条结构牺牲方法和(110)单晶硅在各向异性腐蚀液中选择性腐蚀特性,采用硅各向异性湿法腐蚀在(110)单晶硅上制造出所需要的电容式加速度传感器结构,电容加速度传感器可动电极和固定电极同时形成在(110)单晶硅上,电容极板间隙为3-15微米。电容的平行电极必须严格对准(111)晶向。本发明提供的方法简化了微机械电容式加速度传感器的制造工艺,提高了电容式加速度传感器的成品率,而且也使制造出来的加速度传感器具有高的灵敏度和输出稳定性。
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